OFFRE DE TECHNOLOGIE
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L ien optique rapide compatible technologie CMOS pour inter connexionS optiques intra-circuits Output WG Input WG Interaction region guide / PFO-CNTs APPLICATIONS • Distribution optique du signal d’horloge dans les circuits intégrés • Interconnexions optiques inter-circuits (circuit électronique ↔ circuit photonique) • Télécommunications optiques et access network AVANTAGES Les interconnexions optiques ont été identifiées par l’ITRS roadmap comme une des solutions les plus prometteuses pour palier au problème à venir de saturation de la fréquence d’horloge des circuits intégrés. Une des solutions majoritairement développées ces dernières années est de guider la lumière sur Silicium sur Isolant (SOI), la moduler en utilisant des modulateurs à base de Silicium ou SiGe, la détecter en utilisant le Germanium et émettre en utilisant des semi-conducteurs III-V. Composé de trois matériaux de base, un tel lien optique demanderait une intégration très hétérogène au niveau de la fabrication. L’originalité de la technologie ci-présente est d’utiliser le même matériau, des nanotubes de carbone semi-conducteurs, pour les trois briques de base de l’interconnexion optique : la source, le modulateur et le photodétecteur. La modulation optique est obtenue par effet Kerr et effet Stark, la détection en utilisant les nanotubes comme milieu absorbant, et l’émission en utilisant une couche mince à base de nanotubes de carbone comme milieu actif dans lequel un effet laser peut être obtenue. En outre les nanotubes de carbone peuvent être intégrés comme milieu actif dans des guide d’ondes en Silicium, polymères ou tout type de matériaux semi-conducteurs ou diélectriques. SAIC - Bat 640 - Rue de Broglie 91405 Orsay Cedex Tel : +33 1 69 15 43 46 [email protected] PROPRIETE INTELLECTUELLE • FR1054744 déposée le 15/06/2010. Etendue par voie PCT • Inventeurs : L. Vivien, E. Gaufres, N. Izard TYPE DE PARTENARIAT • Recherche collaborative • Licence d’exploitation OFFRE DE TECHNOLOGIE DESCRIPTION • Compatible avec la technologie CMOS • Bonne uniformisation des procédés et des matériaux utilisés : utilisation d’un seul et même type de matériau pour l’émission, la modulation et la détection • Efficacités de conversion optique → électrique et électrique → optique élevées • Bon compromis entre performances et échauffement du composant • Efficacité de conversion optique → électrique peu dépendantes de la fréquence du signal (+- 3 dB sur 300 nm) Possibilité de multiplexage en longueur d’onde
