SST Serial and Parallel Flash Memory

PLCC-32 TSOP-32
SOIC-8 WSON-8 PDIP-32
This product is RoHS compliant.
Memory
SST
238
Mémoire ash sérielle et parallèle SST
mouser.com/sst
Nº DE STOCK
MOUSER Organisation Fréquence (MHz)
Densité
Temps de
programmation en
octets (uS) (Typ.)
Tension
d’alimentation (V)
Température de
fonctionnement (°C)
Prix unitaire
1 50 100
Boîtier
Pour des quantités de 500 et plus, appelez pour une cotation.
FLASH SERIELLE SERIE 25
La mémoire ash sérielle SPI est une mémoire ash petite à faible puissance qui utilise l’interface sérielle périphérique (SPI) et la compatibilité broche sur broche avec les dispositifs EEPROM SPI standard en industrie. Son petit encombrement réduit le nombre de broches du contrôleur ASIIC et les coûts d’emballage,
économise de l’espace sur la carte et maintient les coûts de système bas. Consommation plus faible que la mémoire ash standard et moins de ls que la mémoire ash parallèle ; la mémoire ash sérielle SPI est une solution de transfert des données idéale et efcace du point de vue des coûts. La technologie CMOS
SuperFlash® de SST amplie la rétention des données et l’endurance, réduit le temps d’effacement et la consommation en faisant la mémoire ash sérielle SST idéale pour les conceptions portables.
Caractéristiques techniques :
• Endurance : 100.000 cycles (typique)
• Rétention des données de plus de 100 ans
• Temps d’effacement de secteur et d’effacement en bloc rapide : 18 ms (typique)
• Temps de programmation en octets : 7 uA (typique)
• Courant de lecture actif : 10 mA (typique)
• Courant d’attente : 8 uA (typique)
Applications :
• DVD HD • Modems DSL et câble
• TV HD • Unité de disque optique
• Bluetooth • Unités de disque dur
• Lecteurs MP3 • BIOS ordinateur
• Imprimantes • Moniteurs LCD
• Zigbee • Radios numériques
• LAN sans l • Boîtiers adapteurs
Nº d’article
SST
Nº DE STOCK
MOUSER Organisation Temps d’accès
(ns)
Densité Temps de récriture
puce (sec) (Typ.)
Température de
fonctionnement (°C)
Prix unitaire
1 50 100
Pour des quantités de 500 et plus, appelez pour une cotation.
MEMOIRE FLASH PARALLELE MTP (MANY-TIME PROGRAMMABLE - PROGRAMMABLE PLUSIEURS FOIS) SERIES 27 ET 37
Tension
d’alimentation (V)
Les séries 27 et 37 de mémoire ash à coût bas programmable plusieurs fois (MTP) fabriquées avec la technologie brevetée de haute performance SuperFlash® de SST. La conception à cellule à double fenêtre et m’injecteur de tunnelisation à oxyde épais atteint une meilleur abilité et
fabricabilité en comparaison avec les approches alternatives. Ces dispositifs MTP peuvent être effaces et programmés électroniquement au moins 1.000 fois en utilisant un programmeur externe avec une source d’alimentation à 12 V. Ils doivent être effaces avant la programmation. Ces dispositifs
sont conformes aux broches de sorties standard JEDEC pour les mémoires à largeur d’octet. Conçues, fabriquées et testées pour un spectre large d’applications, ces dispositifs sont offerts avec une endurance d’au moins 1.000 cycles. La rétention des données et établie à plus de 100 ans. Ils
sont adéquats pour des applications qui nécessitent des écritures non fréquentes et stockage non-volatile à faible puissance. Ces dispositifs amélioreront la exibilité, l’efcience et la performance tout en respectant le coût réduit pour les applications non-volatiles qui utilisent à présent les EPROM
UV les OTP et les ROM masque.
Caractéristiques techniques (série SST27) :
• Lecture à 5,0 V, programmation et effacement à 12,0 V
• Les mêmes attributions d’emballage et de broches qu’EPROM/OTP (à l’exception de SST27SF512
qui suit les attributions des broches de la mémoire ash pour les paquets TSOP à 32 ls)
• Pour utilisation dans les téléphones portables, les lecteurs VCD, les imprimantes et les télécopieurs
ou le code est gé et la programmation en système n’est pas nécessaire
Boîtier
Nº d’article
SST
Composant pour montage en surface
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Caractéristiques techniques (série SST37) :
• Lecture à 2,7-3,6 V, programmation et effacement à 12,0 V
• Les mêmes attributions de paquet et de broches que la mémoire ash standard
• Pour utilisation dans les téléphones portables, les lecteurs VCD, les imprimantes
et les télécopieurs ou le code est gé et la programmation en système n’est pas nécessaire
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Composant pour montage en surface
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Composant pour montage en surface
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804-27SF0107CNHE SST27SF010-70-3C-NHE PLCC-32 1M 128K x 8 70 2.8 4.5 to 5.5 0 to 70 0,87 0,784 0,722
804-27SF0107CPHE SST27SF010-70-3C-PHE PDIP-32 1M 128K x 8 70 2.8 4.5 to 5.5 0 to 70 1,09 0,982 0,908
804-37VF0107CNHE SST37VF010-70-3C-NHE PLCC-32 1M 128K x 8 70 1.2 2.7 to 3.6 0 to 70 0,81 0,737 0,678
804-27SF0207CNHE SST27SF020-70-3C-NHE PLCC-32 2M 256K x 8 70 5.6 4.5 to 5.5 0 to 70 0,90 0,815 0,751
804-27SF0207CPHE SST27SF020-70-3CPHE PDIP-32 2M 256K x 8 70 5.6 4.5 to 5.5 0 to 70 1,16 1,05 0,965
804-37VF0207CNHE SST37VF020-70-3C-NHE PLCC-32 2M 256K x 8 70 2.4 2.7 to 3.6 0 to 70 1,33 1,25 1,06
© Copyright 2011 Mouser Electronics
© Copyright 2011 Mouser Electronics
Nº DE STOCK
MOUSER Organisation Fréquence (MHz)
Densité Temps d’effacement
puce (ms) (Typ.)
Température de
fonctionnement (°C)
Prix unitaire
1 50 100
Pour des quantités de 500 et plus, appelez pour une cotation.
Tension
d’alimentation (V)
Boîtier
Nº d’article
SST
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804-26VF0168IS2AE SST26VF016-80-5I-S2AE SOIC-8 16M 2M x 8 80 35 2.7 to 3.6 -40 to +85 1,47 1,33 1,22
804-26VF0168IQAE SST26VF016-80-5I-QAE WSON-8 16M 2M x 8 80 35 2.7 to 3.6 -40 to +85 1,64 1,49 1,37
804-25VF512A3CQAE SST25VF512A-33-4C-QAE WSON-8 512K 64K x 8 33 14 2.7 to 3.6 0 to 70 0,62 0,564 0,52
804-25VF512A3CSAE SST25VF512A-33-4C-SAE SOIC-8 512K 64K x 8 33 14 2.7 to 3.6 0 to 70 0,45 0,408 0,375
804-25VF010A3CQAE SST25VF010A-33-4C-QAE WSON-8 1M 128K x 8 33 14 2.7 to 3.6 0 to 70 0,67 0,611 0,563
804-25VF010A3CSAE SST25VF010A-33-4C-SAE SOIC-8 1M 128K x 8 33 14 2.7 to 3.6 0 to 70 0,50 0,455 0,418
804-25VF010A3ISAE SST25VF010A-33-4I-SAE SOIC-8 1M 128K x 8 33 14 2.7 to 3.6 -40 to +85 1,09 1,02 0,865
804-25VF0202CSAE SST25VF020-20-4C-SAE SOIC-8 2M 256K x 8 20 14 2.7 to 3.6 0 to 70 0,76 0,69 0,635
804-25VF0202ISAE SST25VF020-20-4I-SAE SOIC-8 2M 256K x 8 20 14 2.7 to 3.6 -40 to +85 0,92 0,825 0,761
804-25LF020A3CSAE SST25LF020A-33-4C-SAE SOIC-8 2M 256K x 8 33 14 3.0 to 3.6 0 to 70 0,69 0,627 0,578
804-25VF040B5CQAF SST25VF040B-50-4C-QAF WSON-8 4M 512K x 8 50 14 2.7 to 3.6 0 to 70 1,00 0,908 0,833
804-25VF040B5IQAF SST25VF040B-50-4I-QAF WSON-8 4M 512K x 8 50 14 2.7 to 3.6 -40 to +85 1,99 1,86 1,57
804-25VF040B5CS2AF SST25VF040B-50-4C-S2AF SOIC-8 4M 512K x 8 50 7 2.7 to 3.6 0 to 70 0,83 0,752 0,693
804-25VF040B5IS2AF SST25VF040B-50-4I-S2AF SOIC-8 4M 512K x 8 50 7 2.7 to 3.6 -40 to +85 1,81 1,69 1,43
804-25VF080B5IS2AF SST25VF080B-50-4I-S2AF SOIC-8 8M 1M x 8 50 7 2.7 to 3.6 -40 to +85 1,49 1,39 1,18
804-25VF080B5CS2AF SST25VF080B-50-4C-S2AF SOIC-8 8M 1M x 8 50 7 2.7 to 3.6 0 to 70 1,06 0,949 0,875
804-25VF080B5CQAF SST25VF080B-50-4C-QAF WSON-8 8M 1M x 8 50 7 2.7 to 3.6 0 to 70 1,23 1,11 1,02
804-25WF0807ISAF SST25WF080-75-4I-SAF SOIC-8 8M 1M x 8 75 14 1.65 to 1.95 -40 to +85 2,10 1,90 1,75
804-25VF016B504CS2AF SST25VF016B-50-4C-S2AF SOIC-8 16M 2M x 8 50 7 2.7 to 3.6 0 to 70 1,17 1,06 0,982
804-25VF016B5IQAF SST25VF016B-50-4I-QAF WSON-8 16M 2M x 8 50 7 2.7 to 3.6 -40 to +85 2,73 2,56 2,20
804-25VF016B504CQAF SST25VF016B-50-4C-QAF WSON-8 16M 2M x 8 50 7 2.7 to 3.6 0 to 70 1,35 1,22 1,12
804-25VF032B8IS2AF SST25VF032B-80-4I-S2AF SOIC-8 32M 4M x 8 80 7 2.7 to 3.6 -40 to +85 2,11 1,91 1,77
804-25VF032B8IQAE SST25VF032B-80-4I-QAE WSON-8 32M 4M x 8 80 7 2.7 to 3.6 -40 to +85 2,29 2,07 1,91
FLASH SERIELLE SERIE 26
La série SST 26 amplie la performance tout en maintenant le facteur de forme compact des dispositifs sériels standard. En utilisant l’interface sérielle quad (SQI) et en fonctionnant à des fréquences de jusqu’à 80 MHz, la série SST 26 est un choix parfait pour les dispositifs portables Bluetooth, les unités
de disque optique et les applications GPS. Les mémoires ash SQI SST 26 sont fabriquées avec la technologie brevetée de haute performance CMOS SuperFlash® de SST en améliorant de manière signicative la performance et la abilité tout en réduisant la consommation. Pour les conceptions de pointe
qui nécessitent une largeur de bande élevée et une maquette compacte, la série SST 26 est une solution idéale.
Caractéristiques techniques :
• Fréquence de l’horloge de haute vitesse : 80 MHz Max.
• Entrées / sorties multiplexeurs 4 bits avec structure de commande sérielle similaire à SPI
• Support de protocole SPI pour Lecture, Lecture à haute vitesse et Lecture ID JEDEC
• Lecture rafale : Rafale de 8, 16, 32, 64 bits avec bouclage
• Saut index : Réduit le nombre d’horloges d’entrée pour un accès plus rapide aux données
• Suspension et reprise de l’écriture : Programmation de la suspension
de l’opération de suspension ou d’effacement
• Blocage d’un bloc individuel : Blocs de 64 KO avec blocs de paramètres de 8x8 KO
• Protection à l’écriture à travers les bits de protection des blocs en registre d’état
• ID sécurisé unique de 256 bits programmable une seule fois (OTP)
Applications :
• Micro-casques Bluetooth
• Unité de disque optique
• GPS
• Dispositifs média portables
• Enregistreur vidéo numérique
• Blu-Ray
• Unités de disque dur
NTL
1 50 100
Pour des quantités de 500 et plus, appelez pour une cotation.
MEMOIRE FLASH PARALLELE SSF (SMALL-SECTOR FLASH - FLASH A FACTEUR PETIT) SERIE 29
Les dispositifs SSF (facteur de forme petit) de la sérié 29 sont adéquats pour les applications qui nécessitent une mise à jour convenable et économique de la mémoire de programmation, de conguration ou de données. Pour toutes les applications de système, ils améliorent
signicativement la performance et la abilité tout en réduisant la consommation. Ils utilisent intrinsèquement moins d’énergie pendant l’effacement et la programmation que les technologies ash alternatives. L’énergie totale consommée dépend de la tension appliquée, du courant
et du temps de l’application. Vu que pour toute plage de tension donnée la technologie SuperFlash utilise moins de courant pour programmer et elle a un temps d’effacement plus court, l’énergie total consommée pendant toute opération d’effacement ou de programmation est
inférieure à celle des technologies ash alternatives. Ils améliorent aussi la exibilité tout en abaissant les coûts des applications de programmations, de données et de stockage des congurations.
Caractéristiques techniques (série SST29EE) :
• Effacement de secteur à 128 octets
• Opérations d’effacement secteur par secteur
804-29EE5127CNHE SST29EE512-70-4C-NHE PLCC-32 512K 64K x 8 70 2.5 4.5 to 5.5 0 to 70 1,14 1,03 0,949
804-29EE5127CEHE SST29EE512-70-4C-EHE TSOP-32 512K 64K x 8 70 2.5 4.5 to 5.5 0 to 70 1,31 1,19 1,10
804-29EE5127INHE SST29EE512-70-4I-NHE PLCC-32 512K 64K x 8 70 2.5 4.5 to 5.5 -40 to +85 1,36 1,24 1,14
804-29EE0107CNHE SST29EE010-70-4C-NHE PLCC-32 1M 128K x 8 70 5.0 4.5 to 5.5 0 to 70 1,50 1,36 1,25
804-29EE0107CWHE SST29EE010-70-4C-WHE TSOP-32 1M 128K x 8 70 5.0 4.5 to 5.5 0 to 70 1,56 1,41 1,30
804-29EE0107CEHE SST29EE010-70-4C-EHE TSOP-32 1M 128K x 8 70 5.0 4.5 to 5.5 0 to 70 1,68 1,52 1,39
804-29EE0107CPHE SST29EE010-70-4C-PHE PDIP-32 1M 128K x 8 70 5.0 4.5 to 5.5 0 to 70 1,68 1,52 1,39
804-29SF0205CNHE SST29SF020-55-4C-NHE PLCC-32 2M 256K x 8 55 4.0 4.5 to 5.5 0 to 70 1,99 1,86 1,57
Caractéristiques techniques (série SST29SF/VF) :
• Dimension de page 128 octets
• Opérations d ’écriture page par page
• Opérations de programmation octet par octet • L’opération d’écriture de page inclut une transparent
d’effacement d’interne au système externe
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Composant pour montage en surface
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Nº DE STOCK
MOUSER Organisation Temps d’accès
(ns)
Densité Temps de récriture
puce (sec) (Typ.)
Température de
fonctionnement (°C)
Prix unitaire
Tension
d’alimentation (V)
Boîtier
Nº d’article
SST
NOUVELLE
TECHNOLOGIE
[e-mail]
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