GREENLIANT Parallel Flash Memory

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Mémoire Greenliant

Mémoire ash parallèle GREENLIANT

mouser.com/greenliant

MÉMOIRE FLASH PARALLÈLE MTP (MANY-TIME PROGRAMMABLE - PROGRAMMABLE PLUSIEURS FOIS) SÉRIES 27 ET 37

MÉMOIRE FLASH PARALLÈLE SSF (SMALL-SECTOR FLASH - FLASH DE PETIT SECTEUR) SÉRIE 29

MÉMOIRE FLASH PARALLÈLE CSF (CONCURRENT SUPER FLASH – SUPER FLASH CONCURRENTE) SÉRIE 36

Caractéristiques :

• Architecture à deux banques pour les opérations de lecture/écriture simultanées

• Tension de fonctionnement : 2,7-3,6 V pour les opérations de lecture et écriture

• Protection matérielle du secteur supérieur ou inférieur

• Capacité d’effacement exible

• ID sécurité programmable implicitement ou par l’utilisateur

• Suspension de l'effacement/Reprise de l'effacement

• Bus de données x8 / x16 sélectionnable par l’utilisateur à travers une broche BYTE#

• Protection en écriture du matériel à travers la broche WP#

PLCC-32 PDIP-32 TSOP-32 TSOP-48

Pour des quantités supérieures à celles indiquées, appelez-nous an d'obtenir un devis.

RÉF. STOCK MOUSER Réf.

Greenliant Boîtier Densité Organisation Temps

d’accès (ns)

Temps de réécriture

sur puce (s)(Typ.)

Tension

d'alimentation (V)

Température de

fonctionnement

(ºC)

Prix unitaire

1 50 100

♦804-GLS27SF010-70NHE GLS27SF010-70-3C-NHE PLCC-32 1Mo 128Ko x 8 70 2,8 4,5 à 5,5 de 0 à 70 1,18 1,07 0,974

804-GLS27SF010-70PHE GLS27SF010-70-3C-PHE PDIP-32 1Mo 128Ko x 8 70 2,8 4,5 à 5,5 de 0 à 70 1,69 1,53 1,40

♦804-GLS37VF010-70NHE GLS37VF010-70-3C-NHE PLCC-32 1Mo 128Ko x 8 70 1,2 de 2,7 à 3,6 de 0 à 70 0,81 0,734 0,677

♦804-GLS27SF020-70NHE GLS27SF020-70-3C-NHE PLCC-32 2Mo 256Ko x 8 70 5,6 4,5 à 5,5 de 0 à 70 1,19 1,08 0,99

804-GLS27SF020-70PHE GLS27SF020-70-3CPHE PDIP-32 2Mo 256Ko x 8 70 5,6 4,5 à 5,5 de 0 à 70 1,69 1,53 1,40

♦804-GLS37VF020-70NHE GLS37VF020-70-3C-NHE PLCC-32 2Mo 256Ko x 8 70 2,4 de 2,7 à 3,6 de 0 à 70 0,75 0,726 0,693

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Greenliant Boîtier Densité Organisation Temps

d’accès (ns)

Temps de réécriture

sur puce (s)(Typ.)

Tension

d'alimentation (V)

Température de

fonctionnement

(ºC)

Prix unitaire

1 50 100

♦804-GLS29EE512-70NHE GLS29EE512-70-4C-NHE PLCC-32 512Ko 64Ko x 8 70 2,5 4,5 à 5,5 de 0 à 70 1,71 1,54 1,42

♦804-GLS29EE512-70EHE GLS29EE512-70-4C-EHE TSOP-32 512Ko 64Ko x 8 70 2,5 4,5 à 5,5 de 0 à 70 1,88 1,70 1,57

♦804-GLS29EE5124I-NHE GLS29EE512-70-4I-NHE PLCC-32 512Ko 64Ko x 8 70 2,5 4,5 à 5,5 de -40 à +85 2,81 2,54 2,33

♦804-GLS29EE010-70NHE GLS29EE010-70-4C-NHE PLCC-32 1Mo 128Ko x 8 70 5 4,5 à 5,5 de 0 à 70 2,00 1,82 1,67

♦804-GLS29EE010-70WHE GLS29EE010-70-4C-WHE TSOP-32 1Mo 128Ko x 8 70 5 4,5 à 5,5 de 0 à 70 2,10 1,89 1,74

♦804-GLS29EE010-70EHE GLS29EE010-70-4C-EHE TSOP-32 1Mo 128Ko x 8 70 5 4,5 à 5,5 de 0 à 70 2,17 1,97 1,81

804-GLS29EE010-70PHE GLS29EE010-70-4C-PHE PDIP-32 1Mo 128Ko x 8 70 5 4,5 à 5,5 de 0 à 70 2,30 2,08 1,91

♦804-GLS29SF020-55NHE GLS29SF020-55-4C-NHE PLCC-32 2Mo 256Kbx8 55 4 4,5 à 5,5 de 0 à 70 1,55 1,39 1,29

♦804-GLS29VF020-70NHE GLS29VF020-70-4C-NHE PLCC-32 2Mo 256Ko x 8 70 4 de 2,7 à 3,6 de 0 à 70 1,28 1,16 1,06

♦804-GLS29VF0204C-WHE GLS29VF020-70-4C-WHE TSOP-32 2Mo 256Ko x 8 70 4 de 2,7 à 3,6 de 0 à 70 1,65 1,50 1,38

♦804-GLS29SF0404C-NHE GLS29SF040-55-4C-NHE PLCC-32 4 Mo 512Ko x 8 55 8 4,5 à 5,5 de 0 à 70 1,59 1,44 1,33

♦804-GLS29VF0404C-NHE GLS29VF040-70-4C-NHE PLCC-32 4 Mo 512Ko x 8 70 8 de 2,7 à 3,6 de 0 à 70 1,58 1,42 1,31

♦804-GLS29VF0404C-WHE GLS29VF040-70-4C-WHE TSOP-32 4M 512Ko x 8 70 8 de 2,7 à 3,6 de 0 à 70 1,66 1,49 1,38

Pour des quantités supérieures à celles indiquées, appelez-nous an d'obtenir un devis.

RÉF. STOCK MOUSER Réf.

Greenliant Boîtier Densité Organisation Temps

d’accès (ns)

Temps de

réécriture sur

puce (s)(Typ.)

Tension

d'alimentation

(V)

Température

fonctionnement

(ºC)

Prix unitaire

1 50 100

♦804-GLS36VF1601G-EKE GLS36VF1601G-70-4I-EKE TSOP-48 16Mo 1Mox16 ou 2Mox8 70 7 de 2,7 à 3,6 de -40 à +85 2,66 2,42 2,23

♦804-GLS36VF3204E-EKE GLS36VF3203-70-4E-EKE TSOP-48 32Mo 2Mox16 ou 4Mox8 70 7 de 2,7 à 3,6 -20 à +85 3,72 3,37 3,10

♦804-GLS36VF32044EEKE GLS36VF3204-70-4E-EKE TSOP-48 32Mo 2Mox16 ou 4Mox8 70 7 de 2,7 à 3,6 -20 à +85 3,72 3,37 3,10

Séries 27 et 37 de mémoire ash à faible coût et programmable plusieurs fois (MTP), basées sur la technologie SuperFlash® de SST. La conception à cellule à double fenêtre et à injecteur tunnel à oxyde épais atteint une meilleure

abilité et capacité de fabrication par comparaison avec les approches alternatives. Ces composants MTP peuvent être effacés et programmés électriquement au moins 1 000 fois en utilisant un programmateur externe avec une

alimentation 12 V. Ils doivent être effacés avant la programmation. Ces composants sont conformes aux broches de sorties standard JEDEC pour les mémoires à largeur d'octet. Conçus, fabriqués et testés pour une large gamme

d’applications, ces composants sont offerts avec une endurance d'au moins 1 000 cycles. La rétention des données est établie à plus de 100 ans. Ils sont adaptés aux des applications qui nécessitent des écritures non fréquentes

et un stockage non-volatil à faible puissance. Ces composants amélioreront la exibilité, l’efcacité et la performance tout en respectant un coût réduit pour les applications non-volatiles qui utilisent actuellement les EPROM UV, les

OTP et les ROM à masque.

Les dispositifs SSF (ash à petits secteurs) de la série 29 sont adaptés aux applications qui nécessitent une mise à jour pratique et économique de la mémoire de programmation, de conguration ou de données. Pour toutes les

applications système, ils améliorent considérablement la performance et la abilité tout en réduisant la consommation. Ils utilisent intrinsèquement moins d’énergie pendant l’effacement et la programmation que les technologies

ash alternatives. L’énergie totale consommée dépend de la tension appliquée, du courant et de la durée de l’application. Étant donné que pour toute plage de tension donnée la technologie SuperFlash utilise moins de courant

pour programmer et qu'elle a un temps d’effacement plus court, l’énergie totale consommée pendant toute opération d'effacement ou de programmation est inférieure à celle des autres technologies ash. Ils améliorent aussi la

exibilité tout en réduisant les coûts des applications de programmations, de données et de stockage des congurations.

La série 36 CSF (Super ash concurrente) est un dispositif de mémoire ash à double banque conçu pour les applications de communications et consommateur sans l. L’architecture à double banque

prend en charge les opérations de lecture/d'écriture concurrentes pendant lesquelles l’utilisateur peut lire à partir d’une banque tout en programmant ou en effaçant l'autre banque.

Montage en surface

♦

Caractéristiques techniques (série GLS27) :

• Lecture à 5 V, programmation et effacement à 12 V

• Mêmes attributions de paquet et de broches que la mémoire EPROM/OTP

• Pour une utilisation dans les téléphones portables, les lecteurs VCD, les imprimantes et les télécopieurs

où le code est gé et la programmation en système pas nécessaire

Caractéristiques techniques (série GLS37) :

• Lecture à 2,7-3,6 V, programmation et effacement à 12 V

• Mêmes attributions de paquet et de broches que la mémoire ash standard

• Pour une utilisation dans les téléphones portables, les lecteurs VCD, les imprimantes et les télécopieurs

où le code est gé et la programmation en système pas nécessaire