Structure OP-VECSEL à 8 puits (répartis 4-2-2) Structure précédentes : 32359, 32631, 32362 et 32363. Voir page suivante. Il faut reprendre ce type de structure avec les modifications/verifications suivantes : 1°) l’émission laser a été obtenue vers 1565 nm sur les structures ci-dessus ; il faut descendre vers 1550nm pour Thalès. Il faudrait donc descendre la PL de ~ -15 nm. 2°) Revoir si la composition des puits/barrières est toujours Ok pour Jean. On avait en principe optimisé la hauteur de barrière pour avoir un fort T0 .. Structure dite « à hauteur de barrière moyenne » en 2006. 3°) Si nécessaire, revoir avec BCBV la structure de bande pour la zone SCH : les porteurs photo-générés sous pompage optique dans les SCH doivent pouvoir diffuser dans les puits barrières (mais ne pas s’échapper dans l’InP de surface). Pour ces raison on avait fixé le gap des zones SCH en InGaAlAs vers 1.06eV – 1.13 eV ( soit ~1.0 eV). 4°) On avait supposé que l’absorption du quaternaire des zones SCH à la longueur d‘onde de pompe (1.26 eV) était était alpha = 3 10^4 cm-1 (sans le mesurer). 5°) un point important pour augmenter la puissance de sortie, est que le max de champ soit exactement sur les puits quantiques. Cela nécessite de parfaitement bien contrôler i) la longueur d’onde laser finale (1550nm) ii) l’épaisseur d’InP couche superieure (/2) et des 3 couches /2 de InGaAlAs. 6°) l’épaisseur de la couche InP 2.25* sera peut etre réduite à 1.75* 7°) Structures visées : - Une structure 8 MQWs (4-2-2) avec PL decalée de -15 nm (*2 dans un run ?) - Une structure 12 ou 15 MQWs avec PL decalée de -15 nm (*2 dans un run ?) - Option : Comme le positionnement des puitys est critique, peut-etre refaire un run mais avec une couche d’InP supérieure à gradient d’épaisseur ?. Structure OP-VECSEL à 8 puits (répartis 4-2-2) (barrière de hauteur moyenne) Lambda PL 1520-1530 nm (Lambda laser visé : 1550 nm – mesuré 1565 nm) Longueur d'onde de calcul pour les épaisseurs = 1550nm Longueur d’onde du laser de pompe (absorbé par la SCH : 980nm – 1.26 eV) Epaisseur optique = n*e/lambda Type Composition Epaisseur (nm) Nb Indice (1,55µm ) Epaisseur 1 3.170 /2 Dopage optique /2 InP SCH4 GaInAlAs 1.10eV 94.2 1 3.39 0.206 - Al0.275Ga0.282In0.44 3As 7.85 1 3.343 0.0879 +1.04% Al0.094Ga0.226In0.68 0As 7.97 2 3.61 Nid - Al0.275Ga0.282In0.44 3As 7.85 2 3.343 Nid 1 3.39 Barrier 0.58% Well Barrier 0.58% SCH3 Barrier 0.58% Well Barrier 0.58% SCH2 244.4 GaInAlAs 1.10eV 188.4 = Nid /2 Nid 0.204 94.2 + 94.2 0.204 Nid Nid /2 0.0879 - Al0.275Ga0.282In0.44 3As 7.85 1 3.343 +1.04% Al0.094Ga0.226In0.68 0As 7.97 2 3.61 Nid - Al0.275Ga0.282In0.44 3As 7.85 2 3.343 Nid 1 3.39 GaInAlAs 1.10eV 172.2 = Nid 0.206 Nid 94.2 + 0.1705 78.0 Barrier 0.58% Well Barrier 0.58% SCH1 0.1589 /2 - Al0.275Ga0.282In0.44 3As 7.85 1 3.343 +1.04% Al0.094Ga0.226In0.68 0As 7.97 4 3.61 Nid - Al0.275Ga0.282In0.44 3As 7.85 4 3.343 Nid GaInAlAs 1.10eV 78.0 1 3.39 0.1705 Nid Nid 2.25 InP 1100 1 3.170 2.25+30n m Nid Sécurité InP 30nm 1 3.170 =0.0613 Nid Etch-stop InGaAsP 1.42µm 309.8 1 3.446 /4 “-" Nid Buffer InP 1 3.170 Nid Substrate InP 3.170 -- A discrétion InP:i InP substrat InP buffer 2.25 + 30nm InGaAs ou InGaAsP sacrificielle /2 "Zone active 3" "Zone active 1" Épaiss. Optique totale = /2 InP:i GaAs /4 nH Bragg AlGaAs /4 nL /2 MQW /2 /2 "Zone active 2" Zone dont il faut bien controler l’épaisseur MOVPE Sens de l'épitaxie cavité = 4. Type résonant (Champ EM "en haut") après retrait de l'InGaAs sacrificiel et au 30nm InP additionnels près