TGEM 2007-2008
exos révisions.
FLEURIAULT Page 4 sur 4 840908678 2007/2008
dipôle inductif pur
Le dipôle, d’inductance L=0,1H est parcouru par un courant
d’intensité i(t) sinusoïdale :
( f = 50Hz ; I = 20mA )
a) Ecrire la relation entre les valeurs instantanées u et i et l’inductance L (on se rappellera la loi de
Faraday).
b) Donner l’impédance Z du dipôle et calculer Z .
c) En déduire l’expression de u(t) et le diagramme de Fresnel du dipôle en prenant i(t) comme référence.
dipôle capacitif pur
Le dipôle, de capacité C=100nF est parcouru par un courant d’intensité
i(t) sinusoïdale :
( f = 50Hz ; I = 20mA )
a) Ecrire la relation entre les valeurs instantanées u et i et la capacité C.
b) Donner l’impédance Z du dipôle et calculer Z .
c) En déduire l’expression de u(t) et le diagramme de Fresnel du dipôle en prenant i(t) comme référence.
exercice de révision sur le régime sinusoïdal.
On considère le circuit suivant :
i(t)
iR(t) iC(t) iL(t)
e(t) R C L R = 1 k
C = 220 nF
L = 0,4 H
Le circuit est alimenté par la tension sinusoïdale e(t) de fréquence f = 4 kHz et de valeur efficace E = 5 V.
a) Calculer les impédances de R (notée ZR), puis ZL et ZC.
b) En déduire les valeurs efficaces IR, IL et IC.
c) Donner le déphasage entre iR(t) et e(t) (noté R)
Donner de même L et C.
d) En prenant le vecteur
comme référence, tracer les vecteurs de Fresnel correspondant à iR(t), iL(t) et
iC(t).
e) Ecrire la relation entre les vecteurs de Fresnel correspondant à i(t), iR(t), iL(t) et iC(t). Faire la
construction graphique correspondante.
f) En déduire le vecteur de Fresnel associé à i(t) et donner :
sa valeur efficace.
son déphasage par rapport à e(t).