Dans ce contexte, ROHM a réussi à mettre au point un module de puissance SiC
ayant recours à la technologie MOFSET SiC de 2ème génération qui limite la
dégradation de la conduction de la diode intrinsèque, éliminant le recours à une
diode de redressement. L’emplacement ainsi gagné est mis à profit pour
améliorer les capacités à gérer un courant plus important, tout en maintenant les
mêmes dimensions compactes.
Par ailleurs, en améliorant les processus de fabrication et les structures des
composants liés aux défauts cristallins, ROHM a réussi à surmonter tous les
problèmes liés à la fiabilité, notamment en ce qui concerne la diode intrinsèque.
Le résultat ? Une réduction de 50 % des pertes par rapport aux Si IGBT
traditionnels utilisés sur les onduleurs génériques. Cette diminution des pertes,
ainsi qu'une fréquence de fonctionnement supérieure à 50 kHz, garantit la
compatibilité avec des composants périphériques plus petits pour une
miniaturisation optimisée du produit fini.
Principales caractéristiques
1. Caractéristiques de commutation maintenues à l'aide d'une structure
MOS simple pour minimiser les pertes de commutation sans courant
de queue
Les caractéristiques de commutation sont maintenues même sans diode à
barrière de Schottky. Contrairement aux
Si IGBT, aucun courant de queue n'est
généré, ce qui réduit les pertes de plus
de 50 % pour une augmentation des
économies d'énergie. Par ailleurs, les
fréquences de commutation supérieures
à 50 kHz sont atteignables (impossible
avec les Si IGBT), ce qui contribue à des
composants périphériques plus petits et plus légers.
2. Possibilité de conduction inverse pour un redressement synchrone à
haute efficacité
Les composants Si IGBT génériques ne
prennent pas en charge la conduction en
sens inverse. En revanche, la diode
intrinsèque du MOFSET SiC de ROHM
conduit toujours en inverse. Par ailleurs,
en fonction du signal d'entrée de grille, le
MOSFET peut fonctionner dans n'importe quel sens pour une résistance à