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1. Puissance dissipée dans un semi-conducteur
Pour un régulateur: P = (Ve Vs) *Is
Pour un transistor: P = Vce * Ic (en négligeant Ib par rapport à Ic)
Pour une diode: P = Vd * Id (Vd tension directe, Id courant direct)
La puissance dissipée par un semi-conducteur est type calorifique, le semi-conducteur chauffe.
2. Température dune jonction dun semi-conducteur
La plus forte dissipation de puissance se fait sur la jonction base-collecteur c’est pourquoi le
collecteur est directement soudé sur le boitier .
La température de la jonction est limitée:
pour le silicium à 175°C maximum
pour le germanium à 95°C maximum
Une température d’équilibre de la jonction s ’effectue en fonctionnement permanent. Cette
température d’équilibre est fonction:
de la puissance dissipée
de la température ambiante
de l’aptitude du boitier à évacuer la chaleur
3. Evacuation de la chaleur
3.1. Principe
L’évacuation de la chaleur peut se faire par convection et par rayonnement .
3.2. Mise en oeuvre
3.2.1.Boîtier seul:
Le boitier constitue le radiateur (dissipateur). La puissance que peut dissiper le semi-conducteur
est limitée ( P 2 W ).
3.2.2.Boîtier plus un radiateur thermique:
Le radiateur est une extension du boîtier, sa forme à ailettes augmente la surface d’évacuation
par convection .
L’emplacement des radiateurs dans le coffret contenant l’électronique est aussi déterminante
pour une meilleure évacuation de cette énergie calorifique.
Les matériaux bons conducteur de chaleur sont le cuivre et l’aluminium .
Term STI Elect
Date:…………
Fonction alimentation
Contrôle de l’énergie dissipée
Nom : ………………………
Vbe
Vcb
Vce
Vce = Vcb + Vbe
Pd = Vce Ic = (Vcb + Vbe)*Ic or Vbe  Vcb
Pd Vcb * Ic
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4. Résistance thermique
Il existe une proportionnalité entre la puissance dissipée et l’écart de température entre la jonction et
l’air ambiant.
tj - ta = K * Pd ( tj -ta = écartde température entre la jonction j et l’air ambiant a )
K est une constante représentant l’aptitude de l’ensemble boîtier plus radiateur à évacuer la chaleur.
Elle est appelée résistance thermique Rth .
Rth = ( tj ta ) / Pd
Les résistances thermiques se composent comme les résistances électriques. La résistance thermique
totale est égal à la somme des résistances thermiques.
Pd
tatj
Pdtatb
Pd
tbtj
Pd
Rthjb
tj
tb
tj - tb
Rthba
ta
tb - ta
tj - ta
Comme avec des potentiels, on peut appliquer la loi
des mailles:
........................................................ = 0
tj - ta (°C): différence de température
Pd (W): puissance dissipée
Rth (°C/W): résistance thermique
Pd
Rth
tj
ta
tj - ta
ANALOGIE
A
Va - Vb (V) : différence de potentiel
I(A): intensité
R (): résistance électrique
I
R
Va
Vb
Va - Vb
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5. Circuit thermique dun transistor de puissance
5.1. Transistor monté sans refroidisseur
5.1.1.Application:
Calculer la puissance maximale que peut dissiper le transistor 2N6099 si la température de sa
jonction est portée à sa valeur maximale de 150°C.
Rth = ( tj ta ) / Pd
Pd = (tj ta ) / Rth = (150 25) / 83 = 1,5 W
5.2. Transistor monté avec radiateur thermique
On distingue trois résistances thermiques:
Résistance jonction-boîtier (Rthjb): cette résistance thermique est toujours donnée par les
constructeurs pour une température de 25°C ambiante.
Exemple du 2N6099: Rthjb = 1,67°C/W
Résistance thermique boîtier-radiateur (Rthbr): cette résistance est une résistance thermique
de contact entre le boitier et le radiateur . Elle dépend du serrage du composant sur le radiateur
et de la capacité de l’isolant ou pâte de contact à transmettre la chaleur.
Serrage
boîtier/radiateur
normal
avec pâte
avec mica
avec mica
+ pâte
Boitier TO3
Rthbr (°C/W)
0,6
0,1
1
0,5
Boitier TO220
Rthbr (°C/W)
1,4
0,3
2,2
0,8
Résistance thermique radiateur-ambiance (Rthra): cette résistance est la sistance
thermique du radiateur, elle dépend de la forme , des dimensions et de la matière du radiateur.
Des abaques permettent de définir suivant la résistance thermique voulue, la longueur de profilé
nécessaire à la dissipation de l’énergie.
boîtier (tb)
jonction (tj)
mica
(isolation électrique)
radiateur
air (ta)
Pd
Rth
tj
ta
tj - ta
Le constructeur donne parfois la résistance Rthja (jonction-
ambiance) du composant à la température ambiante de 25°C.
Exemple du 2N6099 (boîtier TO-220) Rthja = 83°C/W
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