Lycée CHAMPOLLION FIGEAC 769778905 Page 1
1. Puissance dissipée dans un semi-conducteur
Pour un régulateur: P = (Ve – Vs) *Is
Pour un transistor: P = Vce * Ic (en négligeant Ib par rapport à Ic)
Pour une diode: P = Vd * Id (Vd tension directe, Id courant direct)
La puissance dissipée par un semi-conducteur est type calorifique, le semi-conducteur chauffe.
2. Température d’une jonction d’un semi-conducteur
La plus forte dissipation de puissance se fait sur la jonction base-collecteur c’est pourquoi le
collecteur est directement soudé sur le boitier .
La température de la jonction est limitée:
pour le silicium à 175°C maximum
pour le germanium à 95°C maximum
Une température d’équilibre de la jonction s ’effectue en fonctionnement permanent. Cette
température d’équilibre est fonction:
de la puissance dissipée
de la température ambiante
de l’aptitude du boitier à évacuer la chaleur
3. Evacuation de la chaleur
3.1. Principe
L’évacuation de la chaleur peut se faire par convection et par rayonnement .
3.2. Mise en oeuvre
3.2.1.Boîtier seul:
Le boitier constitue le radiateur (dissipateur). La puissance que peut dissiper le semi-conducteur
est limitée ( P 2 W ).
3.2.2.Boîtier plus un radiateur thermique:
Le radiateur est une extension du boîtier, sa forme à ailettes augmente la surface d’évacuation
par convection .
L’emplacement des radiateurs dans le coffret contenant l’électronique est aussi déterminante
pour une meilleure évacuation de cette énergie calorifique.
Les matériaux bons conducteur de chaleur sont le cuivre et l’aluminium .
Fonction alimentation
Contrôle de l’énergie dissipée
Vce = Vcb + Vbe
Pd = Vce Ic = (Vcb + Vbe)*Ic or Vbe Vcb
Pd Vcb * Ic