Convertisseur (1)

 Un convertisseur statique d’énergie est à l’intersection de deux flux :
Données et puissance.
 Energie et informations.
Matière et énergie.
Entrées et sortie.
 Dans un système technique, le convertisseur statique réalise la fonction
Distribuer.
 Un convertisseur statique d’énergie est composé d’éléments :
 Réactifs.
Résistifs.
 Inductifs, couplés ou non.
 Interrupteurs statiques.
 Parmi les composants utilisables en électronique de puissance, les interrupteurs sont utilisés pour
leurs propriétés spécifiques :
Ils ne consomment que de la puissance réactive.
 Quand le courant et nul, la tension peut exister, mais la puissance consommée est nulle.
Iles sont sans influence sur le montage.
 Quand la tension est nulle, le courant peut exister, mes la puissance consommée est nulle.
 Les composants réalisant la fonction interrupteur peuvent être :
A changement d’état incertain.
 A changement d’état spontané.
Verrouillables.
 A changement d’état commandé.
 La caractéristique tension-courant d’un interrupteur peut être située dans quel(s) quadrant(s) :

 Quadrant 1.
Quadrant 2.
 Quadrant 3.
Quadrant 4.
 Le symbole ci-dessus correspond à :
 Une diode.
La cathode est en haut.
 L’anode est en haut.
 Pour une diode passante :
 On dit qu’elle est ON.
Le courant est limité par le composant lui-même.
 La tension est de l’ordre du volt.
Le composant est équivalent à un interrupteur ouvert.
 Quand une diode est bloquée :
 Elle est dite « OFF ».
La tension à ses bornes est sans importance.
 Le courant est très faible.
 Le choix d’une diode est conditionné par :
 Le courant permanent dans la diode.
La tension à l’état passant.
La température de l’enceinte de l’équipement où elle est installée.
 La tension inverse maximale.
 Le courant instantané maximal.

 Les pertes dans les composants de puissances ont pour origine :
 Le courant et la tension attachés au composant fonctionnant en conduction.
La température du composant.
 Les durées des phases de changement d’état On-OFF ou inversement.
 La fréquence de répétition des commutations.
La taille du composant.
 La puissance dissipée en conductions dans une diode provient :
 Du courant et/ou de la tension contrôlé par la diode.
Du mode de fixation de composant sur son support.
 Des défauts résistifs du composant.
De la température de la jonction.
 Des chutes de tension indépendantes du courant en conduction.
 La puissance dissipée dans une diode réelle, ou dans tout composant commandable réel, doit être
évacuée :
A l’aide d’un bain réfrigérant.
 Par un élément de dissipation assurant une bonne conduction thermique.
En assurant de faibles volumes de composants.
 En assurant une meilleure convection thermique.
 Quels sont les facteurs qui favorisent la dissipation thermique d’un composant de puissance ?
De grandes résistances thermiques entre les différents organes constituant la chaîne
thermique.
 De faibles résistances thermiques entre les différents organes de constituant la chaîne
thermique.
 La ventilation de l’enceinte qui accueille l’équipement.
L’enserrement des équipements en minimisant les espaces entre les composants.
 La circulation de fluides caloporteurs dans les organes soumis à de fortes températures.

 Saisissez le numéro du composant correspondant à un transistor à effet de champ dans le figure ci-
dessous.
4
 Pour le composant dont le symbole est indiqué, donner le nom de la broche 1.
Grille
 Pour le composant dont le symbole est indiqué, donner le nom de la broche 2.
Drain
 Pour le composant dont le symbole est indiqué, donner le nom de la broche 3.
Source

 Pour le composant dont le symbole est indiqué, donner le nom de la broche 1.
Grille.
 Pour le composant dont le symbole est indiqué, donner le nom de la broche 2.
Collecteur.
 Pour le composant dont le symbole est indiqué, donner le nom de la broche 3.
Emetteur.
 Un transistor IGBT est basé sur :
 Un transistor MOS au niveau de la commande.
Un transistor MOS au niveau du courant principal contrôlé.
Un transistor bipolaire au niveau de la commande.
 Un transistor bipolaire au niveau du courant principal contrôlé.