! Version βêta2 Design Radio Fréquence 3A Microélectronique VDD RL RL vIF Mi1 Mi2 Mi3 I0 + iRF 2 Mt1 I0 − iRF 2 Mt2 vLO vRF I0 Design RF – J.M. Dutertre – 2007 Mi4 Design RF www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 3A Micro 2 Design RF 3A Micro Design Radio Fréquence. I. Introduction. Les systèmes Radio Fréquence (RF) sont d’une grande complexité. Cette complexité est liée en partie au grand nombre de transistors contenus dans ces circuits (jusqu’à plusieurs millions) mais également à l’ensemble des concepts techniques mis en œuvre. L’architecture "classique" d’un système RF (cf. figure I.1) peut se décomposer sommairement entre une partie RF et une partie bande de base (Base Band ou BB en anglo-américain1). Antenne Partie RF Partie Bande de Base Fig. I.1 – Traitement analogique. La partie RF (ou Front End RF) traite des signaux analogiques (et ce même si la modulation utilisée est dite numérique) à des fréquences élevées, leur spectre n’est pas centré sur zéro ; par opposition avec la bande de base qui traite des signaux BF (basse fréquence) ayant un spectre centré sur, ou proche de, l’origine. La bande de fréquence RF s’étend de quelques centaines de kHz à quelques GHz. Si la partie bande de base est la plus complexe en terme de nombre de transistors, c’est cependant la partie RF la plus difficile à concevoir. Cette dernière fait en effet appel à des domaines d’études multidisciplinaires (théorie du signal, approche système, design, technologie de fabrication, etc.) ; les choix de design résultent le plus souvent de compromis entre des contraintes plus ou moins antagonistes (bruit, puissance, consommation, gain, linéarité, etc.) pour lesquels il n’existe pas de critères de choix totalement objectifs. Enfin, les outils de CAO sont peu faciles à utiliser et pas toujours bien adaptés. Ils doivent prendre en compte les problèmes de non linéarités, de translation de fréquence, de variation des modèles dans le temps, etc. Ainsi, l’analyse fréquentielle classique de type AC proposée par Spice, qui utilise des modèles linéarisés autour d’un point de polarisation et invariants dans le temps, n’est elle pas adaptée à l’étude des systèmes RF. Des outils spécifiques de simulation RF ont été développés tels que Spectre RF pour Cadence et Harmonic Balance pour Agilent – ADS. 1 Les termes techniques de ce cours sont le plus souvent donnés en langue anglaise, selon la terminologie rencontrée dans les notes techniques, et les publications et la littérature scientifiques. www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 3 Design RF 3A Micro Choix du format de transmission : analogique / numérique ? Architecture analogique (approche historique) : un émetteur – récepteur RF comporte un émetteur (ou transmitter) aussi appelé chaîne Tx (cf. figure I.2). Très schématiquement, le signal issu d’un micro est modulé et translaté à la fréquence d’une porteuse RF, puis amplifié avant d’attaquer l’antenne. Modulation PA Micro. Ampli. de puissance PA : Power Amplifier porteuse RF (100aine Hz 2,5 GHz) Fig. I.2 – Emetteur RF analogique. Il comporte également un récepteur (ou receiver) parfois appelé chaîne Rx (cf. figure I.3). downconverter LNA Démodulation translation vers les fréquences basses Ampli. faible bruit LNA : Low Noise Amplifier ampli. audio H. P. porteuse Fig. I.3 – Récepteur RF analogique. Le signal RF capté par l’antenne est amplifié par un amplificateur faible bruit, translaté vers la bande de base par le "downconverter", puis démodulé et amplifié avant d’attaquer un haut parleur. La contraction de "transmitter"et de "receiver" donne le terme "transceiver" utilisé pour désigner un émetteur – récepteur. L’architecture des transceiver analogiques comporte peu de composants, ils sont "relativement simples" à concevoir. Architecture numérique : CAN Compression Codage Entrelacement upconverter CNA translation vers la fréquence RF Numérisation de la voix Partie numérique porteuse RF Fig I.4 – Emetteur RF numérique. www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 4 PA Design RF 3A Micro Un transceiver RF numérique transmet un signal RF analogique modulé numériquement. Il est contitué d’une partie émettrice (cf. Fig. I.4) et d’une partie réceptrice (cf. Fig. I.5). Elles comportent toutes deux une partie numérique importante. LNA downconverter Démodulation CAN Décodage porteuse ampli. audio CNA Décompression H. P. Partie numérique Fig. I.5 – Récepteur RF numérique. A première vue l’architecture d’un transceiver RF numérique semble bien plus complexe, c’est effectivement le cas. Cependant les techniques de traitement numérique du signal misent en œuvre (codage, entrelacement, compression, etc.) permettent de minimiser les erreurs de transmission (elles sont mesurées par le BER ou Bit Error Rate, c'est-à-dire le taux d’erreur binaire) et de réduire la bande passante de la transmission en réduisant le débit des informations à transmettre (le bit rate). Hors, le spectre de fréquence disponible est limité, d’où l’intérêt d’en limiter la partie dévolue à chacun des utilisateurs (ce que permet l’approche numérique). Le design d’un transceiver numérique est conceptuellement plus complexe, cependant, les avantages cités précédemment (parmi d’autres) on fait que l’approche numérique s’est imposée. Objectifs de cours. Ce cours est dédié à une première approche (rapide) de la conception des front end RF numériques. La partie II est dédiée à la présentation des concepts de base nécessaires à leur étude. Enfin, la partie III présente deux blocs élémentaires des front end RF : l’amplificateur faible bruit et le mixer. www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 5 Design RF II. 3A Micro Concepts de base du design RF. Ces concepts sont principalement liés à l’étude des non linéarités et du bruit. II.1. Définitions – Approximation polynomiale. Définition 1 : Un système est linéaire si sa sortie peut être donnée sous la forme d’une combinaison linéaire de réponses à des entrées simples. C'est-à-dire si ayant x1 (t ) syst → . y1 (t ) x 2 (t ) syst → . y 2 (t ) on a a.x1 (t ) + b.x 2 (t ) syst → . a. y1 (t ) + b. y 2 (t ) quelles que soient les constantes réelles a et b. Définition 2 : Un système est invariant dans le temps si ayant x(t ) syst → . y (t ) → . y (t − τ ) et ceci quel que soit τ réel. alors on a x(t − τ ) syst Définition 3 : Un système est sans mémoire si sa sortie ne dépend pas des entrées précédentes. Dans le cadre de ce cours, les systèmes RF considérés sont sans mémoire, variants dans le temps et non linéaires (jusqu’à l’ordre 3). Leur sortie est modélisée par une fonction x(t ) syst → . y (t ) = a1 .x(t ) + a 2 .x 2 (t ) + a3 .x 3 (t ) polynomiale d’ordre 3 : A noter que les coefficients ai=1, 2, 3 dépendent généralement du temps. II.2. Les effets non linéaires. a – La distorsion harmonique. Un signal sinusoïdal appliqué en entrée d’un système non linéaire produit en sortie des harmoniques multiples de la fréquence d’entrée (en plus d’une composante continue et du fondamental), cf. figure II.1. fondamental système H2 fondamental DC non linéaire H3 … f f f (MHz) 2f Fig. II.1 – Distorsion harmonique. www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 6 3f f (MHz) Design RF Avec 3A Micro x(t ) = A. cos(ωt ) le signal d’entrée, on obtient en sortie (cf. approximation y (t ) = a1 . A. cos(ωt ) + a 2 . A 2 . cos 2 (ωt ) + a3 . A 3 . cos 3 (ωt ) polynomiale) : cos 2 (ωt ) = et d'après 1 + cos(2ωt ) 2 1 cos 3 (ωt ) = .[3 cos(ωt ) + cos(3ωt )] 4 On trouve y (t ) = 3a A3 a A3 a2 A2 a A2 + a1 A + 3 cos(ωt ) + 2 cos(2ωt ) + 3 cos(3ωt ) 23 4 244244 12 3 1444244 3 1444 424444 3 1 DC harmonique d 'ordre 2 harmonique d 'ordre 3 fondamenta l H2 H3 On constate (en généralisant au-delà de l’ordre 3) que les harmoniques d’ordre pair proviennent des coefficients ai avec i pair, ils disparaissent pour les systèmes ayant une caractéristique de transfert impaire, par exemple pour une paire différentielle (cf. figure II.2). vout a2 = a4 = … = a2i = 0 vin Fig. II.2 – Système à symétrie impaire. On constate également que pour une amplitude A faible les harmoniques d’ordre n sont proportionnelles à An. b – Compression de gain. En général le calcul du gain en régime petits signaux (A faible) est effectué en négligeant les harmoniques. Ainsi si on considère que tous les termes en An << a1A le gain est a1. Cependant si l’amplitude A augmente on sort de la zone linéaire. Et les effets non linéaires se font sentir, en particulier le terme 3a 3 A3 pour le fondamental (on considère un système à 4 symétrie impaire). Le gain G du fondamental s’écrit alors : G = a1 + 3 a3 A 2 4 www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 7 Design RF 3A Micro Se pose alors la question du signe de a3. Hors, on constate que dans la plupart des cas le gain tend à diminuer pour les amplitudes croissantes d’où a3 < 0. Ainsi, le gain est une fonction décroissante de l’amplitude A du signal d’entrée (car a3 < 0). On définit le point de compression à -1 dB comme étant le point de fonctionnement du système pour lequel le gain petits signaux est diminué de 1 dB par rapport à un système idéal parfaitement linéaire. La figure II.3 est l’illustration graphique de la détermination du point de compression à -1 dB : système idéal système réel 1 dB 1 dB 20log(Aout) 20log(a1) 1 dB A-1 dB 20log(A) point de compression à -1 dB Fig. II.3 – Point de compression à -1 dB. On note Aout l’amplitude du signal de sortie. Pour un système idéal (sans distorsion ni compression) on a Aout = a1 . A soit 20 log( Aout ) = 20 log(a1 ) + 20 log( A) Ce qui correspond bien au tracé d’une droite de pente unitaire pour le cas idéal dans une représentation log - log. Le comportement du système réel, au fur et à mesure que A augmente, s’éloigne du cas idéal du fait de l’apparition du phénomène de compression de gain. On a alors Aout = a1 . A + 3 a3 .A3 4 www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 8 Design RF 3A Micro Le calcul du point de compression se déduit de la figure II.3 : 20 log a1 + 3 a3 A−21dB + 1dB = 20 log a1 4 A−1dB = 0,145 soit a1 a3 c – Désensibilisation (Desensitization and blocking). Un signal parasite peut conduire à une saturation du récepteur et ainsi entraîner une réduction de sa sensibilité. Dans le cas des circuits à a3 < 0, en présence d’un signal "utile" avec une amplitude faible et d’un signal interférant d’amplitude plus élevée : x(t ) = A1 cos(ω1t ) + A2 cos(ω 2t ) 14243 14243 signal utile On exprime interférence 3 3 y (t ) = a1 A1 + a3 A13 + a 3 A1 A22 cos(ω1t ) + ... 4 2 avec A1 << A2 on a alors 3 y (t ) ≈ a1 + a3 A22 A1 cos(ω1t ) + ... 2 44 1442 3 fonction décroissante A2 Une valeur élevée de A2 peut donc conduire à une chute du gain importante, voire même à son annulation, dans ce dernier cas le signal utile est dit bloqué. d – Modulation croisée (cross modulation). On appelle modulation croisée le transfert de la modulation d’un signal d’interférence vers le signal utile. Dans le cas où l’amplitude du signal utile est largement inférieure à l’amplitude du signal d’interférence (A1 << A2) et où le signal interférant est modulé, par exemple en amplitude, tel qu’il s’écrive A2 [1 + m. cos(ω m t )]cos(ω 2 t ) m2 m2 3 On obtient y (t ) = a1 + a 3 A22 1 + + cos(2ω m t ) + 2m cos(ω m t ) A1 cos(ω1t ) + .... 2 2 2 Le signal en sortie est modulé en amplitude aux fréquences ωm et 2ωm. www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 9 Design RF 3A Micro e – Intermodulation. On parle d’intermodulation lorsque le système engendre des signaux à des fréquences non harmoniques (en sus des harmoniques). Par exemple, dans le cas d’un signal d’entrée "deux tons" aux fréquences f1 et f2, on obtient en sortie d’un système non linéaire les harmoniques de f1 et f2 et des termes d’intermodulation aux fréquences m.f1 ± n.f2 (m,n ∈ Ν2). L’existence des termes d’intermodulation (IM) est problématique lorsqu’ils sont proches des fondamentaux f1 et f2, car il est alors difficile de les éliminer par filtrage. Pour x(t ) = A1 . cos(ω1t ) + A2 . cos(ω 2 t ) → y (t ) = a1 .[A1 . cos(ω1t ) + A2 . cos(ω 2 t )] + a 2 .[ A1 . cos(ω1t ) + A2 . cos(ω 2 t )] + a3 .[ ... ] 2 3 en développant les termes de cette expression on obtient les fondamentaux à f1 3 3 2 2 a1 + a 3 A1 + a3 A2 . A1 cos(ω1t ) 4 2 et f2 3 3 2 2 a1 + a 3 A2 + a3 A1 . A2 cos(ω 2 t ) 4 2 les harmoniques de f1 et f2 non détaillés ici et différents termes d’intermodulation aux fréquences f1 ± f2 ; 2f1 ± f2 ; 2f2 ± f1 ; etc. Parmi ceux-ci, ce sont les termes d’IM d’ordre 3 aux fréquences 2f1 - f2 : 3 a 3 A12 A2 cos[(2ω1 − ω 2 )t ] 4 et 2f2 - f1 : 3 a 3 A22 A1 cos[(2ω 2 − ω1 )t ] 4 qui nous intéressent. Ils sont en effet les plus significatifs du fait de leur proximité avec les fondamentaux, comme l’illustre la figure II.4 dans le cas où f1 et f2 ont le même ordre de grandeur. système f f1 non linéaire f2 IM3 IM3 f 2f1-f2 f1 f2 2f2-f1 Fig. II.4 – Positionnement des termes d’IM3 proches des fondamentaux. www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 10 Design RF 3A Micro Pour un signal de test tel que A1 = A2 = A, on définit le taux de distorsion d’IM3 comme le quotient de l’amplitude des termes d’IM3 précédents par l’amplitude du fondamental. Par exemple, pour a1A = 100 mVpp (Vpp = tension pic à pic ou "peak to peak") 3 a3 A3 = 10 mVpp 4 et le taux de distorsion d’IM3 sera de -20 dBc2. Le phénomène d’intermodulation peut se relever très gênant en RF. Si on considère le cas de la figure II.5 ou deux signaux d’interférence sont situés à proximité du canal utile de réception, on constate qu’un terme d’IM3 est susceptible d’apparaître en sortie du LNA en étant situé dans le canal et donc de dégrader la qualité de la réception.. interférences canal utile IM3 f LNA f Fig. II.5 – Illustration du caractère gênant en RF de l’IM3. L’inter modulation d’ordre 3 est caractérisée par le point d’interception d’ordre 3 ou "third order interception point" : l’IP3. Il est généralement défini pour un signal de test deux tons (f1 et f2) tel que A1 = A2 = A et d’amplitude suffisamment faible pour que le gain du fondamental soit à peu près égal à a1. L’amplitude du signal de sortie à la fréquence f1 (idem pour f2) est : a1 A + et à 2f1 - f2 : 3 3 9 a3 A 3 + a 3 A 3 = a1 A + a 3 A 3 ≈ a1 A 4 2 4 (en supposant a1 A >> 9 a3 A3 ) 4 3 a3 A3 4 Ainsi, la croissance des fondamentaux est proportionnelle à A et celles des IM3 est proportionnelle au cube de A, c'est-à-dire trois fois plus rapide en échelle log, comme illustré figure II.6). 2 La lettre "c" comme "carrier", la porteuse en anglais, portée en indice des décibels signifie que ce taux est calculé par rapport à l’amplitude de la porteuse prise comme référence. www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 11 Design RF 3A Micro 3 Amplitude du 20 log a3 A3 terme d’IM3 4 exprimée en dB log 20log(a1A) Amplitude du fondamental exprimée en dB OIP3 1 dB Output IP3 1 dB 20log(A) IIP3 3 dB Input IP3 1 dB Fig. II.6 – Tracé de l’IP3 d’un système non linéaire. L’IP3 correspond au point pour lequel les amplitudes du fondamental et de l’IM3 sont égales. On définit l’IIP3 (Input IP3) comme étant l’amplitude du signal d’entrée correspondant à l’IP3 et l’OIP3 (Output IP3) comme étant l’amplitude correspondante en sortie du fondamental et de l’IM3. Un récepteur sera plutôt caractérisé par son IIP3 et un émetteur par son OIP3 (OIP3 = a1.IIP3). L’IP3 permet de comparer la linéarité de différents circuits. Plus grande est l’IP3, meilleur est la linéarité. En notant AIP3 l’amplitude correspondant à l’IIP3, on trouve : a1 AIP 3 = D'où AIP 3 = 3 a3 AIP3 3 4 4 a1 . = IIP3 3 a3 www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 12 Design RF 3A Micro Attention : dans la pratique l’approximation a1 A >> 9 a 3 A 3 ne tient plus. La détermination de 4 l’IP3 est faite à partir de mesures pour A faible, puis par extrapolation en prolongeant les droites. L’IP3 est un point purement théorique, qui n’existe pas en pratique ; le point de compression à -1dB étant atteins au préalable. On peut également calculer l’IIP3 par la mesure de la puissance des fondamentaux et des IM3 pour une seule puissance du signal d’entrée comme illustré figure II.7. puissance du terme d’IM3 log puissance du fondamental 1 dB/dB OIP3 dBm ∆P dB ∆P dB ∆P 2 dB f 2f1-f2 f1 f2 2f2-f1 3 dB Pin dBm IIP3 dBm 1 dB Fig. II.7 – Mesure de l’IP3. Les puissances étant exprimées en dBm3 on trouve graphiquement : IIP3 dBm = 3 ∆P 2 dB + Pin dBm Le dBm est une unité de mesure de puissance, elle est définit en annexe p44. www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 13 log Design RF 3A Micro Mise en cascade d’étages non linéaires. Dans les systèmes RF on rencontre plusieurs étages non linéaires associés en série, d’où l’intérêt de pouvoir déterminer une IP3 globale. On considère le circuit de principe de la figure II.8. y1(t) x(t) AIP3, 1 y2(t) AIP3, 2 AIP3 ? Fig. II.8 – Circuit de principe. Connaissant les IP3 des deux circuits non linéaires, on cherche à déterminer l’IP3 globale. En écrivant leur approximation polynomiale : y1 (t ) = a1 .x(t ) + a 2 .x 2 (t ) + a 3 .x 3 (t ) y 2 (t ) = b1 . y1 (t ) + b2 . y12 (t ) + b3 . y13 (t ) on trouve d’où AIP 3 = y 2 (t ) = a1b1 .x(t ) + (a 3b1 + 2a1 a 2 b2 + a13 b3 )x 3 (t ) + ... a1b1 4 3 a 3b3 + 2a1 a 2 b2 + a13b3 En considérant un pire cas : (cf. définition précédente de l’IP3) a 3b1 + 2a1 a 2 b2 + a13 b3 = a3 b1 + 2a1 a 2 b2 + a13b3 et après inversion et élévation au carré 3 1 3 a3 b1 + 2a1 a 2 b2 + a1 b3 = . a1b1 AIP2 3 4 on a 1 1 = 2 + 2 AIP 3 AIP 3, 1 3a2b2 2b1 123 a12 AIP2 3, 2 + terme provenant des 2 nd ordres généralement en dehors des bandes de fréquence des étages → négligé soit 1 1 a12 = + + AIP2 3 AIP2 3, 1 AIP2 3, 2 a12b12 + ... AIP2 3, 3 14243 généralisation à n étages Bien souvent, le gain des étages est supérieur à un, ainsi le facteur le plus critique pour la linéarité de l’ensemble est la non linéarité des derniers étages. On retiendra que la dégradation globale de l’IP3 apportée par un étage dans une chaîne est magnifiée par le gain de l’étage précédent. www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 14 Design RF 3A Micro II.3. Le bruit. On appellera bruit tout signal aléatoire ou déterministe n’apportant aucune information et qui perturbe la transmission du signal utile. On distingue : - le bruit d’interférence (bruit extérieur) : perturbations électromagnétiques, 50 Hz, etc., - et le bruit intrinsèque : propre au circuit considéré et à ses composants. Les rappels de cette partie ne concernent que le bruit intrinsèque. But : la finalité des études de bruit présentées est de permettre la détermination du niveau minimal pour qu’un signal soit détecté. a – Modélisation du bruit. Soit le signal constant bruité u(t), de valeur moyenne U, représenté au cours du temps (cf. Fig. II.9) : u(t) U t Fig.II.9 – Bruit. La valeur instantanée du bruit est : u n = u (t ) − U 4 Le bruit a une valeur moyenne nulle. Aussi pour le caractériser considère-t-on sa valeur quadratique moyenne, qui est non nulle. Le bruit aléatoire, ou statistique, ne se résume pas à un signal sinusoïdal de fréquence unique. On peut l’appréhender comme un ensemble de signaux sinusoïdaux dont les fréquences 4 On utilisera l’indice n comme noise (le bruit en anglais) pour désigner le bruit. www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 15 Design RF 3A Micro couvrent toute une bande de fréquence. La puissance moyenne de bruit dépend alors de la largeur de la bande de fréquence considérée. On définit la densité spectrale de bruit (Power Spectral Density – PSD), Sx(f), à une fréquence f d’un signal bruité x(t) comme la puissance moyenne de bruit portée par x(t) dans une bande de fréquence de un Hertz autour de f. Unité : V2/Hz. Attention : parfois on manipule des V / Hz , il s’agit alors de la de Sx(f). Densité spectrale de tension de bruit : u n2 Su ( f ) = ∆f en V2/Hz Densité spectrale de courant de bruit : in2 Si ( f ) = ∆f en A2/Hz NB : on manipule la densité spectrale de bruit sous la forme d’une puissance de bruit normalisée, correspondant à la puissance de bruit dissipée par une résistance de 1Ω dans une bande de fréquence de 1Hz. b – Les sources de bruit. On considère trois sources de bruit internes aux circuits : - le bruit thermique, - le bruit de grenaille (shot noise), - le bruit en 1 / f (flicker noise). Le bruit thermique : dû à l’agitation thermique des électrons dans les résistances. C’est un bruit blanc (indépendant de la fréquence) qui dépend de R et de T. Il est modélisé par une source de tension de bruit en série (Fig. II.10) : Sv ( f ) R 4kTR Non bruitée R bruyante Bruit blanc v = S v ( f ).∆f 2 n Fig. II.10 – Modélisation du bruit thermique. tel que S v ( f ) = 4kTR (f ≥ 0). www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 16 f Design RF 3A Micro On écrira v n2 = 4kTR la tension de bruit (bien qu’il s’agisse rigoureusement du carré de la tension de bruit) en considérant ∆f = 1Hz. Pour une résistance de 1 kΩ on a 4kTR = 4.1,38.10 −23.300.1k = 4 nV / Hz (ou encore 1 nV / Hz pour 50Ω). Attention : le bruit thermique ne concerne que les résistances réelles (ce qui exclu les résistances des modèles équivalents). Le choix de la polarité de la source de tension n’a pas d’importance. Le bruit de grenaille : lié au passage des électrons à travers les jonctions PN. C’est un bruit blanc. Densité spectrale de courant de bruit : S i ( f ) = 2qI (A2/Hz) q : charge de l’électron I : courant moyen dans la jonction. Le bruit en 1/f (ou bruit de scintillement) : lié aux défauts cristallins et aux contaminations du semi-conducteur. Il tient son nom du fait qu’il est inversement proportionnel à la fréquence ; c’est donc un bruit basse fréquence. Il est parfois négligé en RF, mais il faut se méfier des simplifications trop hâtives car il peut être ramené aux fréquences utiles par les effets de translation de fréquence (en particulier lors des repliements fréquentiels). Bruit dans les transistors bipolaires : - bruit thermique 2 unb Rb 2 u nb = 4kTRb Re u ne2 = 4kTRe une2 Fig. II.11 – Bruit thermique dans les transistors bipolaires. Rb et Re sont les résistances d’accès à la base et à l’émetteur. www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 17 Design RF - 3A Micro bruit de grenaille inc2 2 inb 2 inb = 2qI b inc2 = 2qI c Fig. II.12 – Bruit de grenaille dans les transistors bipolaires. Bruit dans les MOS : - bruit thermique lié à la résistance du canal (MOS en saturation) : 2 in2 = 4kT g m 3 in2 Fig. II.13 – Bruit thermique du canal. Attention le facteur 2/3 est empirique, il peut varier en fonction des technologies. - bruit en 1 / f : modélisé par une source de tension en série avec la grille et tel que v n2 = K 1 . C oxWL f (V2/Hz) avec K : constante dépendante du process. Quand on augmente le produit W.L (la surface du MOS) la tension de bruit v n2 diminue. Pour les applications faible bruit, on utilise souvent des transistors MOS de grande surface. Principe de superposition. Le bruit total à la sortie d’un circuit est la somme des bruits produits en sortie par chaque source interne de bruit, en considérant que les sources de bruit sont indépendantes (i.e. statistiquement non corrélées) : n u 2 tot www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 = ∑ u 2j j =1 18 Design RF 3A Micro La valeur quadratique moyenne du bruit total à la sortie d’un circuit est calculée en additionnant la contribution de chaque source considérée individuellement. R1 un21 2 utot = u n21 + u n22 + R1 + R2 2u n1.u n 2 1 424 3 =0 pour des sources indépendantes 2 utot R2 u = un21 + un22 2 n2 = 4kT ( R1 + R2 ) Fig. II.14 – Illustration du principe de superposition. Bruit dans les circuits – bruit ramené en entrée. un2 Circuit sans bruit Circuit 2 n i bruyant Fig. II.15 – Bruit ramené en entrée. Représentation par deux sources de bruit (le plus souvent corrélées) à l’entrée : u n2 correspond au bruit lorsque l’on court-circuite les entrées, in2 correspond au bruit lorsque les entrées sont en circuit ouvert. Exemple : VDD VDD L1 L1 vin Zin vout u n2 vout vin 2 nD i in2 NMOS (a) (b) Fig. II.16 – Exemple. www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 19 Design RF 3A Micro 2 inD = g m2 u n2 vin en CC : → u n2 = vin en CO : 2 inD 8kT = 2 g m 3g m 2 g m2 Z in in2 = inD 2 avec Zin impédance d’entrée du montage → in2 = 8kT 3 g m Z in 2 Les deux sources de bruit sont corrélées. Pour Zin élevée in2 ≅ 0 , le bruit peut alors être représenté par la seule source de tension de bruit. En RF, on a fréquemment Zin ≈ 50Ω → représentation utilisant les deux sources. Filtrage du bruit. Syst. linéaire Sin ( f ) S out ( f ) = Sin ( f ). H ( f ) H(f) Sin ( f ) H( f ) 2 2 S out ( f ) X Bruit blanc f f f Fig. II.17 – Filtrage du bruit. c. Figure de bruit – Facteur de bruit. (Noise Figure : NF) Du fait de son bruit interne, le bruit en sortie d’un amplificateur, par exemple, est supérieur au bruit en entrée multiplié par son gain en puissance. On définit la figure de bruit (NF) d’un circuit par : NF = SNRin SNRout SNRin ou parfois : NF = 10 log SNR out La NF permet de caractériser la dégradation d’un signal traversant un système donné. Pour un circuit idéal NF = 1 Pour un circuit réel NF > 1. Définition alternative : NF = valeur quadratique moyenne du bruit en sortie du système réel valeur quadratique moyenne du bruit en sortie du système supposé idéal www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 20 Design RF 3A Micro Figure de bruit d’une chaîne de quadripôles : On note Avi les gains en tension et Api les gains en puissance. Rs Av1, Ap1 Av2, Ap2 NF1 NF2 vin Q1 Q2 Fig. II.18 – Figure de bruit d’une chaîne de quadripôles. Soit u ne2 la puissance de bruit disponible en entrée de Q1, 2 u nis 1 la puissance de bruit intrinsèque à Q1 et disponible en sortie de Q1, 2 u nis 2 la puissance de bruit intrinsèque à Q2 et disponible en sortie de Q2. Bruit en sortie : 2 2 2 u nout = u ne2 AP1 AP 2 + u nis 1 AP 2 + u nis 2 (en considérant qu’il y a adaptation d’impédance entre les étages) NFtot = NF1 = 2 u nout u ne2 AP1 AP 2 2 u ne2 AP1 + u nis 1 u ne2 AP1 NF2 = 1 + NFtot = 2 u nis 1 u ne2 AP1 2 u nis 2 u ne2 AP 2 2 2 u ne2 AP1 AP2 + u nis 1 AP 2 + u nis2 u ne2 AP1 AP 2 NFtot = 1 + 2 u nis 1 u ne2 AP1 142 43 NF1 D’où = 1+ NFtot = NF1 + + 2 u nis 2 u 2 AP1 AP 2 1ne42 43 NF2 −1 AP1 NF2 − 1 NF3 − 1 + + ... AP1 AP1 AP 2 14243 généralisation www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 21 Formule de Friis Design RF 3A Micro La contribution au bruit total de chaque étage décroît quand le gain en puissance de l’étage précédent augmente. Les premiers étages sont les plus sensibles vis-à-vis du bruit. C’est la raison pour laquelle on trouve les LNA en tête des chaînes de réception des front end RF. Figure de bruit d’un circuit passif. Si on définit la perte de puissance d’un circuit passif par : L = Pin Pout On démontre qu’un atténuateur à un facteur de bruit correspondant à son atténuation : NF = L. Un atténuateur augmente la NF de l’étage suivant. Exemple : Rs Filtre LNA vin NFtot = NF filtre + NFLNA − 1 1 L NFtot = L + (NFLNA − 1).L NFtot = L.NFLNA Fig. II.19 – Dégradation de la NF due à un filtre. d – Sensibilité et dynamique d’entrée. Sensibilité d’un récepteur RF. C’est le niveau minimal du signal d’entrée détectable (i.e. pour un rapport signal sur bruit donné). A partir de l’expression de la figure de bruit du récepteur : NF = et en écrivant SNRin SNRout SNRin = Psignal PRS Avec Psignal puissance du signal d’entrée PRS puissance de bruit de la résistance de la source (toutes les deux exprimée par unité de fréquence) www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 22 Design RF 3A Micro Psignal = PRS .NF .SNRout on trouve En notant B la largeur de bande du canal considéré Psig , total = PRS .B.NF .SNRout on obtient une expression de la sensibilité exprimée comme étant la puissance minimale du signal d’entrée permettant d’obtenir un SNRout donné. Pin , min Ou encore : dBm = PRS dBm / Hz + 10 log B + NF dB + SNRout , min dB Si on considère qu’il y a adaptation d’impédance entre la source et l’entrée du récepteur (RS = Rin) : PRS = soit en dBm/Hz 4kTRS 1 . = kT 4 Rin PRS dBm / Hz PRS dBm / Hz kT = 10 log 0,001 avec k = 1,38.10-23 J.K-1 = −174 dBm / Hz à température ambiante. La sensibilité d’un récepteur RF adapté en dBm est : Pin , min dBm = − 174 dBm / Hz + 10 log B + NF dB + SNRout , min 144444 42444444 3 dB Bruit de fond Noise floor : F Dynamique d’entrée. C’est le rapport entre la puissance maximum "supportable" du signal d’entrée et la puissance minimale "exploitable" du signal d’entrée. Maximum supportable. La notion de maximum supportable est difficile à définir. Pour se faire, on la défini par rapport aux non linéarités, elle correspond au niveau maximal de puissance en entrée d’un signal deux tons pour lequel les produits d’IM3 ramenés en entrée atteignent le bruit de fond. La figure II.20 rappelle l’un des principes de mesure de l’IIP3 : ∆P dB IIP3 dBm = f 2f1-f2 f1 f2 2f2-f1 Fig. II.20 – Mesure de l’IIP3. www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 23 ∆P dB + Pin 2 dBm Design RF 3A Micro Soit mathématiquement PIIP 3 = Pin + tel que Pout − PIM , out 2 Pout = Pin + G G gain en puissance PIM , out = PIM , in + G PIM , in puissance d’IM3 ramenée en entrée Attention, PIM , in n’a pas de réalité physique (les termes d’IM3 sont seulement présents en sortie). PIIP 3 = Pin + Pin = Pin + G − (PIM , in + G ) 2 = Pin + Pin − PIM , in 2 2 PIIP 3 + PIM , in 3 Le niveau de l’entrée pour lequel l’IM3 ramenée en entrée atteint le bruit de fond est : Pin , max = 2 PIIP 3 + F 3 F = -174 dBm/Hz + 10logB + NF Minimum exploitable. C’est la sensibilité d’un récepteur RF qui donne son niveau de puissance minimum exploitable. Pin , min = F +SNRout , min On en déduit l’expression de la dynamique (en dB) appelée SFDR (Spurious Free Dynamic Range) : SFDR = 2 PIIP 3 + F − (F + SNRout , min ) 3 SFDR = 2 (PIIP 3 − F ) − SNRout , min 3 Exemple : Calculer la dynamique d’un récepteur tel que NF = 9 dB, PIIP3 = -15 dBm, B = 200 kHz et SNRout, min = 12 dB. Exprimer précisément Pin, min et Pin, max. → SFDR = 53 dB. www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 24 Design RF III. 3A Micro Eléments de base de la partie RF d’un émetteur – récepteur. Parmi tous les blocs fonctionnels constitutifs des front end RF (Power Amplifier, oscillateur, PLL, etc.) les parties III.1 et III.2 décrivent le fonctionnement des LNA et des mixers. III.1. Amplificateur faible bruit ( Low Noise Amplifier - LNA). Les amplificateurs faible bruit sont situés en tête des chaînes de réception des front end RF. Leur rôle est de réaliser une première amplification du signal issu de l’antenne (ce signal étant généralement de faible puissance) en ajoutant un minimum de bruit. Le paragraphe consacré à l’étude de la figure de bruit d’une chaîne de quadripôles a permis d’en souligner l’importance (II.3.B – Formule de Friis). a. Caractéristiques d’un LNA. Ce premier paragraphe permet d’explorer les principales caractéristiques d’un LNA en partant d’un cahier des charges typique. Exemple : NF 2 dB IIP3 -10 dBm Gain 15 dB Impédance d’E/S 50 Ω Facteur de réflexion en E/S -15 dB Isolation inverse 20 dB Facteur de stabilité >1 L’objectif est de mesurer leur impact sur le fonctionnement du LNA et sur celui du récepteur dans son ensemble. Un LNA est généralement associé à un duplexeur placé après l’antenne et introduisant une atténuation en puissance, par exemple 2 dB : NFtot = L.NFLNA = 4 dB Facteur sensible (cf. formule de Friis). → sensibilité ? (en prenant SNRout, min = 8 dB et B = 200 kHz) Pin, min = F + SNRout, min Pin, min = -174 + 10logB + NFtot + SNRout, min Pin, min = -109 dBm www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 25 Design RF 3A Micro → Rapport entre la NF et le dimensionnement : Exemple : vn2, rb Rs rb in2 = 2qI C vin Fig. III.1 – Bruit lié au transistor d’entrée d’un LNA. D’après g m = I C VT : in2 = 2qg mVT = 2kTg m On donne : NF = bruit total rapporté en entrée 4kTRS On va modéliser le bruit du transistor bipolaire par une résistance équivalente en entrée : Rs Req vin Fig. III.2 – Modélisation du bruit par une résistance ramenée en entrée. v n2 = v n2, rb + 1 2 .in g m2 v n2 = v n2, rb + 1 .2kTg m g m2 v n2 = 4kTrb + 2kT . 1 gm 1 v n2 = 4kT rb + 2g m V = 4kT rb + T IC 14224 3 Req = rb + Req v n2, tot = v n2, Rs + v n2 V v n2, tot = 4kT RS + rb + T 2I C www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 26 VT 2I C Design RF D’où NF = 3A Micro 4kT (RS + Req ) NF = 1 + 4kTRS Req RS Application avec RS = 50 Ω et sans duplexeur : Req 2 = 10 log1 + RS → Req = 29Ω. Ce qui impose d’utiliser un transistor bipolaire de grande taille polarisé à un courant élevé. → Dynamique : les valeurs de la NF et de l’IIP3 fixent la dynamique (SFDR) SFDR = 2 (PIIP 3 − F ) − SNRout , min 3 SFDR = 2 (− 10dBm + 174 − 10 log B − NF ) − 8 3 SFDR = 64 dB → Gain. Filtre réjecteur d’image LNA L ≅ 4 − 5dB RF LO IF NF = 10dB IP3 = 5 dBm Fig. III.3 – Exemple de chaîne Rx. Choix du gain du LNA de façon à limiter l’IP3 globale à une valeur acceptable (cf. fin du cours) : GLNA = 15 à 20 dB. → Adaptation d’impédance5. On favorise le transfert de puissance. La qualité de l’adaptation est mesurée par le facteur de réflexion en entrée ("return loss"). Coefficient de réflexion : Γ= Z in − R0 Z in + R0 Γ= ∆R 2 R0 + ∆R R0 impédance de sortie de la source. En écrivant Zin = R0 + ∆R 5 Voir le points de cours – Adaptation d’impédance en puissance http://www.ecole.ensicaen.fr/~dutertre/documents/power_matching.pdf www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 27 Design RF 3A Micro Pour avoir un Γ de -15 dB et en considérant ∆R < 0 (pire cas correspondant à la variation − ∆R − 15 = 20 log 2 R0 + ∆R maximale de Γ) : −15 − ∆R = 10 20 2 R0 + ∆R ∆R = -15Ω Dans la pratique on fixera une valeur plus faible afin de tenir compte des variations de température et de procédé. → Isolation inverse. Elle caractérise la propagation du signal de l’oscillateur local du mixeur vers l’antenne. → Stabilité. Point capital à considérer afin d’éviter l’oscillation du LNA créée par la présence de rétroactions de la sortie vers l’entrée du LNA. C’est un point difficile à étudier (fonction des impédances d’E/S, de la fréquence, de la température, etc.). La facteur de stabilité K permet de caractériser la stabilité d’un système : 1 + ∆ − S11 − S 22 2 K= 2 2 avec ∆ = S11S22 – S12S21 2 S 21 . S12 Dans le cas K > 1 et ∆ < 1 le circuit est inconditionnellement stable. D’après l’expression de K on améliore la stabilité en diminuant S12, c'est-à-dire en augmentant l’isolation de la sortie vers l’entrée du LNA. a1 a2 Système b1 b2 b1 = S11a1 + S12 a2 b2 = S 21a1 + S 22 a2 Fig. III.4 – Rappels sur les paramètres S. La capacité Cµ (base – collecteur) du modèle petits signaux du transistor bipolaire est à l’origine de la rétroaction de la sortie vers l’entrée aux fréquences élevées. Deux approches permettent d’y remédier : - par neutralisation du chemin capacitif (cf. Fig. III.5) : www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 28 Design RF 3A Micro VCC ZLoad L1 Cµ C1 vout vin Fig. III.5 – Neutralisation du chemin inductif. De telle sorte que L1 et Cµ résonnent à la fréquence considérée f0 ("utile"). Cette solution est adaptée à une réception en bande étroite. ωL1 Z L1 // Cµ = j 1− ω 2L C 1 µ - à ω = ω0 = 1 L1C µ Z L1 // C µ → ∞ montage cascode : suppression du feedback : VCC ZLoad vout Vpol vin Fig. III.6 – LNA cascodé. Au prix d’une dégradation de la NF (on ajoute un transistor et donc du bruit). www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 29 Design RF 3A Micro III.2. Mixer (downconverter – translation vers les fréquences basses). Le rôle d’un mixer dans une chaîne de réception est de ramener le signal utile de la bande de fréquence RF vers la bande de base (en une, ou deux étapes, en passant alors par une bande de fréquence intermédiaire, en fonction de l’architecture retenue). La translation de fréquence est obtenue en multipliant deux signaux. a. Principe. La figure III.7 donne le symbole utilisé pour représenter un mixer. RF IF LO Fig. III.7 – Symbole du mixer. Un mixer possède deux entrées : - le port RF : signal utile à translater provenant du LNA (+filtre), - le port LO : signal provenant de l’oscillateur local (LO – Local Oscillator), on récupère en sortie sur : - le port IF à la fréquence intermédiaire (IF – Intermediate Frequency), le résultat de la multiplication des entrées (à une constante multiplicative près k). Pour v RF = ARF . cos(ω RF t ) et v LO = ALO . cos(ω LO t ) on obtient v IF = kARF ALO . cos(ω RF t ) cos(ω RF t ) v IF kARF ALO = .cos (ω RF + ω LO )t + cos (ω RF − ω LO )t 14243 243 2 14 somme difference Le spectre du signal de sortie (IF) du mixer comprend deux composantes aux fréquences somme, fRF + fLO, et différence, fRF - fLO, des fréquences RF et LO. Dans le cas d’une chaîne de réception, c’est la fréquence résultant de la soustraction qui est la fréquence utile (translation vers la bande de base). www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 30 Design RF 3A Micro La figure III.8 illustre l’exemple précédent pour un cas simple (RF : 11 MHz et LO : 10 MHz) : LO RF port IF mixer Disparition LO et RF 10 11 f (MHz) 1 10 11 21 f (MHz) Fig. III.8 – Illustration fréquentielle du fonctionnement d’un mixer idéal. La sortie du mixer comporte deux raies aux fréquences 1 MHz et 21 MHz. Fréquence image. En prolongeant l’exemple de la figure III.8, l’on met en évidence l’existence d’une fréquence image. En effet, il est possible d’écrire la différence des pulsations de deux façons : ωRF - ωLO ou ωLO - ωRF. Ainsi, il existe deux pulsations possibles pour le signal RF donnant une même pulsation intermédiaire ωIF = |ωRF1 - ωLO |=|ωLO - ωRF2 | telles que : ωRF1 = ωLO + ωIF ωRF2 = ωLO - ωIF Comme illustré figure III.9, les fréquences RF1 à 11 MHz et RF2 à 9MHz génèrent la même réponse IF à 1 MHz. IF RF2 LO RF1 1 9 10 11 Filtrage f (MHz) Fig. III.9 – Fréquence image. Un signal parasite situé à la fréquence image (RF2), crée en sortie du mixer une composante à la même fréquence intermédiaire (IF) que le signal utile (RF1). Une solution pour limiter ce phénomène consiste à couper la fréquence image par filtrage (cf. pointillés sur la figure III.9, voir également la figure III.3) en entrée du mixer. www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 31 Design RF 3A Micro Le principe de fonctionnement du mixer présenté précédemment correspond à celui d’un multiplieur analogique. Dans la pratique, de tels mixers seraient trop complexes à réaliser et trop bruyants pour atteindre le niveau de bruit exigé ; les mixers utilisés dans les chaînes d’émission - réception RF utilisent plus simplement la multiplication du signal RF par une forme d’onde carrée à la fréquence LO au moyen d’interrupteurs. On distingue les mixers passifs et actifs. Mixer passif. La figure III.10 présente l’architecture simplifiée d’un mixer passif. vRF vIF vLO RL Fig. III.10 – Schéma conceptuel d’un mixer passif. Lorsque l’interrupteur (un NMOS, par exemple) commandé par le signal LO est fermé on a vIF = vRF et lorsqu’il est ouvert vIF = 0 ce qui correspond à la multiplication du signal RF par une forme d’onde carrée de fréquence fLO dont le développement en série de Fourier, f(t), est donné figure III.11. 1 f (t ) = 0 1 ∞ 2 π +∑ sin n cos(nωLO t ) 2 n=1 nπ 2 Fig. III.11 – Développement en série de Fourier d’un signal carré de pulsation ωLO. Soit vIF = k. vRF . f(t) vRF , vIF , vLO Filtrage LO La figure III.12 donne les spectres des signaux RF, LO et IF. LO RF n=1 IF IF n=1 n=0 n=0 IF IF n=1 n=3 1 10 11 19 n=3 21 Fig. III.12 – Spectres RF, LO et IF. www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 32 LO 30 f (MHz) Design RF 3A Micro Le signal IF comporte des composantes aux fréquences fRF et n.fLO ± fRF (n impair). Pour n = 1, on obtient bien un terme du signal IF à la fréquence fRF – fLO soit 1 MHz. Un filtrage en sortie du mixer permet de sélectionner la fréquence utile. Un mixer passif introduit une atténuation (k < 1) lors de la translation du signal RF vers la fréquence utile. D’où l’intérêt du recours à un mixer actif dans les chaînes Rx et Tx pour fournir du gain et permettre de limiter les effets du bruit des étages aval (cf. formule de Friis). b. Mixer actif. La figure III.13 donne une topologie classique de mixer actif à transistors MOS. VDD R R vIF Mn2 Mn3 vLO Mn1 vRF Fig. III.13 – Mixer actif à transistors MOS. On y trouve une partie comprenant deux interrupteurs Mn2 et Mn3 commandés par le signal LO et permettant de réaliser à proprement parler la translation de fréquence sur le modèle exposé dans le cas du mixer passif ; et également, un étage constitué de Mn1,monté en source commune, et permettant d’apporter un gain (transconductance). En notant iRF la composante petits signaux du courant de drain de Mn1, et gm la transconductance de Mn1: Pour vLO >0, Mn2 est passant et Mn3 est bloqué d’où vIF = - R.iRF = - R.gm. vRF www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 33 Design RF 3A Micro Pour vLO <0, Mn2 est bloqué et Mn3 est passant d’où vIF = R.iRF = R.gm. vRF Soit vIF =± R.gm. vRF Ce qui correspond à la multiplication du signal RF par une forme d’onde carrée prenant alternativement les valeurs +1 et -1 au rythme de la LO. On obtient un phénomène de translation de fréquence similaire à celui présenté dans le cas des mixers passifs, le gain est apporté par le facteur Rgm. Pour un mixer précédé d’un LNA avec un gain de l’ordre d’une quinzaine de dB, le cahier des charges suivant permet d’obtenir un bruit et des non linéarités acceptables : NF 12 dB IIP3 + 5 dBm Gain 10 dB Zin 50 Ω Isolation 10 – 20 dB Gain de conversion. On définit le gain de conversion en tension, Av, comme le rapport entre la tension efficace du signal IF et la tension efficace du signal RF. Attention : Les deux signaux RF et IF sont centrés autour de fréquences différentes. On parle alors de gain de conversion. Les translations de fréquences apportent de nouvelles difficultés au niveau de la simulation, de nouveaux outils de simulation plus évolués que les analyses spice usuelles ont été développées (spectre RF par Cadence, par exemple). On définit de façon similaire le gain de conversion en puissance : AP = PIF reçue par la charge PRF delivrée par la source Attention : on ne vérifie AP = Av2 que si l’impédance d’entrée et l’impédance de charge du mixer sont égales à l’impédance de la source. www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 34 Design RF 3A Micro Figure de bruit d’un mixer : La détermination de la figure de bruit d’un mixer présente une difficulté liée au phénomène de translation de fréquence et à l’architecture système retenue (chaîne Rx hétérodyne ou homodyne). Une étude au niveau des spectres pour un mixer idéal sans bruit et de gain unitaire (cf. figure III.14) permet de préciser l’utilisation de cette notion. Rs RF vin IF LO Fig. III.14 – Schéma d’étude pour le calcul de la NF. - Architecture hétérodyne (plusieurs fréquences) : Dans une architecture hétérodyne, le signal RF est translaté vers la bande de base en deux étapes. La première étape consiste en une première translation vers une fréquence intermédiaire située entre la bande de base et la fréquence RF (c’est l’approche historique, d’où le nom de IF donnée usuellement à la sortie d’un mixer). La figure III.15 illustre la translation du bruit thermique de la bande utile et de la bande image vers la bande IF. bande du signal bande image port RF : bruit thermique ωLO ω port IF : ωIF ω Fig. III.15 – Translation du bruit pour une architecture hétérodyne. On récupère effectivement le bruit thermique de la bande de fréquence du signal et également celui de la bande image. D’où la relation suivante : www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 35 Design RF 3A Micro SNRout = 1 SNRin 2 qui conduit à NF = SNRin =2 SNRout Ainsi un mixer idéal a une figure de bruit de 3 dB pour une architecture hétérodyne. On parle alors de figure de bruit Single Side Band (SSB), le signal utile provient d’un seul côté de la fréquence de l’oscillateur local. - Architecture homodyne (une seule fréquence) : Dans ce cas le signal RF est ramené directement en bande de base sans passer par une fréquence intermédiaire, comme illustré figure III.16. bande du signal bruit thermique port RF : ωLO ω 0 ω port IF : (bande de base) Fig. III.16 – Translation du bruit pour une architecture homodyne. On parle dans ce cas de figure de bruit Double Side Band (DSB), le spectre du signal RF est réparti des deux côtés de ωLO. NFDSB = 0 dB Attention on a négligé le bruit aux fréquences 3fRF, 5fRF, etc. qui est lui aussi ramené du fait des harmoniques du LO. Isolation. Il est nécessaire de s’assurer d’une bonne isolation entre chacune des paires de ports du mixer. LO – RF LO → RF "fuites" vers le LNA voire l’antenne RF → LO interférences avec l’oscillateur local LO → IF Problème de désensibilisation des étages suivants. RF → IF distorsion d’ordre pair. www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 36 Design RF 3A Micro Deux architectures classiques de mixer actif : Topologie la plus simple (cf. exemple précédent Fig. III.13) : "Single Balanced" bien adapté à un signal RF non différentiel (single ended – sur un fil). - problème d’isolation LO → IF, Mn2 et Mn3 opérant en paire différentielle qui amplifie le signal issu de LO, - plus sensible au bruit généré par l’oscillateur local, - moins bruyant pour une puissance donnée. Cellule de Gilbert : "Double balanced", adapté aux signaux RF différentiels (ou non), architecture présentée figure III.17. VDD RL RL vIF Mi1 Mi2 Mi3 I0 + iRF 2 Mt1 I0 − iRF 2 Mt2 Mi4 interrupteurs vLO transconductance gain vRF I0 Fig. III.17 – Cellule de Gilbert. On retrouve l’étage comportant les interrupteurs (transistors Mi1, Mi2, Mi3 et Mi4) commandés par le port LO et l’étage fournissant le gain (ici une paire différentielle constituée des transistors Mt1 et Mt2). www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 37 Design RF 3A Micro Si l’on supprimait l’étage comportant les interrupteurs, l’on aurait : v IF = −2 RL i RF Le rôle de l’étage comportant les interrupteurs est de réaliser la translation de fréquence à proprement parler en multipliant le résultat précédent par une forme d’onde carrée prenant alternativement les valeurs +1 et -1 au rythme de la LO. Pour vLO >0, Mi1 et Mi3 sont passant, et Mi2 et Mi4 sont bloqués, d’où v IF = −2 RL i RF Pour vLO <0, Mi2 et Mi4 sont passant, et Mi1 et Mi3 sont bloqués, d’où v IF = 2 RL i RF Ainsi on a v IF = ±2 RL i RF Cette architecture permet une meilleur isolation LO → IF : les deux paires différentielles Mi1 – Mi2 et Mi3 – Mi4 additionnent le signal LO amplifié en opposition de phase permettant ainsi l’annulation du premier ordre. Les deux topologies précédentes permettent d’avoir une sortie IF différentielle ou non (une sortie différentielle étant synonyme d’un gain plus élevé et d’une meilleure isolation RF → IF). www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 38 Design RF 3A Micro c. Mixer à transistors bipolaires. La figure III.18 présente un exemple de mixer à transistors bipolaires avec dégénérescence d’émetteur de Q1 de façon à obtenir une meilleure linéarité. VCC RC RC vIF Q2 Q3 vLO vRF Q1 RE Fig. III.18 – Mixer avec dégénérescence d’émetteur. Augmentation de la linéarité, du bruit, de l’impédance d’entrée et diminution du gain. La figure III.19 propose une variante avec Q1 monté en base commune pour diminuer l’impédance d’entrée (objectif 50Ω). RS vRF RE Q1 Vpolarisation A Fig. III.19 – Entrée montée en base commune. L’on va s’attacher à calculer les gains de conversions de cette architecture. La figure III.20 donne les schémas équivalents petits signaux utilisés. www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 39 Design RF 3A Micro C ic1 C g m1vbe g m1vbe B vbe B RS re re RE E A vbe vRF E (a) (b) Fig. III.20 – Modèles petits signaux. re = α 1 g m1 ≈ g m1 1 = 50Ω g m1 R in = R E + Calcul du gain de conversion (BF) en considérant un fonctionnement de Q2 et Q3 en interrupteurs idéaux. ic1 = g m1vbe vbe = −v RF re re + RE + RS ic1 = − g m1 re v RF re + RE + RS ic1 = avec re = 1 g m1 − v RF RE + RS + 1 g m1 Avec LO signal rectangulaire prenant alternativement les valeurs +1 et -1 à la pulsation ωLO. v IF (t ) = v RF (t ).RC R E + RS + 1 . g m1 4 π cos(ω LO t ) en considérant le fondamental du DSF de la LO. Ce qui revient dans le domaine fréquentiel à une translation de ±ωLO et à une division de l’amplitude par deux. En ne considèrant que la partie translation vers les fréquences basses : VIF (ω ) = VRF (ω − ω LO ) 2 RC . π R E + RS + 1 g m1 www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 40 Design RF 3A Micro Pour le calcul du gain de conversion en tension, on considère la tension au point A (Av = VIF/VA) : 2 RC RE + RS + 1 g RC m1 π 2 AV = = . R + 1 R + R + 1 π RE + 1 E E g m1 S g g m1 m1 Dans le cas ou il y a adaptation d’impédance : R S = RE + AV = On a 1 g m1 2 RC . π RS Gain de conversion en puissance. Puissance moyenne délivrée à la charge par le port IF : PIF = PIF = VIF2 , rms 2 RC (2RC impédance différentielle de charge) 2 2 VRF , rms .RC .4 2 R + R + 1 Π2 S E g m1 . 2 2VRF RC2 1 = 2 2 RC Π2 1 R + R + S E g m1 Puissance disponible en entrée : 2 VRF Pin = 4 RS D’où AP = (dans l’hypothèse où l’adaptation d’impédance est réalisée) 8 RS RC 2R PIF = = 2C 2 Pin 2 Π RS RS + R E + 1 g Π m1 en prenant R S = RE + 1 g m1 On constate AP ≠ AV2, l’égalité n’est vérifiée que dans le cas ou la résistance différentielle de charge 2RC est égale à la résistance de source RS. Dans la vraie vie les gains de conversion sont moins élevés que calculé précédemment du fait de la présence de capacités parasites, etc. Comportement non linéaire. La principale source de distorsion provient de la conversion de la tension d’entrée en courant réalisée par Q1, RS et RE. www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 41 Design RF 3A Micro Pour avoir un IIP3 élevé, la résistance RE doit être importante (compromis à trouver vis-à-vis du bruit, de la linéarité et de la puissance dissipée). La deuxième source de non linéarités est liée au caractère non idéal des commutations de Q2 et Q3. d. Mixer en technologie CMOS. Architecture similaire à celle des BJT. L’utilisation de MOS pose des problèmes de commutation plus marqués au niveau du port LO (la commutation des MOS étant moins rapide). Mixers critiques dans les designs RF. Compromis : linéarité – puissance NF – puissance Mixers plus bruyants que les LNA Les mixers ont un impact plus important concernant les linéarités d’un front-end Rx que les LNA. www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 42 Design RF 3A Micro Bibliographie. Ce cours doit beaucoup au livre "RF Microelectronics" de Mr Behzad Razavi. "The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits", Thomas H. Lee. "Introduction to RF simulation and its application", Ken Kundert, www.designers-guide.org. http://www.ek.isy.liu.se/courses/tsek26 http://www.circuitsage.com http://www.rfcafe.com "Digital Modulation in Communications Systems – An Introduction", Application Note 1298, Agilent Technologies. www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 43 Design RF 3A Micro Annexe : dBm (dB milliwatt). Le décibel a été introduit pour mesurer des rapports de puissance : dB = 10 log P2 P1 Il peut également servir à repérer un niveau de puissance pourvu que l’on fixe par convention le niveau correspondant à 0 dB. Définition : en RF, par convention, une puissance de 0 dBm correspond à un signal sinusoïdal transférant une puissance de 1 mW à une charge de 50Ω. P P dBm = 10 log W 1 mW = 10 log P mW ( ) Une table de conversion entre la puissance donnée en dBm, la tension efficace (rms) et la puissance en unités usuelles (W, mW, µW, etc.) est donnée page suivante. www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 44 Design RF www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html - 2007 3A Micro 45