République Algérienne Démocratique et Populaire

1
République Algérienne Démocratique et Populaire
Ministère de l’enseignement supérieur et de la recherche scientifique
Université Abou-Bakr Belkaïd-Tlemcen
Faculté de Technologie
Département de Génie Electrique et Electronique
MEMOIRE
Pour l’obtention du diplôme de Magister
Spécialité : Nanophysique et Nanotechnologie
Thème
asr
Présenté par :
Mme HACHEMI Naima Née SEBBATI
Soutenu le 02 Juillet 2014 à 14 :00 devant le jury composé de :
Président : Mr. CHABANE SARI Nasr -Eddine professeur à l’université de Tlemcen
Examinateurs :
Mme. BOUAZZA Ahlam née GUEN Maître de conférences à l’université de Tlemcen
Mr. GHAFFOUR Kheir -Eddine professeur à l’université de Tlemcen
Directeur : Mr. BOUAZZA Benyounès Maître de conférences à l’université de Tlemcen
Année universitaire : 2013-2014
Etude des performances d’un transistor
Pseudomorphique à base de AlGaAs/InGaAs/GaAs
(PHEMT)

2

3
Je remercie ALLAH le Tout-puissant de m’avoir donné le courage, la volonté et la
patience de mener à terme ce travail.
Je tiens à remercier en premier lieu, mes promoteurs, monsieur Benyounes
BOUAZZA Maître de conférences à l’université de Tlemcen et Madame BOUAZZA
Ahlam née GUEN Maître de conférences à l’université de Tlemcen. Je les remercie de
m’avoir accueillie et de m’avoir très vite encouragée à participer à des échanges
scientifiques. Leurs grandes disponibilités, leurs rigueurs scientifiques, leur enthousiasme,
leur patience et leurs précieux conseils m’ont permis de travailler dans les meilleures
conditions.
A monsieur CHABANE SARI Nasr-Eddine Professeur à l’université de Tlemcen,
je suis très sensible à l’honneur que vous me faites en acceptant de participer comme
président du jury de ce mémoire. Soyez assuré, monsieur, de mon plus profond respect.
A Monsieur le GHAFFOUR Khair-Eddine Professeur à l’université de Tlemcen, je
suis très reconnaissant de votre acceptation d'être membre des jurys et d’examiner ce
travail.
Soyez assuré, monsieur, de mon plus profond respect.
Mes remerciements vont également Madame BOUAZZA Ahlam née GUEN
Maître de conférences à l’université de Tlemcen, qui a acceptée de faire partie des jurys et
d’examiner ce travail.
Trouveront ici mes sincères reconnaissances à mon mari mes parents mes sœurs et
mes frères pour leurs encouragements.
Je n’oublierai pas la contribution de mes collègues et mes amis de m’avoir
encouragé et de me soutenir moralement durant toute la période de sa préparation sans
oublié tous les personnes du corps administratif du département de la technologie.

4
Je dédie ce modeste travail
A mon cher mari
A ma belle-fille Rania
A mes très chers parents
A mes sœurs belles sœurs
A mes frères beaux frères
A toute ma famille
A mon encadreur monsieur Mr Benyounes BOUAZZA et
Madame BOUAZZA Ahlam
A tous mes collègues et mes amis.
A tous ceux qui ont sacrifié leur temps pour la science et à
tous ceux qui ont utilisé la science pour le bien et la
prospérité de l’humanité.

5
Table des matières
Remerciement…………………………………………………………………….....03
Dédicace…………………………………………………………………………….04
Table de matière…………………………………………………………………….05
Liste des figures……………………………………………………………………..14
Liste des tableaux…………………………………………………………………...19
Introduction générale………………………………………………………………..21
Chapitre I . Les matériaux semi-conducteurs……………………………………….24
I . Introduction………………………………………………………………………24
II . Structure cristalline……………………………………………………………...24
III . Structure de bande……………………………………………………………...27
IV . Phénomènes de transport dans les semi-conducteurs…………………………..30
V . L’intérêt des alliages semi-conducteurs………………………………………...31
VI . Classification des alliages semi-conducteurs…………………………………..36
V.1 . Description……………………………………………………………………36
VI.2 . Les semi-conducteurs binaires……………………………………………….37
VI.2.1 . Les semi-conducteurs II-V………………………………………………...37
VI.2.2 . Les semiconducteurs III-V ……………………………………………….39