Nomenclature des symboles utilisés

Nomenclature des symboles utilisés
Nomenclature des symboles utilisés
A Surface effective de la diode (mm2).
AGD Surface équivalente du MOSFET entre la grille et le drain (mm2).
ar Ratio longueur sur diamètre de l’inductance à air solénoïdale, pages 98-101.
o
r
a Ratio optimal de la longueur sur le diamètre de l’inductance à air
solénoïdale (1.20156), page 99.
c Vitesse de la lumière dans le vide (3x108 m/s).
CDS Capacité équivalente du MOSFET entre drain et source (nF).
CGD Capacité équivalente du MOSFET entre grille et drain (nF).
Cgdj Capacité de déplétion de la zone intercellulaire du MOSFET (nF).
CGS Capacité équivalente du MOSFET entre grille et source (nF).
n
C Coefficient du modèle Auger pour les électrons.
Cox Capacité d’oxyde de grille du MOSFET (nF).
p
C Coefficient du modèle Auger pour les trous.
C1 Capacité entre brins d’une unité de longueur de ligne de transmission (F).
d Distance entre spire de l’inductance à air solénoïdale (m).
d Diamètres d’une spire de l’inductance à air toroïdale (cm), page 52.
D Distance entre le centre de deux spires diamétralement opposées de
l’inductance à air toroïdale (cm), page 52.
D Diamètres d’une spire de l’inductance à air solénoïdale (m).
a
D Constante de diffusion ambipolaire (cm2/s).
n
D Coefficient de diffusion des électrons (cm2.s-1).
p
D Coefficient de diffusion des trous (cm2.s-1).
e Espacement entre spires, isolant compris (m).
C
E Champ électrique critique (MV.cm-1).
G
E Energie de la bande interdite (eV).
(,)Ext Champ électrique (V.m-1).
FC Fréquence de coupure (Hz).
0
f
Coefficient de dimensionnement de l’inductance à air solénoïdale, page 98.
FR Fréquence de résonance (Hz).
G1 Résistance entre brins d’une unité de longueur de ligne de transmission (S).
H Longueur de l’inductance à air solénoïdale (cm), page 97.
ID Courant de diode (A).
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Caractérisation électrique en commutation
de diodes haute tension en carbure de silicium

Nomenclature des symboles utilisés
IF Courant de diode en direct (A).
IR Courant inverse de diode (A).
IRM Courant inverse maximal de diode (A).
()it Courant de diffusion ambipolaire (A).
(,)
n
Jxt Densité de courant des électrons (A.cm-2).
(,)
P
Jxt Densité de courant des trous (A.cm-2).
k Constante de Boltzmann (1.380066x1023 J.K-1).
P
K Transconductance du MOSFET (A.V-2).
L Valeur de l’inductance (H).
La Longueur de diffusion ambipolaire (µm).
LC Longueur du conducteur de l’inductance à air (m).
LD Inductance de maille (nH).
L1 Inductance d’une unité de longueur de ligne de transmission (H).
n Concentration en électrons (cm-3).
N Nombre de spire de l’inductance.
A
N Concentration en impuretés acceptrices (cm-3).
B
N Dopage de la région faiblement dopée du MOSFET (cm-3).
C
N Densité de la bande de conduction (cm-3).
D
N Concentration en impuretés donneurs (cm-3).
i
n Concentration intrinsèque (cm-3).
V
N Densité de la bande de valence (cm-3).
1
n Concentration en électrons caractérisant le niveau de piège (cm-3) (SRH).
p
Concentration en trous (cm-3).
1
p
Concentration en trous caractérisant le niveau du piège (cm-3) (SRH).
q Charge électrique élémentaire (1.602x10-19 C).
Q Charges dans la région faiblement dopée de la diode (C).
(,)
A
R
xt Taux de recombinaison Auger (cm-3.s-1).
rd Résistance d’accès au drain du MOSFET (Ω).
RDS Résistance équivalente du MOSFET entre le drain et la source (Ω).
RDSON Résistance du MOSFET entre drain et source en statique directe (Ω).
rg Résistance d’accès à la grille du MOSFET (Ω).
RON Résistance spécifique (Ω.cm2).
rs Résistance d’accès à la source du MOSFET (Ω).
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Caractérisation électrique en commutation
de diodes haute tension en carbure de silicium

Nomenclature des symboles utilisés
R1 Résistance d’une unité de longueur de ligne de transmission (Ω).
T Température absolue (K).
t Temps (s).
s
w
D
t Temps de commutation au blocage de la diode (ns).
tm Temps de montée de l’appareil de mesure (s).
tr Temps de montée du signal (s).
tRR Temps de recouvrement inverse de la diode (s).
ts Temps de montée restitué en sortie de l’appareil de mesure (s).
S
T Période (ms).
tsys Temps de montée d’un système composé de plusieurs composants (s).
(,)
avalanche
Uxt
Taux de génération par avalanche (cm-3.s-1).
(,)
SRH
Uxt Taux de génération-recombinaison Shockley-Read-Hall (cm-3.s-1).
T
u Unité thermodynamique, égale à kT
q (V).
(,)Uxt Taux de génération-recombinaison total (cm-3.s-1).
B
V Tension de claquage (V).
VBR Tenue en tension de la diode (V).
VD Tension aux bornes de la diode (V).
VF Tension aux bornes de la diode en direct (V).
I
V Tension déterminant la valeur du courant de diode en direct (V).
VR Tension aux bornes de la diode en inverse (V).
VRM Tension inverse maximale aux bornes de la diode (V).
T
V Tension de seuil du MOSFET (V).
B
W Epaisseur de la région de déplétion (µm).
Xjn Largeur de la région fortement dopée N (µm).
Xjp Largeur de la région fortement dopée P (µm).
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Caractérisation électrique en commutation
de diodes haute tension en carbure de silicium

Nomenclature des symboles utilisés
α
,
β
,
γ
,
ζ
Coefficient de dimensionnement de l’inductance à air solénoïdale, page 98.
()
x
Γ Charge effective des atomes dopants (cm-3).
δ
Rapport cyclique.
δ
′ Rapport cyclique de fonctionnement simultané des interrupteurs commandés
de la CCR.
I
I
∆ Ondulation relative du courant dans l’inductance.
ε
Constante diélectrique du milieu considéré (F.m-1).
r
ε
Constante diélectrique relative du milieu considéré.
Si
ε
Constante diélectrique du silicium (105.7x10-12 F.cm-1).
0
ε
Constante diélectrique du vide (8.854x10-12 F.m-1).
θ
Paramètre empirique de modulation de mobilité dans le canal du MOSFET
(V-1).
λ Longueur d’onde de l’onde (m).
n
µ
Mobilité des électrons (cm2.V-1.s-1).
p
µ
Mobilité des trous (cm2.V-1.s-1).
(,)
x
t
ρ
Densité de charge électrique (C.m-3).
σ
Ecart type d’une fonction Gaussienne.
τ Durée de vie ambipolaire (s).
τ Constante de temps du système (s), page 126.
D
τ
Temps de conduction de la diode (µs).
M
τ
Temps de fonctionnement simultané des interrupteurs commandés de la
CCR (s).
n
τ
Durée de vie des électrons (s).
p
τ
Durée de vie des trous (s).
0
τ
Constante de temps de génération dans la ZCE (s).
ν Fréquence de l’onde (Hz).
φ
Phase de la fonction de transfert d’un composant LTI (rad).
(,)
x
tΨ Potentiel électrostatique (V).
w Pulsation du signal (rad.s-1).
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Caractérisation électrique en commutation
de diodes haute tension en carbure de silicium