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IP/01/1013
Bruxelles, le 18 juillet 2001
La Commission autorise un projet de recherche
allemand sur la lithographie extrême ultraviolet
La Commission a décidé de ne pas s'opposer à l'octroi d'une subvention de
120 millions de DEM (soit 60 millions d'euros) en faveur d'un projet allemand
de recherche conjointe d'une durée de cinq ans portant sur la lithographie
extrême ultraviolet (EUV). Cette aide a pour objet d'encourager la
participation de l'Allemagne à un projet Eureka commun visant à développer
la lithographie EUV en Europe, qui pourrait renforcer la position des
fournisseurs européens sur le marché des semi-conducteurs en leur
permettant d'acquérir un savoir-faire et des droits de propriété intellectuelle.
La lithographie constitue l'une des étapes les plus importantes de la fabrication des
circuits intégrés. Un flash lumineux à haute fréquence est utilisé pour imprimer sur
des tranches de silicium l'image multipliée et réduite des modèles de circuit intégré
conçus par les ingénieurs. La résolution des circuits ainsi imprimés dépend de la
longueur d'onde de la lumière utilisée pour l'impression. La génération actuelle de
procédés lithographiques utilise la lumière ultraviolette, dont la longueur d'onde est
de quelques centaines de nanomètres. Étant donné que la taille des
semi-conducteurs ne cesse de diminuer, il est largement admis que dans 10 à
11 ans, la longueur d'onde de la lumière qui sera nécessaire à la lithographie ira
au-delà du spectre ultraviolet, atteignant l'extrême ultraviolet (EUV) ou la zone des
rayons X mous. Comme l'interaction entre la lumière et la matière commence à se
modifier radicalement à ces fréquences, la plupart des techniques à la base de la
lithographie classique doivent être totalement revues. Par exemple, la collimation de
l'EUV ne peut s'effectuer au moyen de lentilles. Il est donc nécessaire de concevoir
toute une série d'instruments d'optique entièrement nouveaux, dotés d'un miroir et
non de lentilles, pour le diriger.
La lithographie EUV se caractérise par un risque scientifique et technique élevé.
Bien qu'il s'agisse d'une technique prometteuse, il n'est absolument pas certain
qu'elle permette à terme de fabriquer des circuits intégrés de moins de 100 nm. Elle
est également en concurrence avec d'autres techniques (telles que le rayon X et la
lithographie par faisceau électronique), qui ont également fait l'objet de nombreuses
études aux États-Unis.
Le volet allemand de ce projet de recherche conjointe sur la lithographie EUV
concernera sept grandes entreprises, trois PME et onze centres de recherche
publics sans but lucratif. Ce projet consiste dans des travaux de recherche
industrielle et de développement préconcurrentiel s'articulant autour de cinq modules
(les sources lumineuses, l'optique, les masques, les supports de masque et la mise
au point de procédés de réserve et lithographiques). Les bases techniques et
scientifiques seront posées au cours de la Phase I (2001-2003) et un modèle
d'instrument d'exposition (répéteur) capable de fonctionner doit être produit au cours
de la Phase II (2004-2005).
L'Allemagne envisage d'octroyer une subvention de 120 millions de DEM (soit
60 millions d'euros) en faveur de ce projet, dont le coût total s'élèvera à
305,8 millions de DEM (soit 157,4 millions d'euros). L'intensité des aides diffère d'un
module à l'autre selon la nature des recherches à mener. Dans l'ensemble, elle ne
dépassera pas 39,3 %.
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