Capteurs de champ magnétique
I. L’effet Hall
Principe :
Lorsqu'un métal ou un semi-conducteur parcouru par un courant est placé dans un champ
magnétique perpendiculaire à la direction de ce courant, il apparaît une différence de potentiel
dans le matériau dans la direction perpendiculaire au courant et au champ magnétique
L'apparition de cette tension est appelée «effet Hall». Le champ magnétique appliqué dévie
les électrons ou les autres porteurs de charge dans une direction perpendiculaire à leur trajet
normal dans le matériau.
C'est en 1879 que cet effet fut découvert par le physicien américain Edwin Herbert Hall: alors
qu'il travaillait à sa thèse de troisième cycle à l'université Johns Hopkins, Hall observa sur des
barreaux de cuivre parcourus par un courant l'apparition d'une différence de potentiel
lorsqu'un champ magnétique était appliqué à ces barreaux
Utilisations :
Jusqu'aux années 1960 l'effet Hall a été principalement utilisé en recherche scientifique pour
obtenir des informations sur la nature des porteurs de charge présents dans un solide, leur
concentration et leur mouvement. Un résultat important de ces recherches a été l'émergence
du concept de «trou» (un site laissé vacant par un électron) comme porteur de charge. Ce
concept a joué un rôle important dans le développement du transistor et d'autres dispositifs à
semi-conducteurs.
Dans les années 1960, l'introduction de composants à matériaux semi-conducteurs, comme
l'antimoniure d'indium et l'arseniure d'indium, a rendu possible la production de tensions Hall
nettement plus élevées que celles obtenues jusque-là. L'effet Hall devint utile non seulement
dans la recherche scientifique mais aussi dans l'industrie. Il est désormais utilisé dans les
gaussmètres, les ampèremètres, les wattmètres, les moteurs à courant continu, les multimètres
analogiques, les compas magnétiques et de nombreux autres instruments et dispositifs. Quand
il est utilisé directement dans le fonctionnement d'un instrument, l'effet Hall sert, par exemple,
à mesurer l'intensité et la direction d'un champ magnétique ou l'intensité d'un courant dans un
conducteur.
Sur le capteur :
Le capteur est un barreau de silicium parcouru par un courant d’intensité I, suivant son axe
horizontal. Il est soumis à un champ magnétique transversal B. Les électrons sont déviés vers
le bas en laissant des charges + de l’autre côté. Une différence de potentiel U apparaît entre la
face supérieure et la face inférieure. C’est la tension de Hall. Cette tension est directement
proportionnelle au champ magnétique appliqué. Le coefficient de proportionnalité dépend des
dimensions du semi-conducteur, du courant le traversant ainsi que du coefficient de Hall. Ce
nombre est une constante du matériau et varie essentiellement en fonction de la concentration
de porteurs et donc de leur mobilité.
Ainsi on appelle U la tension de Hall, et Kh la constante de Hall qui dépend du matériau
utilisé. On obtient alors la formule suivante :
U = Kh x B x I