Evaluation de la robustesse de circuits intégrés vis-à

*ORVVDLUH
ACS “Anode Cathode Spacing” – distance anode cathode (µm)
BBase
BV “Breakdown Voltage” – Tension de claquage (V)
BVCBO Tension de claquage collecteur/base émetteur ouvert(V)
BVCEO Tension de claquage collecteur/émetteur base ouverte (V)
BVox Tension de claquage de l’oxyde (V)
CCollecteur
Cair Capacité équivalente de l’air (pF)
CAO Conception Assistée par Ordinateurs
CC Court-Circuit
CCDM “Contact CDM” – Test CDM par contact
Cdiél Capacité équivalente d’un diélectrique (pF)
CDM “Charged Device Model” – Modèle du composant chargé
Cgb Capacité grille-substrat (pF)
Cgd Capacité grille-drain (pF)
Cgs Capacité grille-source (pF)
CHBM Capacité de charge du test HBM (100 pF)
CMM Capacité de charge du test MM (200 pF)
CPU “Central Processing Unit” – Unité centrale de calculs
DC “Direct Current” – Courant continu
DUT “Device Under Test” – Composant sous test
Champ électrique (V/cm)
EEmetteur
EMMI “Emission Microscopy for Multi-Layer Inspection” – Microscope
à émission
EOS “Electrical Over Stress” – Surcharges électriques
Eox Champ électrique critique de l’oxyde (V/cm)
ESD “Electro-Static Discharge” – Décharges électrostatiques
ESD2“Extremely Sensitive ESD Device” – Composants particulière-
ment sensibles aux ESD
ETB Equation de Transport de Boltzmann
FCDM “Field CDM” – Test CDM par champ
FIB “Focus Ion Beam” – Faisceau d’ions focalisés
GCNMOS “Gate Coupled NMOS” – NMOS à grille couplée
GGNMOS “Grounded-Gate NMOS” – NMOS grille à la masse
HBM “Human Body Model” – Modèle du corps humain
HV “High Voltage” – Haute tension (V)
HVCDM Haute Tension CDM (V)
HVHBM Haute Tension HBM (V)
HVMM Haute Tension MM (V)
HVTLP Haute Tension TLP (V)
ICourant (A)
<I> Courant moyen (A)
Iav Courant d’avalanche (A)
Ibd Courant substrat-drain (A)
Ibs Courant substrat-source (A)
Ids Courant drain-source (A)
Ileak Courant de fuite (A)
IpS Courant de pic en court-circuit (A)
IpR Courant de pic pour 500
IrDistorsion du courant (A)
It1 Courant de 1er claquage (A)
It2 Courant de 2nd claquage (A)
JDensité de courant (A/µm) (cf. p65)
LLongueur d’une ligne de transmission (m)
LDD “Low Diffusion Drain” – Diffusion de drain faiblement dopée
LHBM Inductance parasite d’un testeur HBM (7,5 µH)
LMM Inductance parasite d’un testeur MM (0,5 µH)
LVTSCR “Low Voltage Threshold SCR” – SCR à faible tension de dé-
clenchement
MFacteur de multiplication par avalanche
MEB Microscope Electronique à Balayage
MEMS “MicroElectroMechanical Systems” – Systèmes micro-électro-
mécaniques
MET Microscope Electronique à effet Tunnel
MM “Machine Model”- Modèle de la machine
MOS Metal Oxyde Semiconducteur
N/A Non Applicable
NMOS Transistor MOS canal N
NPN Transistor bipolaire de type NPN
PCB “Printed Circuit Board” – Carte imprimée
PDV “Puissance Dissipation Volume” – Volume de dissipation de
puissance (µm3)
PT Protection ESD
QOpérateur de collisions
R
bRésistance de substrat ()
RdRésistance de drain ()
RDUT “DUT Resistance” – Résistance du composant sous test ()
Rdyn Résistance dynamique ()
RF “Radio Frequencies” – Radio Fréquences
RHBM Résistance de charge HBM (1500 )
Rin Résistance de découplage des étages de protection en entrée ()
RMM Résistance de charge MM (0 )
Roscillo Résistance interne d’un oscilloscope ()
Rout Résistance de découplage des étages de protection en sortie ()
RsRésistance de source ()
SCDM “Socketed CDM” – Test CDM sur support
SCR “Silicon Controlled Rectifier” - Thyristor
SIMS “Secondary Ion Mass Spectroscopy” – Spectroscopie de masse
d’ions secondaires
SOI “Silicon On Insulator” – Silicium sur isolant
SPNMOS “Substrate Pump NMOS” – NMOS à pompage de substrat
TTempérature du réseau (K)
TCAD “Technological Computer-Aided Design” – Outils de simulations
technologiques assistés par ordinateurs
tdS Temps de descente en court-circuit (ns)
tdR Temps de descente aux bornes d’une résistance de 500 (ns)
TEM « Transmission Electronic Microscopy » - Microscopie Electroni-
que à Transmission
TFTempérature de fusion du matériau (K)
TLP “Transmission Line Pulse” – Impulsions générées par une ligne de
transmission
TnTempérature des électrons déthermalisés (K)
Tox Epaisseur d’oxyde (µm)
TpTempérature des trous déthermalisés (K)
trS Temps de montée en court-circuit (ns)
trR Temps de montée aux bornes d’une résistance de 500 (ns)
ULSI « Ultra-Large-Scale Integration » - Intégration à une échelle ultra
large
VTension (V)
<V> Tension moyenne (V)
VhTension de maintien (V)
Vt1 Tension de 1er claquage (V)
Vt2 Tension de 2nd claquage (V)
1 / 3 100%

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