Evaluation de la robustesse de circuits intégrés vis-à
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*ORVVDLUH *ORVVDLUH ACS B BV BVCBO BVCEO BVox C Cair CAO CC CCDM Cdiél CDM Cgb Cgd Cgs CHBM CMM CPU DC DUT & ( E EMMI EOS Eox ESD ESD2 ETB FCDM “Anode Cathode Spacing” – distance anode cathode (µm) Base “Breakdown Voltage” – Tension de claquage (V) Tension de claquage collecteur/base émetteur ouvert(V) Tension de claquage collecteur/émetteur base ouverte (V) Tension de claquage de l’oxyde (V) Collecteur Capacité équivalente de l’air (pF) Conception Assistée par Ordinateurs Court-Circuit “Contact CDM” – Test CDM par contact Capacité équivalente d’un diélectrique (pF) “Charged Device Model” – Modèle du composant chargé Capacité grille-substrat (pF) Capacité grille-drain (pF) Capacité grille-source (pF) Capacité de charge du test HBM (100 pF) Capacité de charge du test MM (200 pF) “Central Processing Unit” – Unité centrale de calculs “Direct Current” – Courant continu “Device Under Test” – Composant sous test Champ électrique (V/cm) Emetteur “Emission Microscopy for Multi-Layer Inspection” – Microscope à émission “Electrical Over Stress” – Surcharges électriques Champ électrique critique de l’oxyde (V/cm) “Electro-Static Discharge” – Décharges électrostatiques “Extremely Sensitive ESD Device” – Composants particulièrement sensibles aux ESD Equation de Transport de Boltzmann “Field CDM” – Test CDM par champ *ORVVDLUH FIB GCNMOS GGNMOS HBM HV HVCDM HVHBM HVMM HVTLP I <I> Iav I bd I bs I ds Ileak I pS I pR Ir I t1 I t2 & J L LDD L HBM L MM LVTSCR M MEB MEMS MET MM MOS N/A NMOS NPN PCB PDV PT Q “Focus Ion Beam” – Faisceau d’ions focalisés “Gate Coupled NMOS” – NMOS à grille couplée “Grounded-Gate NMOS” – NMOS grille à la masse “Human Body Model” – Modèle du corps humain “High Voltage” – Haute tension (V) Haute Tension CDM (V) Haute Tension HBM (V) Haute Tension MM (V) Haute Tension TLP (V) Courant (A) Courant moyen (A) Courant d’avalanche (A) Courant substrat-drain (A) Courant substrat-source (A) Courant drain-source (A) Courant de fuite (A) Courant de pic en court-circuit (A) Courant de pic pour 500 Ω Distorsion du courant (A) Courant de 1er claquage (A) Courant de 2nd claquage (A) Densité de courant (A/µm) (cf. p65) Longueur d’une ligne de transmission (m) “Low Diffusion Drain” – Diffusion de drain faiblement dopée Inductance parasite d’un testeur HBM (7,5 µH) Inductance parasite d’un testeur MM (0,5 µH) “Low Voltage Threshold SCR” – SCR à faible tension de déclenchement Facteur de multiplication par avalanche Microscope Electronique à Balayage “MicroElectroMechanical Systems” – Systèmes micro-électromécaniques Microscope Electronique à effet Tunnel “Machine Model”- Modèle de la machine Metal Oxyde Semiconducteur Non Applicable Transistor MOS canal N Transistor bipolaire de type NPN “Printed Circuit Board” – Carte imprimée “Puissance Dissipation Volume” – Volume de dissipation de 3 puissance (µm ) Protection ESD Opérateur de collisions *ORVVDLUH Rb Rd RDUT Rdyn RF RHBM Rin RMM Roscillo Rout Rs SCDM SCR SIMS SOI SPNMOS T TCAD tdS tdR TEM TF TLP Tn Tox Tp trS trR ULSI V <V> Vh Vt1 Vt2 Résistance de substrat (Ω) Résistance de drain (Ω) “DUT Resistance” – Résistance du composant sous test (Ω) Résistance dynamique (Ω) “Radio Frequencies” – Radio Fréquences Résistance de charge HBM (1500 Ω) Résistance de découplage des étages de protection en entrée (Ω) Résistance de charge MM (0 Ω) Résistance interne d’un oscilloscope (Ω) Résistance de découplage des étages de protection en sortie (Ω) Résistance de source (Ω) “Socketed CDM” – Test CDM sur support “Silicon Controlled Rectifier” - Thyristor “Secondary Ion Mass Spectroscopy” – Spectroscopie de masse d’ions secondaires “Silicon On Insulator” – Silicium sur isolant “Substrate Pump NMOS” – NMOS à pompage de substrat Température du réseau (K) “Technological Computer-Aided Design” – Outils de simulations technologiques assistés par ordinateurs Temps de descente en court-circuit (ns) Temps de descente aux bornes d’une résistance de 500 Ω (ns) « Transmission Electronic Microscopy » - Microscopie Electronique à Transmission Température de fusion du matériau (K) “Transmission Line Pulse” – Impulsions générées par une ligne de transmission Température des électrons déthermalisés (K) Epaisseur d’oxyde (µm) Température des trous déthermalisés (K) Temps de montée en court-circuit (ns) Temps de montée aux bornes d’une résistance de 500 Ω (ns) « Ultra-Large-Scale Integration » - Intégration à une échelle ultra large Tension (V) Tension moyenne (V) Tension de maintien (V) Tension de 1er claquage (V) Tension de 2nd claquage (V)
![[24] La décharge électrique dans les liquides](http://s1.studylibfr.com/store/data/002467189_1-e17cd64e1c81916c4e1a3a9e148a6ca6-300x300.png)
