Evaluation de la robustesse de circuits intégrés vis-à

*ORVVDLUH
ACS “Anode Cathode Spacing” – distance anode cathode (µm)
BBase
BV “Breakdown Voltage” – Tension de claquage (V)
BVCBO Tension de claquage collecteur/base émetteur ouvert(V)
BVCEO Tension de claquage collecteur/émetteur base ouverte (V)
BVox Tension de claquage de l’oxyde (V)
CCollecteur
Cair Capacité équivalente de l’air (pF)
CAO Conception Assistée par Ordinateurs
CC Court-Circuit
CCDM “Contact CDM” – Test CDM par contact
Cdiél Capacité équivalente d’un diélectrique (pF)
CDM “Charged Device Model” – Modèle du composant chargé
Cgb Capacité grille-substrat (pF)
Cgd Capacité grille-drain (pF)
Cgs Capacité grille-source (pF)
CHBM Capacité de charge du test HBM (100 pF)
CMM Capacité de charge du test MM (200 pF)
CPU “Central Processing Unit” – Unité centrale de calculs
DC “Direct Current” – Courant continu
DUT “Device Under Test” – Composant sous test
Champ électrique (V/cm)
EEmetteur
EMMI “Emission Microscopy for Multi-Layer Inspection” – Microscope
à émission
EOS “Electrical Over Stress” – Surcharges électriques
Eox Champ électrique critique de l’oxyde (V/cm)
ESD “Electro-Static Discharge” – Décharges électrostatiques
ESD2“Extremely Sensitive ESD Device” – Composants particulière-
ment sensibles aux ESD
ETB Equation de Transport de Boltzmann
FCDM “Field CDM” – Test CDM par champ

FIB “Focus Ion Beam” – Faisceau d’ions focalisés
GCNMOS “Gate Coupled NMOS” – NMOS à grille couplée
GGNMOS “Grounded-Gate NMOS” – NMOS grille à la masse
HBM “Human Body Model” – Modèle du corps humain
HV “High Voltage” – Haute tension (V)
HVCDM Haute Tension CDM (V)
HVHBM Haute Tension HBM (V)
HVMM Haute Tension MM (V)
HVTLP Haute Tension TLP (V)
ICourant (A)
<I> Courant moyen (A)
Iav Courant d’avalanche (A)
Ibd Courant substrat-drain (A)
Ibs Courant substrat-source (A)
Ids Courant drain-source (A)
Ileak Courant de fuite (A)
IpS Courant de pic en court-circuit (A)
IpR Courant de pic pour 500 Ω
IrDistorsion du courant (A)
It1 Courant de 1er claquage (A)
It2 Courant de 2nd claquage (A)
JDensité de courant (A/µm) (cf. p65)
LLongueur d’une ligne de transmission (m)
LDD “Low Diffusion Drain” – Diffusion de drain faiblement dopée
LHBM Inductance parasite d’un testeur HBM (7,5 µH)
LMM Inductance parasite d’un testeur MM (0,5 µH)
LVTSCR “Low Voltage Threshold SCR” – SCR à faible tension de dé-
clenchement
MFacteur de multiplication par avalanche
MEB Microscope Electronique à Balayage
MEMS “MicroElectroMechanical Systems” – Systèmes micro-électro-
mécaniques
MET Microscope Electronique à effet Tunnel
MM “Machine Model”- Modèle de la machine
MOS Metal Oxyde Semiconducteur
N/A Non Applicable
NMOS Transistor MOS canal N
NPN Transistor bipolaire de type NPN
PCB “Printed Circuit Board” – Carte imprimée
PDV “Puissance Dissipation Volume” – Volume de dissipation de
puissance (µm3)
PT Protection ESD
QOpérateur de collisions

R
bRésistance de substrat (Ω)
RdRésistance de drain (Ω)
RDUT “DUT Resistance” – Résistance du composant sous test (Ω)
Rdyn Résistance dynamique (Ω)
RF “Radio Frequencies” – Radio Fréquences
RHBM Résistance de charge HBM (1500 Ω)
Rin Résistance de découplage des étages de protection en entrée (Ω)
RMM Résistance de charge MM (0 Ω)
Roscillo Résistance interne d’un oscilloscope (Ω)
Rout Résistance de découplage des étages de protection en sortie (Ω)
RsRésistance de source (Ω)
SCDM “Socketed CDM” – Test CDM sur support
SCR “Silicon Controlled Rectifier” - Thyristor
SIMS “Secondary Ion Mass Spectroscopy” – Spectroscopie de masse
d’ions secondaires
SOI “Silicon On Insulator” – Silicium sur isolant
SPNMOS “Substrate Pump NMOS” – NMOS à pompage de substrat
TTempérature du réseau (K)
TCAD “Technological Computer-Aided Design” – Outils de simulations
technologiques assistés par ordinateurs
tdS Temps de descente en court-circuit (ns)
tdR Temps de descente aux bornes d’une résistance de 500 Ω (ns)
TEM « Transmission Electronic Microscopy » - Microscopie Electroni-
que à Transmission
TFTempérature de fusion du matériau (K)
TLP “Transmission Line Pulse” – Impulsions générées par une ligne de
transmission
TnTempérature des électrons déthermalisés (K)
Tox Epaisseur d’oxyde (µm)
TpTempérature des trous déthermalisés (K)
trS Temps de montée en court-circuit (ns)
trR Temps de montée aux bornes d’une résistance de 500 Ω (ns)
ULSI « Ultra-Large-Scale Integration » - Intégration à une échelle ultra
large
VTension (V)
<V> Tension moyenne (V)
VhTension de maintien (V)
Vt1 Tension de 1er claquage (V)
Vt2 Tension de 2nd claquage (V)