FIB “Focus Ion Beam” – Faisceau d’ions focalisés
GCNMOS “Gate Coupled NMOS” – NMOS à grille couplée
GGNMOS “Grounded-Gate NMOS” – NMOS grille à la masse
HBM “Human Body Model” – Modèle du corps humain
HV “High Voltage” – Haute tension (V)
HVCDM Haute Tension CDM (V)
HVHBM Haute Tension HBM (V)
HVMM Haute Tension MM (V)
HVTLP Haute Tension TLP (V)
ICourant (A)
<I> Courant moyen (A)
Iav Courant d’avalanche (A)
Ibd Courant substrat-drain (A)
Ibs Courant substrat-source (A)
Ids Courant drain-source (A)
Ileak Courant de fuite (A)
IpS Courant de pic en court-circuit (A)
IpR Courant de pic pour 500 Ω
IrDistorsion du courant (A)
It1 Courant de 1er claquage (A)
It2 Courant de 2nd claquage (A)
JDensité de courant (A/µm) (cf. p65)
LLongueur d’une ligne de transmission (m)
LDD “Low Diffusion Drain” – Diffusion de drain faiblement dopée
LHBM Inductance parasite d’un testeur HBM (7,5 µH)
LMM Inductance parasite d’un testeur MM (0,5 µH)
LVTSCR “Low Voltage Threshold SCR” – SCR à faible tension de dé-
clenchement
MFacteur de multiplication par avalanche
MEB Microscope Electronique à Balayage
MEMS “MicroElectroMechanical Systems” – Systèmes micro-électro-
mécaniques
MET Microscope Electronique à effet Tunnel
MM “Machine Model”- Modèle de la machine
MOS Metal Oxyde Semiconducteur
N/A Non Applicable
NMOS Transistor MOS canal N
NPN Transistor bipolaire de type NPN
PCB “Printed Circuit Board” – Carte imprimée
PDV “Puissance Dissipation Volume” – Volume de dissipation de
puissance (µm3)
PT Protection ESD
QOpérateur de collisions