Contrôle optique in-situ - reseau des plasmas froids

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Journées Plasmas-
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hotovoltaï
q
ues 08-09 Novembre 2010
Contrôle optique R & T in situ:
un outil précieux !
Michel Cathelinaud
MRCT Meudon-Institut Fresnel Marseille

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ues 08-09 Novembre 2010
Principe du contrôle optique in situ
Source
sputtering
: Ar, N2,
O2
Substrat
Technique de dépôt
Temps pour critère
d’arrêt du dépôt
t0 <=> épaisseur
Mais aucune information sur les
propriétés optiques de la couche!

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Source
sputtering
: Ar, N2,
O2
R
Source lumineuse
Principe du contrôle optique in situ
T
{λ}
λ0
Substrat
Couche unique
λ0
{ λ}
λ0
0
0,05
0,1
0,15
0,2
0,25
0,3
500 700 900 1100
Longueur d'onde (nm)
Réflexion
R substrat
R couche {λ}
Épaisseur optique

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Evolution de filtres quart d’onde à λ0
Epaisseur optique
T
HB
λ0
Critère d’arrêt du dépôt pour λ0
=> λ0tel que 0
e
T=
∂
∂
2% à la
25ème couche
Longueur d'onde
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
λ0

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Suivre l’évolution de Texp(λ) et de la comparer à Tthéo (λ)
couche après couche entre λmin et λmax
Passe haut
λλλλ
λ
λ
dxTxTvxF n
théo
mni ⎥
⎦
⎤
⎢
⎣
⎡−=∫),(),()()( exp
max
Relevé spectral en cours de dépôt
=> critère d’arrêt F ->ε