2. Autour du point de fonctionnement
précédemment défrni du dipôle, celui-ci présente
une
résistance
dynamique Rj:50O. La fem E:3V est remplacée
par une fem e(t):(3+0,l.sinot)
; donner
I'expression
de la
I e.[]-)=
j lo
u^ irÙ.
.r\\u à*
V)
,of
,\, s
U=Ro1c
i
K
$,joos-
IV) Une diode au Silicium à une
température
T=300KF urre tension
de seuil de 0,6V et un coefficient
d'idéalite
n=2. Elle est
polarisée sous un courant continu de 20mA ; donner I'expression
et la valeur de sa
résistance
dynamique.
V) Lorsqu'elle
conduit, la diode Zener utilisée ici présente
une
résistance dynarnique
nulle ; sa
tension
zener est égale à 5,6V, et dans le sens
direct, elle a une
tension de seuil de 0,6V
l. En précisant
patdn-sohéma les orientations
du courant et de la tension
que
vous choisissez,
représenter la caxactéristiq$e
i(v) /e la diode zener. ,..-
2. 'lracer la cara&éri$fque
i(v) du dipôle suivant /.V -r/
ù1
?tv
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4
R
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K
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