TD3 - Faculté des Sciences de Rabat

1
R
2
R
C
R
E
R
CC
V
1
Q
2
Q
10
V
10
V
−
5.1
k
Ω
4.3
k
Ω
9.1
k
Ω
100
k
Ω
9.1
k
Ω
Université Mohammed V -Rabat Printemps 2017
Faculté des Sciences Sections : A/B/C
SMP4 : Electronique
Série n°3 : Transistors Bipolaires/Régime Statique
Exercice 1 :
Pour le circuit suivant, déterminer et. Le transistor est caractérisé par = 50,()=
0.7en mode normal/saturation|()| ≅ 0.2.
Exercice 2 :
On considère le circuit de polarisation par pont diviseur de la figure 1.
On donne = 5,= 0.2Ω, = 1Ω,= 100 et = 0.7.
1°) Si+= 11.25Ω, determiner et de sorte que le point de
fonctionnement soit au «milieu de la droite de charge ».
2°) Les résistances et étant fixées, calculer la variation Δpour
une augmentation de température de 20°C. A la température
initiale  = 0.7et  = 5.
On note que la tension  diminue quand la température augmente
à raison de 2mV/°C et  double de valeur pour chaque augmentation de 10°C.
Exercice 3 :
Les transistors Q1 et Q2 sont caractérisés par = 100. La tension
||= 0.7.
Déterminer , et .
Fig.2

15
CC
V V
=
1
10
R k
= Ω
2
10
R k
= Ω
100
B
R k
= Ω
Transistor :
200
β
=
0.7
BE
V V
=
, Tension Early
10
E
R k
= Ω
4.7
L
R k
= Ω
A
V
= ∞
Exercice 4 : On considère le circuit de la figure 2.
1- Etablir le schéma en statique. Déterminer le courant collecteur.
2- On suppose une température ambiante. Déterminer r=ℎ et établir le schéma en
dynamique de l’amplificateur.