Transistor MOS en commutation page 2
1. Donner les équations pour chaque phase de la tension vDS (t) et du courant iD (t).
2. Déduire de ces équations l'expression de la puissance instantanée p(t) = vDS (t) * iD (t) dissipée par le transistor.
3. Tracer le chronogramme de p(t).
4. Commenter.
5. Evaluer la puissance moyenne P dissipée par le transistor si la période est T = 10 µs. On pourra approcher la forme
des pics de puissance par des triangles.
3. Manipulation
1) MESURE DE LA CAPACITE GRILLE-SOURCE
Montage d'étude
VA = 20 V
1 k
1 k
vG (t)
STD20NF06
e (t)
On applique à l'entrée du montage un signal carré dont l'amplitude est telle qu'il n'y ait pratiquement pas de
mise en conduction du composant.
1. S'assurer que le transistor ne conduit pas en observant la tension vDS.
2. Relever l'allure des signaux e (t) et vG (t) et préciser les conditions de mesure.
3. Déduire la valeur de la capacité d'entrée CISS.
4. Peut-on évaluer la valeur de la capacité CGS ? Commet-on des erreurs de mesure ?
2) COMMUTATION SUR CHARGE RESISTIVE
Montage d'étude: Le même que le précédent avec une résistance de charge RL = 220 (2 W).
vD (t)
1 k
10
VA = 20 V
STD20NF06
e (t)
vG (t)
RL
vS (t)
0.1
Le signal e (t) est réglé pour assurer la mise en conduction maximale et le blocage du transistor.
1. Relever les signaux e (t), vG (t), vD (t) et vS (t) en concordance temporelle.
Commenter et expliquer les différentes phases.