• Déterminer la valeur des courants de collecteur IC3 et IC4 de T3 et T4 ainsi que celle du
générateur de courant I0.
• Calculer les potentiels des différents nœuds par rapport à la masse avec |VBE | = 0,6 V.
1.2) Dessiner le schéma équivalent aux petites variations et aux fréquences moyennes du montage
complet. Les générateurs ve1 et ve2 ont une résistance interne supposée nulle.
On nommera : rbe1 = rbe2 = rben et rbe3 = rbe4 = rbep. Utilisez de préférence le schéma en «
!
n, p ib».
1.3) Déterminer le gain différence Ad de l’amplificateur différentiel. Faire l’A.N.
On suppose par la suite que la résistance interne Ri de la source de courant est infinie.
1.4) En déduire alors, la relation simple qui existe entre les tensions de sortie vs1 et vs2.
1.5) Sachant que l’amplificateur sera utilisé en mode asymétrique en exploitant uniquement la
sortie vs2, on posera : ve= ve1-ve2 et vs = vs2.
Déterminer alors le gain en tension du montage A = vs/ve. Faire l’A.N.
1.6) Déterminer la résistance d'entrée différentielle Red du montage vue entre les bases B1 et B2.
1.7) Déterminer la résistance de sortie Rs du montage vue entre le collecteur de T4 et la masse en
utilisant la méthode de l’ohmmètre.
2° PARTIE : UTILISATION DE « CHARGES ACTIVES »
Figure 2
L’intégration monolithique des résistances R de 1 M" est impossible car leur taille est
incompatible avec la surface de la puce de silicium d’environ 1 mm2. On préfère donc (figure 2) les
remplacer par un « miroir de courant » composé des transistors T5 et T6 identiques tels que :
!n = 100 et rce = 500 K".