Département de recherche fondamentale sur la matière condensée [email protected] Faits marquants du DRFMC Des microcavités pour l'infrarouge n° 386 - 1/03/96 lp_bleu1.gif (847 octets) Une microcavité c'est un milieu optique dans lequel un petit nombre de modes optiques sont seuls autorisés à se propager. De même qu'un filtre très sélectif ne transmet qu'une bande étroite de longueurs d'onde, la microcavité ne laissera prendre naissance et se propager que les photons dont la longueur d'onde est située dans une bande bien délimitée. Le Laboratoire de Physique des Semiconducteurs du Service de Physique des Matériaux et Microstructures a réalisé récemment les premières diodes électroluminescentes à microcavité fonctionnant dans l'infrarouge (3.2 µm). La microcavité est du type Fabry-Perot, avec deux miroirs séparés par un espace épais d'une demi longueur d'onde (l/2). Elle est réalisée de façon très compacte et monolithique, comme celle représentée sur le schéma de la figure 1. Le miroir inférieur est un miroir interférentiel constitué de plusieurs paires de couches, qui ont chacune l'épaisseur l/4 (l'indice n est l'indice de la couche considérée). Les paires sont constituées à partir des semiconducteurs CdTe et HgTe pour lesquels l'indice varie de 2.6 à 3.3 et la variation de maille cristalline reste inférieure à 1/1000. C'est donc un excellent système pour réaliser des miroirs de Bragg par épitaxie par jets moléculaires, qui n'avait pas encore été utilisé dans ce type d'application. Les miroirs sont fabriqués en empilant alternativement des couches de Cd0.75Hg0.25T et de Cd0.5Hg0.5Te. Le domaine d'élection de ces miroirs se situe dans l'infrarouge. Leur réflectivité peut atteindre 98% la longueur d'onde de 4.5µm, par exemple. A partir de cette brique élémentaire, il a été possible de réaliser des diodes électroluminescentes à microcavité émettant dans l'infrarouge, à température ambiante. Dans ce composant, le miroir inférieur est constitué de 10,5 périodes, et épais de 5 µm environ. Sa réflectivité est de 86%, suffisante pour l'application envisagée. Au dessus de ce miroir, on rencontre le milieu de la cavité résonante proprement dite, constitué de nouveau d'un alliage Cd0.75Hg0.25Te. Son épaisseur e fixe la longueur d'onde de résonanc de la cavité, suivant la formule e=l0/2n, où n est l'indice optique du matériau de la cavité. Dans le cas présent la longueur d'onde de résonance a été fixée à 3,2µm. Puisque l'objectif est de faire un composant émetteur de lumière, faut introduire dans la cavité une couche active émettrice de lumière. Elle est constituée de 50 nm d'un alliage CdXHg XTe dont la composition est ajustée pour émettre de la lumière autour de la longueur d'onde de résonance. Pour être complète la cavité doit être terminée par un second miroir qui pourrait être semblable au miroir inférieur. Une solution plus simple a été retenue; elle consiste à déposer un miroir métallique en or, qui, en outre, permet de prendr le contact sur le composant. De part et d'autre de la couche active, des régions de la cavité sont dopées n et p et des contacts métalliques sont pris grâce à la couche d'or (le miroir supérieur) et à une couche d'indium déposée dans un trou gravé. Le passage de courant électrique entre les deux contacts conduit à injecter des électrons et des trous dans la cavité et leur recombinaison dans la couche active produit une émission de lumière, que l'on observe à travers le substrat. La figure 2 montre le spectre de la lumière émise par ce nouveau composant. Il est constitué d'une bande étroite autour de 3,2 µm, puisque c'est la résonance de la cavité qui contrôle la lumière émise. La largeur de la bande d'émission est beaucoup plus étroite que la bande qui serait naturellement émise par le milieu actif seul et qui est donnée sur la figure à titre de comparaison. Cette propriété peut se révéler très économe en énergie pour des applications, telles que la détection de polluants par leur absorption sélective du rayonnement infrarouge, qui ne nécessitent qu'un spectre étroit de lumière Les spectres obtenus à des températures aussi différentes que 15 K et 300K montrent que la longueur d'onde émise varie très peu, et cela est certainement un autre atout de ce composant. La large gamme des longueurs d'onde émise par le semiconducteur change avec la température (de 2.9 à 3.2 µm), mais la cavité sélectionne une bande étroite de longueur d'onde qui, elle, est indépendante de la température. Un autre avantage, qui a pu être vérifié, est que le cône d'émission de la lumière est rendu bien plus étroit par l'effet de la cavité. Les applications des diodes électroluminescentes dans l'infrarouge peuvent être multiples, que ce soit dans le domaine des télécommunications optiques à travers l'atmosphère (la bande de transmission 3-5 µm est bien connue) ou de l'environnement (la plupart des composants organiques et des polluants ont des bandes d'absorption intenses dans l'infrarouge). On peut imaginer des systèmes de détection très simples constitués de 2 diodes, l'une des diodes émet lumière correspondant à la bande d'absorption et l'autre détecte la fraction du rayonnement qui a traversé la couche polluée. Comme les rayonnements de grande longueur d'onde sont moins sensibles au brouillard, cela peut rendre commode leur utilisation pour des mesures dans des conditions difficiles (pollution au dessus d'un site industriel, instrument embarqué sur une automobile, etc.). Figure 1 : Schéma d'une diode électroluminescente à microcavité réalisée en CdHgTe. Figure 2 : Le spectre de lumière émise par la diode électroluminescente à cavité résonante. Le spectre évolue très peu avec la température. Pour comparaison on montre le spectre large correspondant à l'émission du milieu actif seul, s'il n'était pas associé à une cavité résonante. Contacts : [email protected]