Etude des mécanismes de dégradation des Transistors Bipolaires à

Etude des m´ecanismes de d´egradation des Transistors
Bipolaires `a H´et´erojonction sur substrat InP destin´es
aux communications optiques
Jean-Christophe Martin
To cite this version:
Jean-Christophe Martin. Etude des m´ecanismes de d´egradation des Transistors Bipolaires `a
H´et´erojonction sur substrat InP destin´es aux communications optiques. Micro et nanotech-
nologies/Micro´electronique. Universit´e Sciences et Technologies - Bordeaux I, 2004. Fran¸cais.
HAL Id: tel-00010886
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Submitted on 8 Nov 2005
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N° d’ordre : 2853
THESE
Présentée à
L’UNIVERSITE BORDEAUX 1
ECOLE DOCTORALE DES SCIENCES PHYSIQUES ET DE L’INGENIEUR
Par Jean-Christophe MARTIN
POUR OBTENIR LE GRADE DE
DOCTEUR
SPECIALITE : ELECTRONIQUE
________
Etude des mécanismes de dégradation
des Transistors Bipolaires à Hétérojonction sur substrat InP
destinés aux communications optiques
________
Soutenue le 30 septembre 2004
Après avis de : M. J.M. DUMAS Professeur, ENSIL, Université Limoges Rapporteur
M. F. PASCAL Maître de Conférence, CEM2 Rapporteur
Devant la commission d’examen formée de :
M. J. GODIN Ingénieur, Alcatel R&I, Marcoussis Examinateur
Mme. N. LABAT Professeur, IXL, Université Bordeaux 1 Examinateur
Mme. C. MANEUX Maître de Conférence, IXL, Université Bordeaux 1 Examinateur
M. T. ZIMMER Professeur, IXL, Université Bordeaux 1 Président
M. P. BODET Ingénieur, OMMIC, Limeil-Brévannes Examinateur
M. A. TOUBOUL Professeur, IXL, Université Bordeaux 1 Examinateur
- 2004 -

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- Remerciements -
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Les travaux présentés dans ce mémoire ont été réalisés au Laboratoire de
Microélectronique IXL de l’Université Bordeaux 1, dirigé par le Monsieur le Professeur
A. TOUBOUL. Je suis très sensible à la confiance qu’il m’a témoigné depuis mon arrivée au
laboratoire en tant que directeur de cette thèse.
Je remercie Madame le Professeur N. LABAT, codirectrice de cette thèse, pour la confiance
quelle m’a accordée tout au long de ces années.
Je remercie également Madame C. MANEUX, pour m’avoir encadré de façon disponible et
sympathique tout au long de ces années.
Je suis particulièrement reconnaissant à Monsieur le Professeur J.-M. DUMAS de l’ENSEIL
de l’Université de Limoges et Monsieur F. PASCAL du CEM2 de l’Université de Montpellier,
pour avoir accepté d’examiner ce mémoire et d’en être les rapporteurs ; j’ai beaucoup
apprécié l’efficacité de leur travail et la pertinence de leurs remarques.
Je tiens à remercier Monsieur le Professeur A.-S. BARRIERE ainsi que L. HIERSHE pour
leur aide et leurs discussions fructueuses en particulier sur la physique des semi-conducteurs
III-V et l’optoélectronique.
Je remercie Monsieur Ph. CAZENAVE pour sa disponibilité face à mes nombreuses questions
sur la physique du semi-conducteur.
Je remercie Monsieur F. VERDIER pour m’avoir éclairé sur les techniques de mesure de
bruit basse fréquence.
Je remercie Monsieur B. ARDOUIN pour m’avoir aidé patiemment en début de thèse sur les
techniques de modélisation et de caractérisation électrique ainsi que pour sa bonne humeur.
Je tiens à remercier tout particulièrement Monsieur le Professeur A. OUSTALOUP ainsi que
Monsieur B. LABOUILLE pour avoir contribué de façon décisive dans la poursuite de mes
études.
Je remercie également Monsieur J. GODIN Directeur du Groupe Composants Bipolaires à
Hétérojonctions à ALCATEL/OPTO+ R&I ainsi que Monsieur le Professeur T. ZIMMER du
laboratoire IXL pour l’intérêt qu’ils portent à ces travaux et pour l’honneur qu’ils me font en
participant à ce jury.
Je tiens aussi à remercier Madame A. PENARIER du CEM2 de l’Université de Montpellier
pour m’avoir fourni des informations précieuses sur les mesures de bruit basse-fréquence.
Je remercie vivement Madame N. LAVIGNE, C. HEYNAUD, B. PLANO et C. FAURENS pour
leur participation aux travaux de ce mémoire.
Enfin, je ne saurais oublier les membres du Laboratoire pour le climat agréable qu’ils ont su
créer et maintenir et qui a contribué au bon déroulement de cette thèse.

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