tel-00006692 - TEL (Thèses-en

1
Conception d'une caméra bolométrique
pour la radioastronomie millimétrique à
grand champ
Soutenance de thèse de
Samuel LECLERCQ
Président : Laurent PUECH (UJF)
Rapporteur : Maurice CHAPELLIER (CEA)
Rapporteur : François PAJOT (IAS)
Jury :
Directeur : Alain BENOIT (CRTBT)
Codirecteur : François-Xavier DESERT (LAOG)
Examinateur : Karl-Friedrich SCHUSTER (IRAM)
2
Plan de l'exposé
I. Besoins astrophysiques et spécifications instrumentales.
II. Caméra bolométrique et thermomètres en NbSi.
III. Électronique multiplexée.
Conclusion.
3
I.1. Intérêt des ondes millimétriques pour l'astrophysique.
Longueurs d’ondes ([m]) et fréquences ([GHz]) du spectre électromagnétique

109
[m]

106
103
10-3
1
Microondes
Ondes Radio
[GHz] 10-9
10-6
0,001
1
Infrarouges
1000
10-6
UV
10-9
Rayons
X
106
Le rayonnement fossile
Continuum d'origine thermique
Rayonnement de corps noir à T = 2,725 K
T
5
sur tout le ciel. Fluctuations : T  310
 Besoins : grand champ de vue, grande sensibilité
109
10-12
10-15
Gammas Cosmiques
1012
1015
4
I.1. Intérêt des ondes millimétriques pour l'astrophysique.
L'effet Sunyaev-Zeldovich
Interactions : photons du rayonnement fossile
et électrons du gaz ionisé intergalactique.
B
(10-20
W/m2/Hz/sr)
400
Corps noir à
TCMB = 2,725 K
350
300
250
Corps noir à
TCMB déformé
par l'effet SZ
200
150
100
50
0
0
B
(MJy/sr)
100
200
300
400
500
600
700
800
700
800
 (GHz)
0.04
Variation relative d'intensité
0.03
0.02
0.01
0
 Cartographie des amas de galaxies
-0.01
 Besoins : grand champ de vue, grande
sensibilité, plusieurs longueurs d'ondes
-0.02
0
100
200
300
400
2 mm 1 mm
500
600
 (GHz)
5
I.1. Intérêt des ondes millimétriques pour l'astrophysique.
Effet de décalage vers le rouge des spectres des galaxies distantes
 Sondage de l’univers lointain
(GHz)300000
30000
3000
300
Distance
Émission diffuse due aux
poussières interstellaires
(m)
 Observations des régions de formation d’étoiles et des galaxies proches
 Besoins : grande sensibilité, grand champ de vue, haute résolution angulaire
Détecteurs atteignant les limites fondamentales et les limites
instrumentales d'un grand télescope millimétrique
30
6
I.2. Optique du télescope de 30 mètres de diamètre de l'IRAM.
Pourquoi le 30 m ?
Le plus grand télescope millimétrique du monde
Télescope Cassegrain
Focale effective : fe ≈ 300 m Ouverture : fe/D ≈ 10
Résolution angulaire  /D : limitée par la diffraction
Champs de vues du télescope
Q
Rayons d'incidence non nulle
Rayons
d'incidence nulle
Plan focal du télescope
Axe de
visée
Éléments optiques
du télescope
Lentille équivalente au télescope
:
260" (0,07°)
Résolution typique : 10"
 530 taches de diffraction dans
le champ
Champ au plan focal : d = 37 cm
7
I.2. Optique du télescope de 30 mètres de diamètre de l'IRAM.
Pourquoi le 30 m ?
Le plus grand télescope millimétrique du monde
Télescope Cassegrain
Focale effective : fe ≈ 300 m Ouverture : fe/D ≈ 10
Résolution angulaire  /D : limitée par la diffraction
Champs de vues du télescope
Q
Rayons d'incidence non nulle
Lentille froide
Plan image : champ ≈ 10 cm
Rayons
d'incidence nulle
Axe de
visée
Lentille de champ
Lentille équivalente au télescope
:
260" (0,07°)
Résolution typique : 10"
 530 taches de diffraction dans
le champ
Champ au plan focal : d = 37 cm
I.2. Optique du télescope de 30 mètres de diamètre de l'IRAM.
Objectif : dimensionner l’optique de reprise pour
que les aberrations soient plus petites que les taches
de diffraction.
Deux configurations possibles dans la cabine du
télescope
Vue de profil
Champ A
Renvoi
Champ B
8
I.3. Photométrie au télescope de 30 mètres de diamètre de l'IRAM.
Calcul des puissances incidentes sur la matrice
Lumière sur le détecteur : dominée par les rayonnements parasites
Atmosphère :
Sources : Télescope et optique :
Rayonnement Fossile :
Puissance sur le détecteur
TA = 250 K
TT = 280 K
TRF = 2,73 K
M
Pj  Ek .  j ( ). ti ( ).B j ( ,T .d
m
i
[W 
Effectif (puissance d' une tache) : a = 1
Ek = étendue de faisceau Sk.Wk = a 2 
Pixel (4 par tache à mi - puissance) : a = 0,16
j = émissivité = 1- ti
ti = transmission
Bj = brillance ( corps noir)
tt = 0,9
Transmissions des éléments
tfiltres ≈ 0,2 tlentilles = 0,95
ta : dépend de ...
9
10
I.3. Photométrie au télescope de 30 mètres de diamètre de l'IRAM.
Opacité de l'atmosphère
au
t
zénith
Transmission : ta = exp(-t)
Fluctuation d'humidité
(nuages)  bruit de ciel
Choix du matériau pour la lentille
Polyéthylène : t(5cm) = tI (1 rI )2 = 85 %
 [GHz]
Transmission des filtres
Limites fondamentales : bruit de photon
2
2
 n 2  (n  n   n  n 2  NEPPhoton  NEPPoi
sson  NEPBoson
2
[W
Hz

Ondes millimétriques dans une tache de diffraction : NEPP ≈ NEPB
Spécifications instrumentales pour une utilisation optimale du 30m
Bilan photométrique pour 1 pixel
Longueur d'onde (mm/GHz)
1,2 / 250
2,1 / 143
Nombre de pixels (ΩCV = 60 arcmin2)
6262
3535
Taille des pixels (mm) (DCV = 9,2 cm)
1,5
2,6
Puissance totale (pW)
6,6
4,6
P galaxie 1012 L : flux de 1 mJy (10-17 W)
0,62
0,26
Dynamique Ptot/Pmin
107
107
NEP photons 1 mm vp (10-17 W/ Hz )
NEFD (mJy s )
5,4
2,5
10
15
Limite e détection à 3  en 1h (mJy)
0,3
0,4
Temps pour détecter 1 galaxie de 1mJy avec 4 pixels (min)
20
30
Sensibilité de la matrice :
Meilleurs instruments actuels :
1 galaxie haut redshift en 1 heure
1 galaxie haut redshift en plus de 10 heures
11
12
II. Les détecteurs
Bolomètres : détection d'énergie par mesure de température
Adaptés au ondes millimétriques.
Nécessité de refroidir (cryostat  100 mK)
Caractéristiques :
Sensibilité
Lien thermique
NEP
Collecteur à antenne [Lukanen]
SpiderWeb Ge [Bock]
Matrices :
Ex : Archeops ; Planck
Réalisation collective
Sensibilité pixel / taille
Facteur de remplissage (Fr)
Homogénéité
Échantillonnage
Vitesse de cartographie
MAMBO II [Kreysa]
Cornets : avec : Fr < 40%, Sans Fr > 90%, mais ! lumière parasite
13
II.1. Les bolomètres
Principe de fonctionnement du bolomètre idéal
T
Rayonnement
Thermomètre : A
I
T 
Absorbeur : C
Lien
thermique : G
Bain : Tcryo
G
t
(
dE
dT
b
b
C
 Pray(t  Pél (t  G  T (t)  Tcryo
dt
dt

Absorbeur et thermomètre isothermes : Pél = R(T)I2
C
Temps de réponse t 
Gd
Mesure : V = R(T)I
Pray
dPfuit e
 sensibilité
Conductance dynamique Gd 
dT
Coefficient de température  
1 dR 1

K 
[
R dT
A
d ln R
d lnT
Thermomètres résistifs < 0 conduction par sauts : A = 5…15 (1MW…100GW)
Thermomètres supraconducteurs > 0 transition supra-normal : A = 200…1000 (1mW … 10W)
II.1. Les bolomètres
Bruits fondamentaux
• Fluctuations thermodynamique du bolomètre
thermiques  expressions similaires
• Bruit Johnson dans le thermomètre (électrons)
Comparables si réponse linéaire. NEPJohnson < NEPThermodyn si A >> 1
NEPFondam  kB TcryoPray
 Intérêt des très basses T
Bolomètre pas idéal  autres bruits (environnement, amplificateur, excès du thermomètre, etc.)
[

2
2
2
2
Bruit total : NEPTOT W / Hz  NEPPhoton
 NEPJohnson
 NEPPhonon
 NEPAut
res
Objectif : NEPInstrument ≤ NEPPhoton/3
Bolomètre idéal optimisé
P  Pray
*
él
*
d
( 
G Tcryo
Pray

Tcryo
NEPJohnson ≥ 0,5 NEPInstrum
Pray = 1pW ; Tcryo = 100mK  NEPInstrum = 10-17 W/Hz1/2
14
15
II.2. Intérêt du NbxSi1-x pour la thermométrie résistive
Transport électrique dans les Isolants d'Anderson
E
Transition métal-isolant

q=Eij
Ej
Ei
r
Conduction par sauts à portée
variable  résistivité :
T0 n 
 (T )   0 exp   
 T 
1/4  n  1
 Très bons thermomètres : Grande sensibilité à très basse température (A ~ 3 à 10).
Si R ≈ 10 MW : bien adaptée aux transistors FET. R et C ajustables pour T donnée
(composition, recuit, géométrie). Films minces : bien adapté à la bolométrie.
II.2. Intérêt du NbxSi1-x pour la thermométrie résistive
Conduction électrique sous polarisation non nulle
Optimisation du signal :
V A

RP
T T
Polarisation électrique P = VI
Sensibilité sans dimension (A ~ 3 à 10 pour les I.A.)
2 phénomènes limitent la polarisation électrique des I.A. :

e   ≈ 10 nm (longueur de
E localisation des électron)
Effet de Champ électrique E T0 (E)  T0 (E  0) 1
 2kB T 
(


Pél  W  ge  ph  Te  Tph
Découplage électron-phonon

 = 5 ; ge-ph ≈ 100 W/K5/cm3
(coefficient de couplage)
Découplage supplémentaire ( substrat, absorbeur, membrane  fuite thermique)
n




T
(E)
b
b
0
(Te )  0 exp
Ptot  G fuit e Tph  Tcryo
 
 Te  
(
Mesures de films de NbSi
(Marnieros 1997) :

n = 0,65
0 = 510-4 Ωm T0 /1K = (26 - 3x/1%)2
Influence de la composition et du recuit,
problèmes d'homogénéité des couches.
Si x1 = 8,2% et x2 = 8,1%
 à T = 100 mK :  !
16
II.2. Microfabrication
Objectif : Réaliser une matrice de bolomètres
Substrat : wafer (Si)
Membranes (Si3N4)
Électrodes (Nb)
Pistes électriques (Au)
Thermomètres NbxSi1-x
Isolation (SiO2)
Collecteurs : antennes (Nb)
Absorbeurs : shunt (Bi)
Ponts thermiques (ouvertures)
17
18
II.2. Microfabrication
Coévaporation de Nb et de Si avec masques mécaniques
Méthode mise au point au CSNSM par L.Dumoulin et S.Marnieros
Évaporateur :
2 canons à électrons
 Évaporation simultanée du Nb et du Si
Vitesse de dépôt : vMax= 2Å/s.
Régulation des quantités évaporées.
Platine
Substrat
(wafer)
Masque
Platine tournante
 Homogénéisation du mélange
Inconvénient des masques :
• Conception des masques (dépôts de Ni)
• Contraintes de centrage des différentes couches
(plots NbSi et électrodes)
 Taille minimale des motifs à 20m.
Nb
Si
NbxSi1x
Wafer Si
19
II.2. Microfabrication
Lithographie en lift-off
1) étalement
2) insolation
3) révélation
5) lift-off
Après tous les dépots :
Au ≈ 1500 Å
Ti ≈ 50 Å
Ir ≈ 50 Å
Nb ≈ 500 Å
SiO ≈ 250 Å
NbSi ≈ 1000 Å
4) dépôt
Évaporation
par effet joule
II.2. Microfabrication
Bolomètres individuels (CSNSM)
NbxSi1x
x = 8,2 %
e = 1000 Å
l = 600 m
d = 300 m
Si3N4 (membrane)
Au/Cr (lien thermique)
Bi (absorbeur)
Au/Cr
20
II.2. Microfabrication
Matrices de thermomètres NbSi
#1 à #8 (L2M puis CEETAM) 36 pixels
NbSi
Au
Si
300 m
600 m
#10 à #13 (CRTBT/CSNSM-CEETAM) 4 pixels
1 cm
21
22
II.3. Expériences mises en œuvre pour les tests électriques
Principe de la mesure
Rs
RC
Excitation
Entrée
VE
I
Charge
Rp
Vd
Diviseur
RI
V
VS Signal
Sortie
Inconnue
Boîtier de polarisation
Tests à basses température dans des cryostats :
• Hélium 3 pompé (CSNSM)  300 mK
• Dilution hélium 3 - hélium 4 (CRTBT)  100 mK
Montages :
• Générateur de tension
• Boîtier de polarisation
• Matrice
• Amplificateurs
• Convertisseurs A/N
• Acquisition (MAC)
23
II.4. Résultats des expériences
7 Bolomètres individuels
n
R(V=0,T) = Ro exp((To/T) ) : o=données, x=ajustement, +=incertitudes
Résistance (V/I) fonction de la tension
7
Films NbSi : x = 8% d = 300 m;
l = 600 m; e = 0,1 m
6
7
6
5
5
4
4
R(V=0,T)
3
130 mK
R(V) pour
plusieurs T
145 mK
160 mK
3
190 mK
215 mK
1
230 mK
280 mK
650 mK
0
2
4
2
2
1
140
160
180
200 220
T [mK]
240
260
280
300
Coefficients de température
Campagne
He3
Dilution
Modèle CSNSM
Échantillon
n
R (kΩ) à 300mK
-A à 300mK
1à6
0,3 - 0,5
300
2,1
BM10
0,28
820
1,3
BM10
0,5
550
0,65
545
6
|V| (mV)
8
10
12
R(MΩ) à 100mK
-A à 100mK
2,5
22
4,3
3,5
150
7,1
Le modèle de conduction par saut décrit bien les R(V=0,T) :
R et A conformes aux attentes (différence entre échantillons et prévisions : inhomogénéités, recuit).
24
II.4. Résultats des expériences
Conductance dynamique de la fuite thermique
10
1
BoloM10 dilution,
plusieurs n, Gg et Gm
10
Fuite thermique
des bolomètres et
conductances
dynamiques
Gm Si3N4 théorique
BoloM10 hélium 3
pompé
0
Échantill
on
b
Gf
(nW/Kb)
1à6
2,1-2,8
1,7 - 2,3
BM10
1,6
1,3
BM10
Global
M(Si3N4)
2,7
2,4
15 - 20
11 - 16
3,0
6
Théorie
M(Si3N4)
10
-1
100
150
200
250
T (mK)
300
350
400
Le modèle de fuite thermique décrit bien les R(V≠0,T) :
Différence entre mesures sur cryostat 3He pompé, mesures sur dilution 3He-4He et conductance
théorique de la membrane inexpliquées. Ordre de grandeur correct.
25
II.4. Résultats des expériences
NEP
Johnson
x 10 -16
Estimations des bruits fondamentaux
5.5
x 10 -17
Johnson
et NEP
phonon
phonon
18
16
14
NEP
et NEP
NEPJohnson à 300 mK
12
10
8
5
6
NEPphonon à 100 mK
4.5
NEPphonon à 300 mK
4
2
0
4
0
5
15
10
20
P (pW)
25
30
35
40
3.5
Les calculs prévisionnels
correspondent aux attentes :
3
2.5
T = 100 mK 5 < P(pW) < 10
 NEPtotale ≈ 310-17 W/Hz
 optimale
NEPJohnson à 100 mK
2
1.5
0
5
10
15
20
P (pW)
25
30
35
40
26
II.4. Résultats des expériences
Matrices #1 à #8
Résistance (V/I) fonction de la tension
R(V=0,T) = Ro exp((To/T)n)
7
25
6.5
6
20
5.5
15
5
4.5
450 mK
10
4
3.5
5
550 mK
3
0
350
2.5
2
0
2
4
6
V (mV)
8
400
450
T [mK]
500
550
10
Matrice
x (%)
T (mK)
Rthéo (MΩ)
Rmes (MΩ)
Rmes/Rthéo
#3
8
500 - 600
0,130 - 0,080
6-3
50 - 40
#8
8,2
3500
0,005
7
1400
 Résistances anormalement élevées et R quand V0
!!!
600
27
II.4. Résultats des expériences
Hypothèses concernant les anomalies de résistances observées.
1. Problèmes dans la chaîne d'acquisition de données.
2. Problème de marches au niveau des contacts entre électrodes et échantillons NbSi.
3. Problème de pollution en surface des couches entre 2 lithographies.
4. Problème de pollution du NbSi (ou autres couches ?) par la résine lors des lithographies.
Décisions :
2200 Å
• Mesures au profilomètre
• Photographies au MEB
• Nouveaux échantillons
Matrices #3 et #8
 Problèmes de marches et de
pollution semblent confirmés.
Impossible de conclure.
2500 Å
28
II.4. Résultats des expériences
Matrices #10 à #13
Résistance (V/I) fonction de la tension
Résistance (V/I) fonction de la tension
50
50
45
45
40
40
35
35
30
30
25
25
20
20
15
15
205 mK
10
0
0
5
10
V (mV)
200 mK
220 mK
260 mK
10
330 mK
5
180 mK
300 mK
5
15
Matrice #10 :
Tout en lithographie lift-off
20
0
0
400 mK
10
20
30
V (mV)
40
50
Matrices #11 et 13 :
Électrodes Nb déposées par masque mécanique
29
II.4. Résultats des expériences
Bilan :
RMesuré
RMesuré
 5  10 pour T  1K ...
 100  200 pour T  100 mK
RThéori que
RThéori que
Résistance électrique à polarisation nulle et coefficients de température
Le modèle de conduction par saut décrit bien les R(V=0,T) :
Grande gamme de n, T0 et R0.
A conformes aux attentes.
R mieux que #1 à #8,
mais toujours trop grand.
Électrodes par masque mécanique :
plus de divergences à V0
Matrice
R (MΩ) à
300mK
-A à
300mK
R(MΩ) à
100mK
-A à
100mK
#11
2,1 - 3,0
2,8 - 3,6
230 - 440
5,4 - 6,9
#13
6,0 - 8,8
4,2 - 4,4
160 - 300
2,5 - 2,7
x=8,2 %
x=8 %
0,06
0,5
2,2
3,5
2,3
125
4,6
7,1
Découplage électron-phonon
Le modèle de découplage décrit bien les R(V≠0,T) :
Le coefficient de découplage :
ge-ph correspond exactement
aux prévisions.
Rq : Paramètre de puissance 
non ajustable. Théorique :  = 5
Matrice
ge-ph
(W/K5/cm3)
Ge-ph
(W/K5)
Gd_e-ph (100mK)
(nW/K)
#11
70 - 105
1 - 1,6
0,5 - 0,8
#13
85 - 90
1,25 - 1,4
0,6 - 0,7
Théorie
100
30
III.1. Étude d'une électronique multiplexée
Polarisation électrique, modulation et lecture d'un bolomètre
Signal de polarisation
Transistors à effet de champ (FET)
à 100 K idéal pour 1<R(MΩ)<100
Résistance de polarisation
Amplificateur : FET
Grille
Sortie
Source
Bolomètre
Drain
Bruits des FET
Johnson eJ  4kB TRds
1/f e1/ f
1

gm
[V /
Hz

Grenaille
2
 f 
 e a  1  knee 
N f
 f 
 H  Ids2
[V /
Hz

iS  2qe I gs
modulation à f > fknee
 bruit blanc
[A /
Hz

31
III.1. Étude d'une électronique multiplexée
Lecture d'un grand nombre de détecteurs
Sans multiplexage
Matrice N  M  N  M+2 fils Matrice 32  32  1026 fils
Problèmes : charge thermique, câblage, N  M amplificateurs froids.
Multiplexage.
Solution retenue : multiplexage ligne/colonne (1 niveau)
Matrice N  M  N+M+2 fils  gain de place
Matrice de bolomètres
1 Bolomètre 10 MΩ
 eJ = 7,43 nV/√Hz
Polarisation
en entrée
Matrice 32  32  66 fils
 eS = 7,16 nV/√Hz
Matrice 64  16  82 fils
 eS = 5,06 nV/√Hz
Rcharge
Matrice de transistors
Commutateur
Capacité
1nF
N fils en
sortie
N JFETs
froids
Rbolo
Si Igs = 50 fA :
N tensions de commutation
32
III.1. Étude d'une électronique multiplexée
Différents montages réalisés.
1) Polarisation résistive
Typiquement :
Rbolo = 10 MΩ
Cint = 1,6 nF
T = 100 mK
eJ,bolo = 7,4 nV/ Hz
VREF
Mesure de tension :
Rc  Rbolo  I pol 
Parasites dus aux commutations :
Vinduit  Vg  Cgs Cint
V pol
Rc
et Vmes  I pol  Rbolo
Iindui t  Vg  Cgs  f lect
Parasites dus à la polarisation : essentiellement eJ,charge > eJ,bolo
33
III.1. Étude d'une électronique multiplexée
2) Polarisation capacitive
Charge périodique de Cint
I pol 
REF
dQpol
dV pol
 C pol 
dt
dt
VREF
Ajustement du courant pour chaque
bolomètre indépendamment
Pas de dissipation de P à Tcryo
Cpol à Tcryo : minimiser les Ifuite
C pol  Cint
; I pol  Qpol  f lect  C pol  V pol  f lect
t



R bol oC pol
 Vmes(t)  Veq  1 e



Amélioration par bouclage de l'ampli :
Mesure de Q qui équilibre le système. Pas sensible au gain. Bruit plat à haute fréquence
III.2. Mise en œuvre de l'électronique
Courants de fuite et tensions de commutation
I [nA]
100
[nA]
Courants de fuite
10
1
0,1
CF 739 GaAs FET (MESFET)
CF 739 GaAs FET
ATF-21186 GaAs FET
FHX35LG HEMT (TEGFET)
0,01
 Les HEMTs (transistors AsGa /
AlGaAs) ont des courants de fuite
de quelques pA pour T  4K.
Température [K]
0,001
270
230
190
150
110
70
T [K]
30
Nouveaux transistors de commutation : HEMTs QPC
Réalisés au LPN Marcoussis par Y.Jin
Premiers résultats HEMT QPC : Ifuite ≈ 50 fA
 multiplexage de 32 bolomètres
HEMTs commerciaux actuels : Ifuite ≈ 200 fA
 multiplexage de 8 bolomètres
34
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III.2. Mise en œuvre de l'électronique
Partie froide (100mK) : commutateurs HEMTs et matrice de bolomètres
Matrice de bolomètre
Circuit imprimé des HEMTs avec
capacités d'intégration CMS
Partie chaude (300K) : Boîtier "MUX" fixé sur le cryostat
Entrée
Suiveurs
Filtres
Sortie
Références
Suiveur
DAC
Von/VOff des HEMTs
Communication :
circuit logique
programmable
 Bas courants et bas bruits (20nV/√Hz)
III.2. Mise en œuvre de l'électronique
Montage complet sur le cryostat Diabolo
Tests de multiplexage à 100 mK sur résistances
concluants ; amélioration de l'électronique pour
minimiser les bruits.
Montage des nouveaux réseaux de
HEMTs (QPC) dans les semaines à venir.
Tests d'absorption de
bolomètres individuels NbSi
à 100 mK avec corps noir
encourageants : ( ≈ 80%).
Mesures de bruit sur les films de NbSi (TF des V(I))
 Johnson, phonon, 1/f, pop-corn : en cours.
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Conclusion
• Instruments cosmologie et astrophysique : ~100 pixels, prochainement : > 1000 pixels.
• Optique au 30m de l'IRAM : miroirs de champ, lentille froide.
• Photométrie : = 1,2 / 2,1 mm, 64x64 / 35x35 pixels, ~10 pW/pixel, 51017 W/Hz1/2.
• Bolomètres avec thermomètres résistifs : A = 5..10, courant constant. Pél ≈ Pray.
• NbxSi1-x : transition métal-isolant, conduction par sauts à portée variable, effet de champ
électrique, découplage électron-phonon.
• Microfabrication de couches minces : masques mécaniques - lithographie lift-off.
• Tests des films à T ≈ 100 mK. bolomètres individuels : R ≈ 10 MΩ, A ≈ 4,
NEP ≈ 31017 W/Hz1/2 avec P ≈ 10 pW  OK ; matrices : échec du tout lift-off, avec
électrodes Nb par masques : R ≈ 100 MΩ, A ≈ 4, ge-ph ≈ 100 W/K5/cm3  Trop impédant.
• Multiplexage temporel : HEMTs. Grenaille N1/2eg < Johnson du bolomètre : 7,4 nV /Hz1/2.
• Amplification : JFETs à 100 K., bruit blanc N1/2eg , eg = 3 nV /Hz1/2.