Simulation pour les nanotechnologies : de la physique quantique au

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2008
2007
Simulation pour les
nanotechnologies : de la
physique quantique au
transistor
François Triozon
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1
Résumé
Théorie semi-classique du transport
électronique


Fondements, illustrations
Succès pour la simulation des transistors
Théorie quantique du transport

2007
Bref historique
 Exemples illustratifs
Développements actuels


Exemple : transport dans les nanotubes de carbone
Difficultés théoriques
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2
Partie I
Théorie semi-classique du
transport électronique
2007
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3
Pourquoi « semi-classique » ?
 La nature ondulatoire des électrons domine les
propriétés des molécules et des solides
 Pourtant, le transport électronique est souvent
bien décrit par des modèles particulaires dits
« semi-classiques »
2007
 Les paramètres de ces modèles particulaires
contiennent (cachent) l’aspect ondulatoire
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4
Semi-conducteurs et métaux
Electrons dans un solide cristallin :
2007
 états stationnaires = ondes de Bloch
relations de dispersion En(k) (= ħwn(k))
→ bandes d’énergies permises
 propagation balistique + diffusion sur
défauts du cristal
 statistique de Fermi-Dirac
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5
Exemple 1 : Cuivre
G. Onida et al., Rev. Mod. Phys. 2002
niveau de
Fermi
2007
vecteur d’onde k
Dernière bande partiellement remplie → métal
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6
Exemple 2 : Silicium
Y.M. Niquet et al., Phys. Rev. B 2000
états vides
bande interdite 1.1 eV
états occupés
2007
vecteur d’onde k
Bande complète → semi-conducteur ou isolant
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7
Remarques
 Electrons dans un cristal = problème à N corps
Ici on se limite aux liquides de Fermi. Les états excités du
système de N électrons se comportent comme des
fermions admettant des relations de dispersion En(k) :
quasiparticules (électrons et trous)
 Pourquoi une bande totalement remplie ne conduit-elle
pas ?
Comme nous allons le voir, c’est un phénomène
ondulatoire.
2007
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8
Ondes de Bloch
potentiel périodique vu par un électron dans
un cristal parfait
Equation de Schrödinger stationnaire :
2007
Théorème de Bloch : les états stationnaires sont de
la forme :
vecteur d’ondes
indice de bande ( plusieurs états à
donné)
a la périodicité du cristal
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9
Relations de dispersion
2007
1ère zone de Brillouin états identiques
largeur  2p/a
a = distance interatomique
dynamique de
l’électron
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10
Paquets d’ondes et vitesse de groupe
« Vitesse » d’un électron dans l’état de Bloch
2 méthodes :
2007
?
opérateur courant
paquet d’ondes
Fourier 
W >> distance interatomique
Dk << 1ère zone de Brillouin
Vitesse de groupe :
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11
Illustration : evolution d’un paquet d’ondes
Hamiltonien 2D discrétisé sur réseau carré
(a = pas du réseau, t = 1 eV)
E
Evolution à pas de temps égaux :
2007
kx
Bas de bande :
m* « masse effective »
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12
Effet d’un champ électrique
E (eV)
0
b
-2 eV
a
a
kx
2007
b
Bande complète  compensation entre e- accélérés et ralentis
 pas de courant
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13
Effet d’une impureté ionisée
-e
2007
(E. Sarrazin,
CEA/LETI)
Théorème d’Ehrenfest
→ mouvement classique du centre du paquet d’ondes
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14
Aspect probabiliste
Vision plus correcte : diffusion quantique
impureté
2007
Pour améliorer la description semi-classique, on ajoute
un caractère probabiliste aux collisions.
Les probabilités de diffusion peuvent être :
• ajustées sur des expériences
• calculées dans un modèle quantique (règle d’or de Fermi)
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15
Formulation de la théorie semi-classique
 Relations de dispersion ou masses effectives
 vitesse, réponse à un champ électrique
 Sections efficaces de collision sur défauts et phonons
 Collisions indépendantes (pas de cohérence de phase)
2007 Equation de Boltzmann pour la fonction de distribution
f(n,k,r) des électrons :
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16
Exemple : transistor MOSFET
Metal-Oxyde-Semiconductor Field Effect Transistor
Grille
oxyde < 1 nm
Source
2007
Drain
LG = qq. dizaines de nm
BOX
(S. Martinie, CEA/LETI)
Impuretés, défauts …
Electron
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17
Diagramme de bandes
« Source »
silicium dopé N
canal controlé par
l’électrode de « grille »
silicium pur ou dopé P
« Drain »
silicium dopé N
e-
2007
bande interdite
1.1 eV
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18
Diagramme de bandes
« Source »
silicium dopé N
canal controlé par
l’électrode de « grille »
silicium pur ou dopé P
« Drain »
silicium dopé N
e-
2007
bande interdite
1.1 eV
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19
Simulation (logiciel commercial)
0.4
VGS = 0.05 V
0.2
e-
VGS = 0.7 V
0
V (Volt)
potentiel
-eV(x)
en eV
2007
VDS = 0.05 V
-0.2
transport diffusif
(impuretés, phonons)
-0.4
-0.6
VDS = 0.7 V
-0.8
0
0.02 0.04 0.06 0.08
(S. Martinie, CEA/LETI)
0.1
0.12 0.14 0.16
x (m)
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20
Simulation (logiciel commercial)
0.4
VGS = 0.05 V
0.2
e-
VGS = 0.7 V
0
V (Volt)
potentiel
-eV(x)
en eV
2007
VDS = 0.05 V
-0.2
transport balistique
-0.4
-0.6
VDS = 0.7 V
-0.8
0
0.02 0.04 0.06 0.08
(S. Martinie, CEA/LETI)
0.1
0.12 0.14 0.16
x (m)
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21
Aperçu de la simulation pour l’électronique
TCAD : Technology Computer-Aided Design
 Transport électronique dans le dispositif unique
(transistor, diode)
 Procédés (implantation de dopants, lithographie, …)
 Simulation de circuits : quelques transistors  plusieurs
milliers
 Electromagnétisme (couplages parasites)
2007
Forte compétence au CEA-LETI. Lien avec les dispositifs
réalisés en salle blanche.
Longueur des transistors étudiés : < 20 nm
 la théorie semi-classique atteint ses limites
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22
Partie II
Théorie quantique du transport
électronique
2007
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23
Pour décrire quels phénomènes ?
 Transport dans des matériaux non massifs :
 interfaces entre matériaux (exemple :
électrode/canal)
 dimensions nanométriques
 Cohérence quantique :
 basse température et/ou dimensions nanométriques
2007
Mêmes phénomènes quantiques que précédemment,
mais on ne peut plus les cacher dans quelques
paramètres.
Ces phénomènes dépendent fortement du système :
matériaux, géométrie, …
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24
Bref historique
2007
 Effet tunnel à travers une couche mince isolante
(années 60)
 Conductance d’un système 1D connecté à des
réservoirs  formule de Landauer, quantum de
conductance (1957)
 Fonctions de Green hors-équilibre (Keldysh, 1965)
appliquées au transport : Caroli et al., J. Phys. C 1971
 Conductance « multi-canaux » de Landauer-Büttiker :
M. Büttiker et al., Phys. Rev. B 1985
Idée : système petit et/ou quantiquement cohérent
connecté à des réservoirs (électrodes de mesure)
 Intérêt fondamental. Physique « mésoscopique ».
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25
Canal 1D idéal connecté à des réservoirs
V
S
D
contacts « transparents »
Energie
S
D=-eV 
D
2007
Courant ?
limité par le principe de Pauli
compensation
du courant
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26
E(k)
Calcul du courant
Densité d’états de vitesse > 0 par unité
de longueur et d’énergie :
avec
(vitesse)
-p/a
S
D
k
p/a
Densité par unité de longueur, dans l’intervalle
d’énergie [D,S] :
2007
D’où le courant :
Quantum de conductance
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27
Où a lieu la dissipation ?
Canal idéal (balistique)
l’électron n’y cède pas d’énergie
E
eS
D
trou
2007
La dissipation a lieu dans les réservoirs
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28
Généralisation
mode n
(S)
mode m
Tmn
R
L
Système (S) = canal + une partie des réservoirs
Tmn coefficient de transmission du mode n au mode m
Conductance de Landauer-Büttiker :
2007
Conductance maximale = nb. de modes x
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29
Illustration
Gaz d’électrons confiné sur une bande de largeur
nanométrique. Analogue à un guide d’ondes.
1 énergie  1 ou plusieurs modes transverses
2007
E(k)
A cette énergie :
3 modes de
vitesse positive
k
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30
Barrière tunnel
2007
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31
Barrière tunnel
1-T
T
2007
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32
Diffusion sur un défaut
E(k)
k
2007
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33
Diffusion sur un défaut
E(k)
k
2007
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34
Formalisme adapté : fonctions de Green
Calcul de la transmission des différents modes
 recherche des états de diffusion :
onde incidente  ondes transmises et réfléchies
L
2007
S
R
état incident dans L, d’énergie E
état de diffusion associé, d’énergie E aussi
Lippmann-Schwinger :
fonction de Green retardée
hamiltonien de couplage entre (S) et les électrodes
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35
Calcul du courant et de la charge
On remplit les états de diffusion venant de L selon
le potentiel chimique L.
Idem pour ceux venant de R.
La contribution de tous ces états donne le courant et
la répartition de charge dans le système.
2007
E
L
R
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36
Interactions
2007
Il existe un formalisme plus général (fonctions de
Green hors-équilibre, « NEGF ») qui permet en
principe de traiter les interactions dans le canal :
 électron-phonon
 électron-électron
Introduit par Caroli et al., J. Phys. C 1971 pour
calculer les courants tunnel.
C’est une méthode perturbative.
Nombreuses variantes selon le système étudié.
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37
Partie III
Développements actuels
2007
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38
Nanotubes de carbone : introduction
(5,5)
E
Nombre de canaux :
k
2007
 métallique
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39
Nanotubes de carbone : introduction
(8,0)
Nombre de canaux :
E
2007
k
 semi-conducteur
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40
Simulation d’un transistor FET à nanotube
nanotube
semi-conducteur
grille coaxiale
source
e-
drain
2007
Equation de Poisson  potentiel électrostatique V(r)
→ modification du hamiltonien
→ calcul de la densité de charge r(r)
(Schrödinger méthode Green)
Une fois l’autocohérence atteinte, on calcule le courant
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41
Exemple : FET à contacts Schottky
VDS = 0.5 V
VG = 0.2 V
FB
2007
(modèle simple pour les contacts)
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42
Exemple : FET à contacts Schottky
VDS = 0.5 V
FB
VG = 0.6 V
électrons
2007
Remarque : forte dispersion des données expérimentales :
la hauteur de barrière dépend du contact et de son
environnement (cf. expériences DRECAM) Forum Théorie 2008 - F. Triozon
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43
Quelques difficultés théoriques
2007
 Besoin d’hamiltoniens réalistes pour les interfaces
(contacts métal/nanotube), les dopants, les défauts…
 apport des calculs de structure électronique ab initio
(fonctionnelle de la densité : DFT)
 Transistor  fort champ électrique  modification non
triviale de la structure électronique
 Couplage électron-phonon  calculs lourds
 Système hors-équilibre  la DFT n’est pas fiable.
Recherches théoriques sur la « Time-Dependent DFT »
appliquée au transport
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44
Simulation de contacts métal/nanotube
2007
Transmission
Calculs ab initio DFT, C. Adessi (LPMCN, Lyon)
et X. Blase (Institut Néel, Grenoble)
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45
Effet d’un dopant unique sur le courant
nanotube métallique
nanotube semi-conducteur
2007
(C. Adessi, S. Roche, X. Blase, PRB 2006)
Perspectives : fonctionnalisation des nanotubes par greffage
moléculaire  capteurs chimiques ou optiques.
Lien avec travaux expérimentaux du DRECAM
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Couplage électron-phonon
Les phonons optiques ouvrent un gap dans les nanotubes
métalliques
 forte influence sur la conductance
 non traitable par une méthode perturbative  lourd !
2007
L. Foa Torres et S. Roche, PRL 2006
(DSM/INAC)
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Nanofils de silicium
Effet de la rugosité de surface sur le transport
2007
A. Lherbier, et al. PRB 2008
(collab. INAC et LETI)
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Et bien d’autres thématiques…
2007
 Calculs ab initio d’interfaces métal-oxyde-semiconducteur (activité au LETI : Ph. Blaise)
 Dynamique moléculaire : diffusion de dopants
(INAC/L_Sim), croissance de nanotubes (DRECAM)
 Chimie quantique
 Etats excités, spectroscopie, propriétés optiques des
nano-objets
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Conclusion
 Les logiciels de simulation actuels deviennent limités
pour l’électronique aux petites dimensions
2007
 Diversité des nouveaux matériaux + complexité de la
physique
 les logiciels pour la nano-électronique sont difficiles
à mettre au point
 Les données expérimentales deviennent nombreuses
 bons tests pour les modèles. Il faut faire de la
science.
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Prévoyez de nous rejoindre à la
10e Annual Review
2007
du Leti du 24 au 25 juin 2008
à Minatec
Pour en savoir plus :
www.leti.fr
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