QCM TLAD1 Partie A: Caractéristique et polarisation d`une diode La

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QCM TLAD1
Partie A: Caractéristique et polarisation d'une diode
1. La caractéristique i = f(vD) d'une diode est
a) linéaire
b) parabolique
c) exponentielle
d) logarithmique
----------------------------------------------
2. Cet état de la jonction PN correspond à une diode
a) en polarisation directe
2
b) en polarisation inverse
c) sans polarisation
----------------------------------------------
3. Cet état de la jonction PN correspond à une diode
a) en polarisation indirecte
b) en polarisation directe
c) sans polarisation
----------------------------------------------
4. Cet état de la jonction PN correspond à une diode
a) en polarisation directe
b) sans polarisation
c) en polarisation inverse
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========================================
Partie B: Montage
1. Montage
En variant E, on peut, à l'aide de ce montage, tracer la caractéristique
I=f(V) en utilisant
a) 2 ampèremètres
b) un voltmètre et un fréquencemètre
c) un oscilloscope à 2 voies
d) 2 voltmètres
----------------------------------------------
2. Un oscilloscope, permet de mesurer le courant dans un circuit
a) en utilisant l'entrée courant de l'oscilloscope.
b) ce n'est pas possible, on ne peut mesurer que des tensions
avec un oscilloscope.
c) on peut mesurer la tension aux bornes d'une résistance R
traversée par ce courant et diviser sa valeur par R
----------------------------------------------
3.
4
En enregistrant E et Vr (tension aux bornes de la résistance) en
fonction du temps, on obtient le graphe suivant:
On peut obtenir un graphe dont l'allure est similaire à la
caractéristique I=f(V) comme ci-dessous en utilisant l’oscilloscope en
XY. Choisir la combinaison X,Y qui convient
a) sur la voie X de l’oscilloscope, on applique Vr et sur Y on
applique E
b) sur la voie X de l’oscilloscope, on applique E et sur Y on
applique Vr
c) sur la voie X de l’oscilloscope, on applique la base de temps
et sur Y on applique Vr
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Partie C: Semi-conducteurs type P et N
Faites la correspondance entre les éléments de la liste 1 et ceux de la
liste 2
Liste1
Liste2
1. Silicium type P
a) Trous= porteurs minoritaires
et électrons libres =
porteurs majoritaires
2. Silicium type N
b) VT = 0,3 V
3. Pour une diode en
germanium
c) Trous= porteurs majoritaires
et électrons libres =
porteurs minoritaires
4. Pour une diode en silicium
d) Vz
5. Une diode zener est
utilisée pour stabiliser la
tension à
e) Vz
6. Une diode de
redressement sera
endommagée si on lui
applique
f) VT = 0,7 V
1 / 5 100%

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