Année : 2011 N° d’ordre : 2011-ISAL-0051
INSTITUT NATIONAL DES SCIENCES
APPLIQUÉES DE LYON
THÈSE
Présentée publiquement en vue de l’obtention du grade de :
DOCTEUR DE L'INSTITUT NATIONAL DES
SCIENCES APPLIQUÉES DE LYON
École Doctorale : Électronique, Électrotechnique, Automatique
Spécialité : Dispositifs de l'Électronique Intégrée
Par :
Sylvain PELLOQUIN
LaAlO3 amorphe déposé par Épitaxie par Jets
Moléculaires sur silicium comme alternative
pour la grille high-κ des transistors CMOS
Thèse préparée au sein de l’INL – Institut National des Sciences Appliquées de Lyon
& École Centrale de Lyon
Soutenue le 9 décembre 2011 devant la commission d’examen :
M. Gilles REIMBOLD HDR, CEA-Leti, Grenoble Rapporteur
M. Christophe VALLÉE Prof., UJF-LTM, Grenoble Rapporteur
M. Bernard CHENEVIER DR, LMGP-CNRS, Grenoble Examinateur
M. Mickaël GROS-JEAN Ingénieur R&D, STMicroelec., Crolles Examinateur
M. Guy HOLLINGER DR, INL-CNRS, Écully Directeur de thèse
Mme Carole PLOSSU Prof., INL-INSA, Villeurbanne Directeur de thèse
M. Clément MERCKLING CR, IMEC, Leuven Invité
M. Nicolas BABOUX MCf, INL-INSA, Villeurbanne Invité
M. Guillaume SAINT-GIRONS HDR, INL-CNRS, Écully Invité
Cette thèse est accessible à l'adresse : http://theses.insa-lyon.fr/publication/2011ISAL0051/these.pdf
© [S. Pelloquin], [2011], INSA de Lyon, tous droits réservés