amplificateur 50 W mono

36
ELEKTOR 205/206
Tout comme le LM3886, le LM3876
est un membre de la famille de cir-
cuits intégrés que National Semicon-
ductor a baptisée «Overture»; il s’agit
d’amplificateurs BF de puissance inté-
grés. Les différents membres de cette
famille sont compatibles tant broche à
broche que d’un point de vue fonc-
tionnel. Le seul élément qui les diffé-
rencie est la puissance de sortie. Ils
sont tous pourvus d’un nouveau dis-
positif de protection baptisé «SPiKe-
Protection» par leur fabricant.
Nous avons conçu le dessin de la pla-
tine de manière à ce que l’on puisse
y implanter tant le LM3876 (puissan-
ce de crête de 100W) que le
LM3886 (150W en crête). De
manière à garantir une compatibilité
avec le LM3886 la broche5 du cir-
cuit intégré IC1 est reliée à la tension
d’alimentation positive. Cette inter-
connexion est inutile dans le cas du
LM3876, mais elle n’a pas de consé-
quence néfaste vu que sur le dit cir-
cuit la broche5 reste en l’air à l’inté-
rieur du circuit intégré. Nous avons
disposé le circuit intégré sur l’un des
côtés de la platine de façon à per-
mettre un montage plus facile du
radiateur. Il est important, pour la
stabilité de fonctionnement de l’am-
plificateur, que l’on définisse un
découplage efficace de la tension
d’alimentation, fonction remplie sur
le montage par les paires de conden-
amplificateur 50 W
mono-circuit intégré
Caractéristiques techniques:
Sensibilité d’entrée (pour modulation totale): 1Veff environ
Puissance de sortie: 43W/8Ω(DHT+B = 0,1%)
Facteur d’atténuation: 350 à 1kHz
220 à 20kHz
Taux de montée: 11V/µs
Largeur de la bande de puissance: 8,5Hz à 117kHz
Rapport signal/bruit (à 1W): >95dB (linéaire 22Hz à 22kHz)
>98dB (pondéré enA)
C1
2µ2
C3
22µ
40V
C4
47p
C6
*
R1
1k
R2
18k
R3
1k
R4
18k
R5
18k
R7
10Ω
R6
*
L1
0µH7
*
C2
220p
IC1 3
9
10 8
LM3876
8Ω
LS1
R8
22k
R9
22k
MUTE
30V
30V
C7
100n
C8
100n
C9
1000µ
40V
C10
1000µ
40V
15
74
IC1
30V
voir texte
*zie tekst
*siehe Text
*see text
*
954083-11
C5
100µ40V
30V
954083-1
C1
C2
C3
C4
C5
C6
C7
C8
C9
C10
IC1
LS1
MUTE
R1
R2
R3 R4
R5
R6
R7
R8
R9
954083-1
+
-
0
T
Liste des composants :
Résistances :
R1,R3 = 1kΩ
R2,R4,R5 = 18kΩ
R6 = voir texte
R8,R9 = 22kΩ
Condensateurs :
C1 = 2µF2 MKT au pas de 5mm
C2 = 220pF/160 V styroflex
C3 = 22µF/40 V radial
C4 = 47pF/160 V styroflex
C5 = 100µF/40 V radial
C6 = voir texte
C7,C8 = 100nF
C9,C10 = 1000 µF/40V axial
Selfs:
L1 = 0µH7 (13spires de fil de cuivre
émaillé de 1mm de diamètre
diamètre intérieur de 10mm, cf.
texte)
Semi-conducteurs :
IC1 = LM3876T (National
Semiconductor)
Divers :
radiateur de résistance thermique
<1,5K/W (tel que, par exemple,
SK71/50 de Fischer)
éventuellement 1interrupteur
unipolaire pour le silencieux
028
Table des matières

37
juillet/août 1995
sateurs C7/C9 et C8/C10. Les pistes
de masse se retrouvent en étoile au
point de masse central de la platine.
La selfL1 prise à la sortie est consti-
tuée de 13spires de fil de cuivre
émaillé de 1mm de diamètre for-
mées sur un corps de 10mm de dia-
mètre. On glisse la self ainsi fabri-
quée sur la résistance de 5W R7 et
l’on soude les 2extrémités de la self
aux connexions de la résistance de
manière à ce que l’inductance de la
bobine soit prise en parallèle sur la
dite résistance. Tous les condensa-
teurs sont de type radial ce qui en
permet un montage vertical aisé; C2
et C4 sont des condensateurs de
type styroflex.
On peut doter l’amplificateur d’un
dispositif de silencieux par la prise
d’un interrupteur entre les points
«MUTE» présents sur la platine.
L’amplificateur se trouve en mode
silencieux lorsque l’interrupteur
concerné est ouvert. Il faudra, si l’on
ne veut pas mettre cette possibilité à
profit, relier les 2broches de silen-
cieux à l’aide d’un pont de câblage. Il
s’est avéré, avec le dimensionnement
proposé, que le réseau Boucherot
R6/C6 pris à l’entrée était non seule-
ment inutile, mais pire encore qu’il
exerçait une influence néfaste, effet
qui se traduisait par une légère insta-
bilité à pleine modulation, phénomè-
ne qui prenait la forme de salves
d’oscillation décelables dans le signal.
Nous avons purement et simplement
supprimé ces 2composants. Il suffira,
s’il devait apparaître, pour des appli-
cations différentes faisant appel à des
gains plus importants, que ces com-
posants sont nécessaires, de les
implanter aux positions prévues à
leur intention sur la platine. National
Semiconductor recommande l’utilisa-
tion de haut-parleurs de 8Ωavec les
amplificateurs intégrés. En cas d’utili-
sation d’une résistance de charge de
4Ωnon seulement la puissance de
sortie maximale chute de façon très
importante mais encore elle est
atteinte à une tension d’alimentation
plus faible. Avec une charge de 4Ω,
dans le cas de tensions d’alimentation
égales ou supérieures à 27V non
seulement le dispositif SPiKe-Protec-
tion entre en fonction et ramène la
puissance de sortie maximale à 10W
à peine à une tension d’alimentation
de 30V. Il n’est donc pas recom-
mandé d’utiliser des haut-parleurs
ayant une impédance nominale infé-
rieure à 8Ω.
954083-I
NC(+) 5
Vin+ 10 MUTE 8
Vin– 9
LM3876
OUT 3
GND 7
NC 11
V+ 1 NC 2 V– 4 NC 6
954083-12
Table des matières