La comparaison est faite sur les écarts, entre les amplitudes de l’émission avec et sans absorbant données sur la
figure 6. On peu en conclure, qu’une réduction de bruit significative est relevée sur une bonne gamme de
fréquences ; un peu plus que 10 dBµV de 0 à 250 MHz. La réduction du bruit émis, s’approche de 20 dBµV, au
alentour des fréquences 16-48 MHz et 80 MHz respectivement pour l’absorbant en Ni et en NiFe. Dans le cas de
la commutation du port B du HC12, l’atténuation de bruit enregistrée est en accord avec les valeurs annoncées
par ailleurs [8].
Figure 6. Ecarts d’amplitude d’émission donnants la réduction de bruit selon l’absorbant Ni ou NiFe lors de la
commutation des I/Os du HC12.
On remarque, dans les deux cas de mesure, que la position des raies atténuées dépend de l’absorbant utilisé. En
effet chaque matériau ferromagnétique possède une certaine perméabilité magnétique µ, plus ou moins
importante qui dépend de la fréquence du champ magnétique externe [4, 6].
4. Conclusion
Dans cet article, nous avons montré l’intérêt de l’utilisation d’une couche absorbante ferromagnétique, afin de
satisfaire certaines exigences de la CEM en atténuant l’émission de bruit générée par un microcontrôleur. Dans
notre cas nous avons mis en évidence, que malgré la faible épaisseur du film de Permalloy, il joue un rôle
important en tant qu’absorbeur d’ondes électromagnétiques. L’effet d’atténuation d’émission, allant de 5 dBµV à
20 dBµV, fonction de la gamme fréquentielle allant de 0 MHz à plus que 400 MHz, est sans doute lié au fait que
cet alliage possède une grande perméabilité magnétique µ selon la littérature. En outre, la technique proposée est
beaucoup moins onéreuse et ne pose aucune contrainte technologique, par opposition à la technique utilisée par
ailleurs et qui demande à enduire le semi-conducteur d’un absorbant au sein de la matrice de la puce.
Afin d’améliorer la réduction de bruit dans de bonnes proportions, nous proposons d’enrober presque la
totalité du boîtier du composant source de bruit, par un dépôt de couche d’alliage type Permalloy. Cependant, la
tenue en température du matériau et la conservation de ses qualités de filtrage restent à prouver dans les
conditions extrêmes d’utilisation du composant et pour sa durée de vie.
Référence
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[2] G. E. Moore, "Cramming more components onto integrated circuits", Electronics, Vol. 38, N° 8, (1965).
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Dunod CEM, (2005).
[4] J.Y. Shin and J.H. Oh, "The microwave absorbing phenomena of ferrite microwave absorbers", IEEE
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[6] F. Amemiya, K. Takagi, T. Mori, N. Kuwabara, S. Hamada, Y. Iwamoto, "Investigation of emission
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magnetic sheet for the use in near field", EMC '03. IEEE International Symposium on Electromagnetic
Compatibility, Vol. 2, (2003), 938-941.
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[9] 68HC912D60 and 68HC12D60, Advance Information, Rev 2.0, by Motorola, (July 27, 2000).
TELECOM '2007 5th JFMMA
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