Principe de fonctionnement et fiabilité des technologies mémoires

Principe de fonctionnement
Principe de fonctionnement
et fiabilit
et fiabilité édes technologies des technologies
m
mé émoires moires é émergentes mergentes
Ch. Muller
Ch. Muller
Institut Mat
Institut Maté ériaux, Micro riaux, Microé électronique et lectronique et Nanosciences Nanosciences de Provence de Provence
IM2NP
IM2NP – –UMR CNRS 6242 UMR CNRS 6242
Equipe "M
Equipe "Mé émoires" moires"
Polytech
Polytech' Marseille, Universit ' Marseille, Université éde Provence de Provence
Technopôle de
Technopôle de Château Château- -Gombert Gombert, 13451 Marseille Cedex 20 , 13451 Marseille Cedex 20
e
e- -mail mail : : christophe.muller [e-mail] @l2mp.fr
Atelier "Mémoires du futur" du CCT
16 janvier 2008, IAS, Toulouse
Atelier "M
Atelier "Mé émoires du futur" du CCT moires du futur" du CCT
16 janvier 2008, IAS, Toulouse
16 janvier 2008, IAS, Toulouse

Densit
Densité é( (Gbyte Gbyte) )
Vers une mémoire idéale…
Vers une m
Vers une mé émoire id moire idé éale ale… …
Endurance
Endurance
(10
(10
15
15
)
)
Vitesse de
Vitesse de
lecture/
lecture/é écriture criture
(ns)
(ns)
"
"Scalabilit Scalabilité é" "
et fiabilit
et fiabilité é
Faible tension (1 V)
Faible tension (1 V)
Faible
Faible
consommation
consommation

EEPROM, Flash
SONOS, Nano–Si
FeRAM
EEPROM, Flash
EEPROM, Flash
SONOS, Nano
SONOS, Nano– –Si Si
FeRAM
FeRAM
MRAM
PCM
ReRAM
MRAM
MRAM
PCM
PCM
ReRAM
ReRAM
Stockage de charge
Stockage de charge
Stockage de charge Résistances R
ON
/ R
OFF
R
Ré ésistances R sistances R
ON
ON
/ R
/ R
OFF
OFF
Mémoires
M
Mé émoires moires
SRAM
DRAM
SRAM
SRAM
DRAM
DRAM
Non volatiles
Non volatiles
Non volatiles
Volatiles
Volatiles
Volatiles
DRAM (Micron)
DRAM (Micron)
Flash (Intel)
Flash (Intel) MRAM ( MRAM (Freescale Freescale) )
Classification
Classification
Classification

Panorama g
Panorama gé én né éral ral

Vue d'ensemble
Vue d'ensemble
Vue d'ensemble
Vue d'ensemble
Vue d'ensemble
Vue d'ensemble
180
180 130 130 90 90 65 65 45 45 32 32
10
10
20
20
30
30
40
40
Technologie (nm)
Technologie (nm)
Taille de la cellule (F
Taille de la cellule (F
2
2
)
)
MRAM
MRAM
> 10
> 10
14
14
0
0
FeRAM
FeRAM
10
10
12
12
Flash NOR
Flash NOR
Flash NAND
Flash NAND
PCM
PCM
10
10
12
12
ReRAM
ReRAM ? ?
Van
Van Houdt Houdt and and Wouters, Wouters, Semiconductor Semiconductor International, 12/1/2006 International, 12/1/2006
www.semiconductor.net
www.semiconductor.net/article/CA6394960.html /article/CA6394960.html