MEMOIRE DE MAGISTER Thème

MINISTERE DE L’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
UNIVERSITE MOULOUD MAMMERI DE TIZI-OUZOU
Faculté de Génie Electrique et d’Informatique
Département d’Electronique
MEMOIRE DE MAGISTER
Spécialité : Electronique
Option : Microélectronique
Présenté par
M
elle
MECHAI Fazia
Thème :
Devant le jury:
MEGHERBI Mohammed
Professeur à l’UMMTO Président
BELKAID Mohammed Said
Professeur à l’UMMTO Rapporteur
BENNAMANE Kamal
M. C. A à l’UMMTO Examinateur
MOUDOUD Mustapha
M. C. A à l’UMMTO Examinateur
ZIRMI Rachid
M. C. B à l’UMMTO Examinateur
Soutenu le: 07 / 04 / 2016
Etude et simulation des structures photovoltaïques à base de chalcogénures de
métaux de transition MX
2
(M = W, Mo; X = S, Se)

Remerciements
RemerciementsRemerciements
Remerciements
Le travail de ce mémoire à été effectué au laboratoire des Technologies Avancés de la
faculté de Génie Electrique (LATAGE) de l’université Mouloud Mammeri de Tizi-Ouzou
(UMMTO).
Avant tout, je remercie ALLAH le tout puissant de m’avoir donné le courage, la
volonté, la santé et la patience de mener à terme ce présent travail.
J’exprime toute ma profonde gratitude, ma profonde reconnaissance et mes sincères
remerciements à mon directeur de thèse Monsieur le Professeur M
ed
Said BELKAID.
Je remercie très chaleureusement Madame Loundja CHIBANE Enseignante à
l’UMMTO pour son aide tout au long de ce travail, pour sa disponibilité et ses précieux
conseils.
Je tiens également à remercier Monsieur MEGHERBI Mohammed professeur à
l’UMMTO d’avoir accepté de présider le jury d’examen de ma soutenance.
Je remercie vivement Monsieur BENNAMANE Kamal, Maître de Conférence A à
l’UMMTO ainsi que Monsieur MOUDOUD Mustapha, Maître de Conférence A à
l’UMMTO et Monsieur ZIRMI Rachid, Maître de Conférence B à l’UMMTO, qui me font
l’honneur de siéger à ce jury.
Mes remerciements vont aussi à mes collègues du laboratoire LATAGE.
Sans oublier ma famille qui m’a était d’un grand soutien tout au long de mes années
d’études.
Enfin, je tiens à remercier toutes les personnes qui ont contribué à la réussite de ce
travail.

Dédicaces
A mes chers parents
A mes chères sœurs et chers frères
A mes amies

Sommaire

Sommaire
Introduction générale …………………………………………………………………....01
Chapitre I : Des généralités sur les semiconducteurs
I.1. Introduction ……………………………………………………………………………03
I.2. Structures cristallines ………………………………………………………………….03
I.3.Réseaux cristallins ………………………………………………………………………..05
I.4. Les propriétés électrique des semiconducteurs ………………………………………….05
I.4.1. Conductivité électrique ……………………………………………………….05
I.5. Les mécanismes de recombinaison et la durée de vie ………………………………….08
I.5.1.Recombination SRH (Schokley-Read-Hall) ………………………………….09
I.5.2. Recombinaison Auger …………………………………………………………11
I.5.3. Recombinaison Radiative………………………………………………………12
I.5.4. Recombinaison en surface ……………………………………………………12
I.6. L’équation de neutralité d’un semiconducteur ………………………………………..13
I.7. Le semiconducteur intrinsèque ………………………………………………………....14
I.8. Les semiconducteurs extrinsèques ……………………………………………………….15
I.9. Un semiconducteur non dégénéré ………………………………………………………17
I.10. Un semiconducteur dégénéré ………………………………………………………….17
I. 11. Structure de bandes d’énergies ………………………………………………………..18
I.11.1. Gap direct et indirect …………………………………………………..19
a. Gap direct ………………………………………………………………… 19
b. Gap indirect ………………………………………………………………19
I.12. Interaction rayonnement - semi conducteur ………………………………………20
I. 12.1- Absorption fondamentale ……………………………………………………20
I. 12.2- Emission spontanée ………………………………………………………….20
I. 12.3- Emission stimulée ……………………………………………………………20
I.13. La jonction PN…………………………………………………………………………..21
I.13.1-Polarisation de la jonction en direct ……………………………………….23
I.13.2- Polarisation de la jonction en inverse ………………………………………24