les transistors MOS haute tension

THÈSE
Pour obtenir le grade de
DOCTEUR DE L’UNIVERSITÉ GRENOBLE ALPES
Spécialité : Nano Electronique et Nano Technologies
Arrêté ministériel : 7 août 2006
Présentée par
Antoine LITTY
Thèse dirigée par Sorin Cristoloveanu et
codirigée par Sylvie Ortolland
préparée au sein du Laboratoire IMEP-LAHC
dans l'École Doctorale EEATS Electronique, Electrotechnique,
Automatique et Traitement du Signal (Grenoble INP)
Conception, fabrication,
caractérisation et modélisation de
transistors MOSFET haute tension en
technologie avancée SOI (Silicon-On-
Insulator)
Thèse soutenue publiquement le 11 Janvier 2016,
devant le jury composé de :
M. Frédéric MORANCHO
Professeur, Université Paul Sabatier de Toulouse, Rapporteur
M. Florin UDREA
Professeur, University of Cambridge, Rapporteur
Mme Anne KAMINSKI-CACHOPO
Professeur, Grenoble-INP, Présidente
M. Bruno ALLARD
Professeur, INSA Lyon, Examinateur
Mme Sylvie ORTOLLAND
Docteur-Ingénieur, STMicroelectronics, Crolles, Co-encadrante de thèse
M. Sorin CRISTOLOVEANU
Directeur de Recherche, CRNS, Directeur de thèse

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La science, mon garçon, est faite d'erreurs, mais d'erreurs
qu'il est bon de commettre, car elles mènent peu à peu à la
vérité.
Jules Verne, Voyage au centre de la terre

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- Remerciements -
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Remerciements
Ces travaux de thèse ont eu lieu dans le cadre d’une collaboration entre la société
STMicroelectronics (site de Crolles) et l’Institut de Microélectronique, d’Electromagnétisme et de
Photonique de l’Université de Grenoble (IMEP-LaHC) grâce au concours de l’Association
Nationale de la Recherche et de la Technologie (ARNT).
Je tiens tout d’abord à remercier sincèrement mes encadrants. Je remercie Sylvie Ortolland
pour ses conseils techniques quotidiens, sa confiance et sa patience. De même, je tiens à remercier
Sorin Cristoloveanu d’avoir encadré mes débuts de chercheur et de m’avoir fait profiter de toute
son expérience. Je voudrais souligner leur enthousiasme, leur aide inestimable et leurs
encouragements permanents qui ont rendu possible la rédaction de ce travail.
Je tiens également à témoigner ma reconnaissance envers les membres du jury pour leur
attention envers ces recherches: M. Frédéric Morancho, Professeur à l’Université Paul Sabatier de
Toulouse, M. Florin Udrea, Professeur à l’Université de Cambridge, M. Bruno Allard, Professeur
à l’INSA de Lyon et enfin Mme. Anne Kaminski-Cachopo, Professeur à Grenoble-INP.
Je voudrais ensuite saluer tous les membres de mes équipes d’accueil pour m’avoir intégré
parmi eux: l’équipe de modélisation des dispositifs chez STMicroelectronics et le groupe CMNE
de l’IMEP.
Au sein de l’équipe de modélisation, il me semble important de témoigner ma reconnaissance
envers M. Minondo, M. Jaouen et M. Dartigues pour m’avoir fourni les moyens de mener à bien
ce projet chez STMicroelectronics. Je salue également les membres de l’équipe « CTS » pour leurs
conseils quotidiens et leur aide précieuse dans de nombreuses situations plus ou moins
périlleuses (pratiques ou théoriques): Clément Charbuillet, Nicolas Kauffmann, Stéphane