Transistor Bipolaire..

Centre de Formation Professionnelle des Adultes de GRENOBLE - Le Pont de Claix.
38 avenue Victor Hugo 38800 Le Pont de Claix - Tél.[phone] - Télécopie : 04.76.99.00.90 - Minitel : 3614 code AFPA.
1 Le transistor en commutation. .............................................................................. 2
Le transistor bipolaire. .................................................................................................................. 2
a ) Etude de la saturation. ...................................................................................................... 2
b ) Amélioration du blocage : ................................................................................................ 3
2 Tp. mesure .............................................................................................................. 4
Transistor bipolaire en commutation avec charge résistive dans le collecteur. ....................... 4
a ) Amélioration du blocage par commande négative. .......................................................... 4
b ) Amélioration du blocage par capacité en parallèle sur Rb. .............................................. 5
c ) Amélioration de la commande « Anti-saturation » par diode base collecteur. ................ 6
3 Le transistor « F.E.T. » « Field Effect Transistor » ............................................ 7
Un peu de technologie : .................................................................................................................. 7
Principe de fonctionnement : ........................................................................................................ 7
Polarisation du transistor F.E.T. : ................................................................................................ 8
a ) Avantages du transistor à effet de champ : ...................................................................... 8
4 Le transistor « M.O.S. F.E.T. » « Metal Oxyde Semi-conducteur F.E.T. » ....... 9
Technologie : ................................................................................................................................... 9
5 Tp. Mesure : ......................................................................................................... 10
Transistor SIPMOS (MosFet de puissance) en commutation avec charge résistive dans le
drain. ............................................................................................................................................. 10
a ) Amélioration du blocage par commande négative. ........................................................ 10
b ) Amélioration du blocage par Diode en parallèle sur Rb. ............................................... 12
c ) Amélioration de la commande « déionisation » par résistance Gate Source. ................ 13
Date
***************
S202.7.0
ITT
TP.
TRANSISTOR MOS

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1 Le transistor en commutation.
Le transistor bipolaire.
a ) Etude de la saturation.
IC
IBsat
Rc
Vcc
ICsat 
Le courant Ib. n'est plus négligeable devant Ic et Ie > Ic.
Lorsque l'on supprime Ib. sat., ( blocage du transistor ) on constate que Ic se maintient un
court instant.
Il y a prolongation de la saturation ( inertie ). C'est l'effet de la charge stockée. Il résulte du
fait que pendant la saturation, l'émetteur injecte dans la base plus de " charges " que le
collecteur ne peut en évacuer.
Il existe donc de l'inertie entre l'ordre de blocage, sur B et l'exécution sur C.
Le temps de blocage t off se décompose ainsi:
ts = temps de stockage tf = temps de descente.

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b ) Amélioration du blocage :
Remèdes pour diminuer « ts ».
L’amélioration du blocage peut se faire de plusieurs manières :
Technologie, transistors spéciaux dopés à l'or ( BU......., BS...... )
Montages anti-saturation. Ajuster le courant Ib. de commande au courant Ic nécessaire
pour assurer
Ic
Ib 
Favoriser le « déstockage » des charges accumulées dans l’espace base émetteur lors de la
saturation.
Blocage par Vbe inverse.
Condensateur câblé en parallèle sur Rb.
Commande par transfo driver.
Le but étant " d'inverser " le courant de base au moment du blocage.

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2 Tp. mesure
Transistor bipolaire en commutation avec charge résistive dans le collecteur.
a ) Amélioration du blocage par commande négative.
Régler le générateur de signaux carré : F = 15KHz
Vg =
5V cc
Soit le schéma ci-contre.
Vcc = 15V
Rb = 1K D = Bat 82
Rc=100 C= 10nF
Relever le signal sur le collecteur du transistor.
Pendant tout le Tp. la capacité et la diode seront déconnectées.
Interrupteur en position centrale.
Vg
t
0V
Vce
Relevé l’oscillogramme sur le
collecteur du transistor avec Vg 5
volts de partie positive
Relevé l’oscillogramme sur le collecteur
du transistor avec Vg avec 3 volts positif et 2
volts négatif.
Conclusion :
Rc
Vg
Vcc
Rb
C
D

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b ) Amélioration du blocage par capacité en parallèle sur Rb.
Régler le générateur de signaux carré : F = 15KHz
Vg = 5V cc
Relever le signal sur le collecteur du transistor.
Vcc = 15V
Rb = 1K D = Bat 82
Rc=100 C= 10nF
Pendant tout le Tp. la diode sera déconnectée.
Interrupteur en position Droite.
Vg
t
Sans capacité
Avec capacité
0
0
0
Vce
Vérifier que le temps de « stockage ts » diminue lorsque la capacité est connectée.
Vérifier aussi que le temps de « montée tm » diminue aussi.
Conclusion :
Rc
Vg
Vcc
Rb
C
D