photodiodes à avalanche en mode linéaire (APD) et en mode Geiger (SPAD ) directement
associées aux photo-détecteurs, ou dans les EMCCD sous forme d’un registre série de
multiplication des charges.
L’enjeu principal de ce sujet de thèse de doctorat, ciblé sur la capacité de détection du
photon unique, vise, sur la base d’idées innovantes, à explorer de nouvelles voies
d'exploitation dans les imageurs CMOS de la multiplication de porteurs de charges par
ionisation par impact, en les associant à une lecture du signal idéalement, directement
dans le domaine numérique et tirant le meilleur parti des procédés microélectroniques
CMOS optimisés pour l’imagerie de dernière génération.
De façon détaillée, le doctorant devra :
Réaliser une revue bibliographique de l’état de l’art concernant :
l’utilisation de l’ionisation par impact pour l’avalanche et notamment les
transistors bipolaires à avalanche.
les technologies CMOS optimisées pour l’imagerie.
les dispositifs de lecture évènementielle permettant la lecture des signaux issus
du transistor bipolaire à avalanche.
Modéliser et simuler les phénomènes clés liées à l’ionisation par impact, notamment
en simulation physique maillée de type TCAD.
Rechercher et développer des solutions pour contenir les effets parasites associés à
l’ionisation par impact, notamment l’électroluminescence dans l’infrarouge proche
Réaliser sur silicium CMOS des structures de test d’étude des dispositifs envisagés
(nœuds de lecture à jonction à avalanche, transistors bipolaires à avalanche) pour
évaluer leurs caractéristiques statiques et dynamiques.
Etudier et proposer des solutions de lecture du signal adaptées à la quantification
directe réalisée grâce à l’avalanche afin de concevoir un prototype à échelle réduite
(structures de test réalistes) pour évaluer et valider les concepts proposés
Mesurer et analyser les structures conçues.
Réaliser la synthèse des travaux développés durant la thèse.
PROFIL DU CANDIDAT
Le master ou diplôme d’ingénieur (ou équivalent) suivi devra être spécialisé dans au
moins l’un des thèmes suivants : nano/microélectronique (conception, procédés de
fabrication…) / optoélectronique / imagerie électronique, capteurs, détecteurs / physique
des dispositifs semiconducteurs / physique du solide / électronique analogique et
numérique.