ﺺﺨﻠﻣ:
ﻞﺻﻮﻠﻟﻰﻟإ فﺎﺸﺘﻛابﻮﯿﻌﻟا ﮫﺒﺸﻟا داﻮﻤﻟا ﻲﻓ،ﺔﻠﻗﺎﻧﺔﻘﯾﺮط ﺮﺒﺘﻌﺗDLTS اﺬﮭﻟ ﺎﻣاﺪﺨﺘﺳا ﺮﺜﻛﻷا
ﻰﻠﻋ ﺪﻤﺘﻌﺗ ةﺮﯿﺧﻷا هﺬھ ،ضﺮﻐﻟاسﺎﯿﻗةرﺎﺷﻹاﺔﻌﯾﺮﺴﻟا ةﺮﯿﻐﺘﻤﻟا)signale transitoire.( ﻞﻤﻌﻟا اﺬھ ﻲﻓ
ةﺮﯿﻐﺘﻤﻟا ﺔﻔﺜﻜﻤﻟا ﺔﻤﯿﻗ سﺎﯿﻗ ﻦﻣ ﺎﻨﻨﻜﻤﯾ مﺎﻈﻧ ﺐﯿﻛﺮﺘﺑ ﺎﻨﻤﻗ ﻲﻧاﺪﯿﻤﻟا)capacité transitoire ( ﺪﻌﺑةرﺎﺛإ
ﺔﯿﺋﺎﺑﺮﮭﻛ ﻲﺋﻮﺿ ﺞﯿﮭﺘﺑ ﺎﻨﻤﻗ ﺎﻀﯾأو ،ﺔﻨﯿﻌﻠﻟ ﮫﺘﺟﻮﻣ لﻮط يرﺰﯿﻟ)337nm( ﺔﺑﺎﺠﺘﺳﻻا صﻼﺨﺘﺳاو
ﺔﻌﯾﺮﺴﻟا ،و عﻮﻧ ﻦﻣ تﺎﻔﻠﻣ ﻞﻜﺷ ﻰﻠﻋ بﻮﺳﺎﺤﻟا ﻲﻓ نﺰﺨﺗو تﺎﺳﺎﯿﻘﻟا ﻢﺘﺗ ةراﺮﺤﻟا ﺔﺟرد ﺮﯿﯿﻐﺘﺑ(*.txt)
و(*.cvs) تﺎﯾﺮﻈﻨﻟا ﻖﯿﺒﻄﺘﺑ ﺎﮭﻟﻼﻐﺘﺳا ﻢﺘﯿﻟ ،ﺔﯿﺋﺎﯾﺰﯿﻔﻟا ﺎﮭﯿﻠﻋ.
ﺔﯿﺣﺎﺘﻔﻤﻟا تﺎﻤﻠﻜﻟا:ﺺﺋﺎﺼﺧ ،ﻞﺻﻮﻣ ﮫﺒﺷ ،ﺔﻌﯾﺮﺴﻟا ةﺮﯿﻐﺘﻤﻟا ةرﺎﺷﻹا ،تﺎﻣﻮﻠﻌﻤﻟا لﺎﺧدإ ﮫﺒﺸﻟا داﻮﻤﻟا
ﺔﻠﻗﺎﻧ ،DLTS.
Résumé :
Dans le bute de déterminé les défauts des composants a semi-conducteur, la méthode
DLTS est la plus utilisable pour cette phénomène, ce dernier repose sur l’acquisition des
signaux transitoire. Noua avons réalisé expérimentalement un banc d’acquisition de capacité
transitoire mesuré après une excitation électrique et une excitation optique depuis une source
d’impulsion laser, avec une Longueur d’onde 337 nm.
Avec un changement de température commandé avec le cryostat, les réponses (capacité
transitoire) acquérir a l’ordinateur, et enregistré ces donnée sous forme d’un document (*.txt)
ou (*.cvs) pour utiliser ultérieurement . Avec les méthodes mathématiques.
Mots-clés: Acquisition, régime transitoire, semi-conducteur, caractérisation des semi-
conducteurs, durée de Vie, DLTS.
Abstract :
In abuts determined defects in a semiconductor component, the DLTS method is the
most used for detecting this phenomenon, this latter based on the acquisition of transient
signals. we made an experimentally system for acquisition measured transient capacity of
semiconductor component after an electrical excitation and an optical excitation pulse from a
laser source with a wave length of 337 nm, with a change of the temperature controlled barrier
cryostat, responses (transient capacity) acquisition computer and recorded his often given as a
document (*. txt) or (*.cvs) for later use.
Keywords: Acquisition, transient signal, semiconductor, characterization, lifetime, DLTS.