Sujet de thèse CIFRE : Thématique fiabilité
« Etude des interactions électriques conduites sur des composants et
systèmes électroniques »
Introduction
Ce sujet s’inscrit dans le cadre des activités de recherche du LaMIPS (Laboratoire de
Microélectronique et Physique des Semi-conducteurs ». et plus particulièrement dans l’axe
de recherche portant sur la fiabilité des composants et systèmes électroniques.
La finalité de ce sujet est de compléter les outils de modélisation et de simulation dans les
domaines de fréquence, puissance et énergie correspondant aux évènements électriques
accidentels conduits de type décharge électrostatiques, surtension électrique regroupés sous
le nom EOS (Electrical Over Stress). Cette étude s’applique aux composants de protection,
aux circuits intégrés et aux systèmes électroniques.
Contexte
Une grande attention est dédiée, depuis plusieurs années, à la désensibilisation des
composants électroniques pour minimiser les effets destructifs dus aux phénomènes de
décharge électrostatique ESD, notamment en introduisant des circuits de protection interne.
Les chaînes de fabrication, elles aussi, ont bénéficié d’améliorations pour réduire le taux de
circuits défaillants liés à ces faits. Les évolutions technologiques et l’amélioration
permanente des protections contre les accidents de type décharge électrostatique ESD ont
laissé apparaitre un autre type de mécanisme de défaillance, que nous appellerons ici
interaction électrique conduite ou Over Voltage Stress (OVS), et qui devient la cause d’une
proportion de plus en plus importante de défauts de qualité et de fiabilité pour les fabricants
de composants et les assembleurs.
Les standards ESD actuels se rapportent à des domaines de test bien spécifiques en
durée et en quantité d’énergie (Fig. 1) qui ne couvrent qu’une partie des évènements de
type EOS. Dans un contexte global d’amélioration de la qualité et du zéro défaut demandé,
par exemple par le marché automobile, un nouveau besoin de renforcer la tenue des
composants à ce type de stress est impératif. En conséquence, il est nécessaire de prendre
en compte lors de la conception, la caractérisation et la qualification des composants, une
couverture de test élargie à ces phénomènes. Ceci pousse la communauté électronique
industrielle internationale à mettre en place de nouvelles méthodes standardisées ainsi que
de nouveaux équipements de test de type EOS puis à faire évoluer les standards actuels.
Pour cela, la société Presto Engineering a déjà commencé à mettre en place un
prototype expérimental de caractérisation dans le domaine EOS, le TPG (Transient Power
Generator). Ce banc expérimental a la possibilité de soumettre des circuits ou des
composants a des stress électriques conduits autres (fréquence, énergie…) que ceux décrits
dans les normes de test ESD et va permettre la mise en évidence des mécanismes de
défaillance consécutifs aux surtensions de nature OVS.
Fig. 1 Etat de l’art des standards EOS.
A plus long terme, la finalité de cette étude sera de proposer un standard EOS aux
fournisseurs et aux équipementiers pour améliorer la qualité des produits face à ces interactions.
Sujet
Le sujet proposé consistera à approfondir la compréhension des mécanismes de défaillance,
de vieillissement et les limites physiques des composants causés par des phénomènes EOS
de type non ESD et non Latch Up. Les principaux objectifs de cette étude sont de proposer
et valider de nouvelles méthodes de test EOS permettant de reproduire les dégradations
physiques observées lors de l’analyse de défaillance de circuits ou composants défectueux
dans le but d’accroître leurs performances.
Déroulement de la thèse
Les objectifs décrits précédemment feront appel à la fois à des travaux théoriques et
expérimentaux, les différentes étapes de la thèse sont envisagées de la façon suivante :
Le doctorant devra par une recherche bibliographique établir un état de l’art dans le
domaine EOS, il recensera les différentes normes et événements de surtension, surintensité,
over et undershoot, polarisation inverse…, sources d’agression des dispositifs, ainsi que la
nature des dégradations internes observées dans les composants et étudier les modèles
physiques associés à ces phénomènes.
L’acquisition de ces connaissances permettra d’établir les études de cas les plus
intéressantes et de définir les véhicules de tests associés.
Puis le candidat devra par des tests expérimentaux reproduire les conditions
critiques qui feront apparaître les modes de défaillances. Ces tests se feront à l’aide du banc
de mesures expérimental capable d’appliquer aux composants des impulsions électriques
paramétrables en tension, courant, durée, forme, temps de montée…. Ces expériences
Le vide à combler, objet de
l
étude
permettront d’établir des comparaisons entre les analyses de défaillance obtenues et les
dégradations les plus fréquemment rencontrées afin de déterminer et justifier les formes
d’ondes les plus représentatives.
La compréhension des mécanismes de dégradation permettra de vérifier la validité
des modèles existants et de les améliorer ainsi que de définir des méthodologies de tests
permettant d’augmenter la robustesse et les performances des composants, sous systèmes et
systèmes aux interactions électriques conduites.
Lieu
Les travaux se dérouleront principalement au sein du groupe R&D de la société
Presto Engineering située à Caen, le candidat sera intégré dans une équipe ayant plus de
vingt années d’expérience dans le domaine de la fiabilité. Le candidat sera également
amené à coopérer avec les équipes opérationnelles de fiabilité et analyse de défaillance de
Presto Engineering.
Profil recherché :
Bac + 5 ayant de bonnes connaissances en :
- Procédés de semi-conducteurs.
- Caractérisation et mesure électrique.
- Logiciel de simulation et de modélisation analogique
- Anglais courant
- Profil :
o Autonomie
o Curiosi
o Capacité à travailler dans un contexte international
Moyens/ressources
- Banc de mesure TPG (Transient Power Generator)
- Outils de modélisation et simulation analogique.
- Démonstrateurs :
o Composants de protection de système.
o Composants de protection de circuits intégrés.
o Composants de protection ou transistors de circuits intégrés.
Démarrage souhaité de la thèse : avril 2011
Contacts :
Scientifique : Patrick Martin, Maître de conférences, Enseignant chercheur, HDR
(02 31 06 27 26) (patrick.martin@univ-rouen.fr)
Industriel : Jean-Luc Lefebvre, Ingénieur PRESTO Engineering (02 31 06 27 14)
(jean-luc.lefe[email protected])
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