Le design analogique en technologie CMOS
Le design analogique en technologie CMOS
Samuel Manen 1
1Clermont Université, Université Blaise Pascal, CNRS/IN2P3
Laboratoire de Physique Corpusculaire, Pôle Micrhau
BP 10448, F-63000 Clermont-Ferrand,France
Ecole de Microélectronique Fréjus - 16/19 Mai 2011
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Une brève introduction.
Du 1er transistor au microprocesseur.
La miniaturisation et l’intégration sont les clés de la révolution
électronique.
1er transistor en 1947, par Bardeen, Brattain et Shockley ;
Prix Nobel de Physique en 1956 ;
1er Circuit intégré en 1958 par Kilby et Noyce ;
Prix Nobel de Physique en 2000 ;
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Une brève introduction.
Evolution de la longueur de grille du MOS.
La résolution est très inférieure à la longueur d’onde d’exposition. 1
La lithographie utilise des lasers à excimères argon-fluor émettant dans
l’UV lointain à 193 nm.
Cette prouesse technologique est possible pour deux raisons :
Amélioration des résines photosensibles, matrices de polymères peu
absorbantes aux longueurs d’onde utilisées.
Amélioration des optiques, lithographie en immersion, qui introduit un
liquide entre la lentille et la plaque de silicium.
1. ITRS : International Technology Roadmap for Semiconductors
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