TP de Physique des Composants

Département Micro-électronique et
télécommunications
Deuxième année – 2003/2004
TP de Physique des Composants
Sandrine BERNARDINI
Pascal MASSON
Bruno IMBERT
Ecole Polytechnique Universitaire de Marseille
Laboratoire Matériaux et Micro-électronique de Provence (L2MP)

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Table des matières
Valeurs des constantes .......................................................................................... 5
TP NO1 : Le transistor bipolaire ........................................................................... 7
TP NO 2 : La conductance ...................................................................................... 9
TP NO 3 : Le transistor MOS ............................................................................... 19
TP NO 4 : Courants dans une jonction PN polarisée....................................... 23
TP NO 5 : La capacité MOS.................................................................................. 25
TP NO 6 : Diode en commutation de l’état passant à l’état bloqué. Charges
stockées. Temps de recouvrement inverse ......................................................... 27
TP NO 7 : Capacité d’une jonction PN polarisée en inverse ........................... 29
ANNEXE 1 : Nombre de Gummel ................................. Erreur ! Signet non défini.
ANNEXE 2 : Temps de recouvrement inverse des diodes ................................ 31

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Valeurs des constantes
Les constantes à utiliser à température ambiante, T = 300 K, au cours de ces TP sont :
La charge d’un trou
q = 1.61019 C
Permittivité du vide
0 = 8.851012 Fm1
Permittivité du silicium
Si = 11.9 0
Permittivité de l’oxyde de silicium
ox = 3.9 0
Constante de Planck
h = 6.6261034 Js
Constante de Boltzmann
k = 1.3811023 JK1
Masse de l’électron
M0 = 0.9111030 Kg
Largeur de la bande interdite
EG = 1.12 eV
Concentration intrinsèque de porteurs
ni = 1.171010 cm3
Densité effective d’état dans la bande de valence
du silicium.
NV = 1.041019 cm3