Spectroscopic Mueller Polarimeter Based on Liquid Crystal Devic

Contacts semiconducteur-métal
Diode Schottky
Contact entre un semiconducteur dopé n et un métal
A l’équilibre (contact), des charges négatives vont s’écouler du semiconducteur (dopé
n) vers le métal.
Le travail de sortie est la différence entre le niveau de fermi et le niveau du vide :
qm (métal); q(+Vn) (semiconducteur, qVn = Ec - Ef et q affinité électronique)
La hauteur de barriére qbn est la différence entre le travail de sortie du métal et
l’affinité électronique du semiconducteur (liée aux propriétés des matériaux).

Contacts semiconducteur-métal
Diode Schottky
Emission thermoionique
Transport d’électrons du
semiconducteur vers le métal (1)
est supposé prépondérant, devant
le courant tunnel (2), la
recombinaison dans la zone de
charge d’espace (3) et l’injection
de trou à partir du métal (4).
Analogie avec la jonction p-n
La densité de courant correspond aux électrons ayant une
énergie suffisante pour franchir la barrière (b est légèrement
inférieure à bn). x : direction de propagation
N(E) : densité d’état (qVn = EC-EF)
F(E) : probabilité d’occupation

Contacts semiconducteur-métal
On postule que l’énergie des électrons dans la bande de
conduction est cinétique;
Nbre d’électrons par unité de volume ayant une vitesse
entre v et v+dv :
avec 4 v2dv = dvxdvydvz, en intégrant :

Contacts semiconducteur-métal
v0x est la vitesse minimale (dans la direction x) nécessaire
au franchissement de la barrière. Vbi : chute de potentiel
(« built in ») à V = 0. Finalement :
avec (constante de Richardson) :
Le courant opposé correspondant au flux des électrons du métal vers le semiconducteur
n’est pas affecté par V (barrière inchangée). On l’obtient à partir de l’expression
précédente avec V = 0 :

Contacts semiconducteur-métal
Bilan final (courant 1):
avec :
Expression similaire à celle obtenue pour la jonction p n
Résistance de contact :