TP N°2 PROJECTEUR DE DIAPOSITIVESR

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TP N°2
PROJECTEUR DE DIAPOSITIVESR
PRE-REQUIS OBJECTIFS
SAVOIR :
• Principe du transistor NPN ,PNP
SAVOIR :
•
Valider par le calcul et la mesure, les
performances des fonctions
électroniques.
• Analyser les relations entre les sous-
ensembles.
• Utiliser un logiciel de Simulation afin
de valider le fonctionnement d’une
structure a base de transistor
SAVOIR-FAIRE :
• Utiliser un banc de mesures.
SAVOIR-FAIRE :
• Mettre en œuvre un transistor en
commutation
• Vérifier les caractéristiques du
transistor en utilisant un logiciel de
simulation.
• Interpréter les résultats de la
simulation
Observations
Chronologie
Durée 2H
• Analyse
fonctionnelle
• Simulation du
fonctionnement d
u
transistor
• Mettre en œuvre
un transistor en
commutation
Moyens mis en œuvre
• Doc transistor
• Documentation sur le
logiciel de simulation
en électronique
(internet)
• Mallette de simulation
• Ordinateur+Logiciel de
simulation électronique
(ORCAD9) .
Evaluations :
• Autonomie de l’élève.
• Lecture de la documentation.
• Relevés des mesures.
• Interprétations.
• Conclusions Réflexions.

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0
V1
10
0
I1
1m
0
Q1
Q2N2222
1 SCHEMA STRUCTUREL DE LA FONCTION A212 : TRAITER L'INFORMATION
• La structure permettant la commande du moteur à courant continu s'appelle un pont en H.
D'après la documentation technique sur les transistor, préciser la nature des différents transistors
bipolaires Tr1,..,Tr4.
Le pont en H doit permettre la commande du moteur afin que celui-ci puisse tourner dans 2 sens différents
ceci afin d’obtenir le positionnement correct de la diapositive.
1. Préciser quels sont les transistors qui sont commandés dans le SENS 1 (le courant entre par la borne
+ et sort par la borne-) ? et ceux qui sont commandés dans le SENS2 ?
2. Lorsque les deux comparateurs fournissent à leur sortie 0V que se passe-t-il au niveau du moteur ?
2 SIMULATION
• On se propose à l'aide
du logiciel de simulation
sous ORCAD9 de
relever le réseau de
caractéristique d'un
transistor NPN 2N2222.
1. Ouvrir le projet tp2.opj

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2. Placer un marqueur d’intensité sur le collecteur de Q1.
Vérifier les paramètres du fichier de simulation
(menu PSPICE➴ edit simulation settings)
3. Vérifier la fenêtre de simulation qu’elle corresponde a l’exemple représenté a droite.
Analyse DC
Primary sweep (voltage
source : V1)
Linear source 0 à 15
increment 0.5)
4. ensuite sélectionner
secondary sweep et vérifier
que la fenetre corresponde
a celle représentée a droite .
5. Tout est enfin prêt pour tracer
la caractéristique IC=f(VCE) à
Ib=cst. Lancer la simulation. il
apparaît alors Ic=f(VCE) pour
ib=cst. (Ib variant de 0 à 1mA
par incrément de 0.1mA).
6. Si Ic=68.8mA et VCE=4V
quelle est alors la valeur
correspondante de Ib ?
7. On se propose de tracer la caractéristique IC=f(Ib) pour 3 valeurs de la température(10°,25°,70°).
Placer le marqueur d'intensité permettant de sélectionner IC.
8. Configurer les paramètres de simulation comme présenté à droite.

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9. Lancer la simulation. Que remarquez vous?
10. Tracer aussi la
caractéristique Vbe=f(Ib) a
10°,25°70°, pour cela enlever le marqueur d'intensité et placer un marqueur de tension sur le signal
Vbe. Donner à 25°C la valeur de vbe correspondant à IC=68.8mA?
3 MISE EN ŒUVRE D'UN TRANSISTOR NPN
2N2222
On veut faire fonctionner ce transistor en commutation.
Rb
GBF
Rc
Q2N2222 VDC

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Matériel nécessaire :
Un GBF générant un carré 0, 5V (F=100KHz)
Une alimentation continue réglée à VDC=10V
Un oscilloscope pour visualiser les signaux
Un transistor 2N2222 et 2 résistances
1 mallette de simulation pour servir de support de réalisation du montage
(les connexions restent ainsi aisées).
On donne Rc=100Ω
1. Tracer sur les caractéristiques obtenues en simulation la droite de charge
Rc
VceVDC
Ic
−
=
Préciser sur cette caractéristique les paramètres du point de fonctionnement correspondant au début de la
saturation a 25°C (ibsat,icsat,vcesat,vbesat)
2. On se fixe Ib=1mA Sachant que le signal d'entrée est un signal carré compatible TTL (c'est à dire
Vemax=5V et Vemin=0). Déterminer la valeur de Rb qui permet d’obtenir la saturation du transistor.
3. Réaliser le montage représenté ci-dessus (Rc=100Ω et RB=valeur calculée) .La brochage du
transistor vous est donné document page 6/6
4. Relever à l'aide de l'oscilloscope le signal Ve et Vs en concordance de temps. Déduire de vos
mesures les paramètres dynamiques du transistor (Ton et Toff)
5. Donner à RB la valeur 40*RB refaire la mesure précédente. Conclusion (saturation du
transistor) ?