FABRICATION DE MIROIRS DE BRAGG PAR FAISCEAUX D’IONS FOCALIS ´
ES
DANS DES GUIDES Ti :LiNbO3
K. GHOUMID1, R. FERRIERE1, B.-E BENKELFAT2, G. ULLIAC1,
R. SALUT1et N. BEN SEDRINE1
1Femto-St/Laboratoire D’optique P.M. Duffieux -UMR, 6174, 16 route de Gray, 25030 Besanc¸on
Cedex (France).
2Institut Telecom; Telecom & Management Sud-Paris; Samovar UMR CNRS 5157, D´
epartement
´
Electronique et Physique, 9 rue Charles Fourier 91011 Evry Cedex (France).
R´
ESUM ´
E
Nous pr´
esentons ici une m´
ethode de nanostructuration de r´
eseaux de Bragg bas´
ee sur une
technique de gravure par faisceaux d’ions focalis´
es. Les r´
eseaux sont fabriqu´
es sur des guides
d’ondes diffus´
es Ti :LiNbO3.Lam
´
ethode utilis´
ee est simple dans son principe compar´
ee
aux m´
ethodes holographiques puisque l’´
ecriture de r´
eseaux se fait directement. Cette tech-
nique nous a permis d’inscrire des r´
eseaux de Bragg dont les performances au niveau de
la r´
eflectivit´
e et de la bande passante sont int´
eressantes pour des applications futures qui
concernent la fabrication de cavit´
es fabry-P´
erot int´
egr´
ees en particuliers.
MOTS-CLEFS :R´
eseau de Bragg ; Faisceau d’ion focalis´
e ; Transmittance.
1. INTRODUCTION
Parmi les m´
ethodes les plus utilis´
ees pour la fabrication des r´
eseaux de Bragg on trouve La m´
ethode
photor´
efractive [2], la gravure s`
eche RIE (Reactive Ion Etching) ou profonde ’Depth’ (DRIE) [3], l’abla-
tion laser [4], l’´
echange protonique [5].
La majorit´
e des ces m´
ethodes demandent de nombreuses ´
etapes de fabrication (pr´
eparation du masque,
lithographie, d´
eveloppement du r´
esine, gravure ...). La technique utilis´
ee pour la fabrication des r´
eseaux
de Bragg par FIB (focused ions beam) r´
eduit drastiquement le nombre de ces ´
etapes puisque la gravure
est faite directement et sans l’interm´
ediaire d’un masque. L’avantage principal de cette technique est
l’obtention de r´
eseaux de Bragg dont les dimensions peuvent ˆ
etre inf´
erieures `
a 100nm, ce qui est presque
impossible avec les autres m´
ethodes cit´
ees pr´
ec´
edemment.
2. M´
ETHODE DE FABRICATION
Le faisceau d’ion focalis´
e est une technique utilis´
ee en particulier dans les domaines des semi-
conducteurs et des sciences des mat´
eriaux pour l’analyse et le d´
epˆ
ot. Le FIB utilise un faisceau d’ions
de gallium Ga+qui apr`
es acc´
el´
eration entre en collisions avec la surface de l’´
echantillon `
a graver. Le
concept le plus largement admis pour des interactions ion-solide est le mod`
ele de cascade de collision
[1]. Si l’´
energie de translation transf´
er´
ee `
a un atome cible pendant une collision d´
epasse une valeur cri-
tique appel´
ee ´
energie de d´
eplacement, l’atome sera ´
eject´
e hors de son emplacement original et peut ˆ
etre
´
emis hors du solide. Ainsi les ions Ga+sont concentr´
es sur l’´
echantillon en suivant le mod`
ele d´
esir´
e. La
quantit´
edemat
´
eriau enlev´
ee d´
epend du dosage. L’´
energie de d´
eplacement (typiquement sur l’ordre de
20eV ) est beaucoup plus grande que l’´
energie de liaison des atomes (de l’ordre de 1eV ). Apr`
es un certain
nombre de collisions au cours de la gravure du mat´
eriau, une grande quantit´
e de mati`
ere enlev´
ee vient
se red´
eposer dans le trou grav´
e. Cette red´
eposition explique l’inclinaison (86opar rapport `
a la normale)
des profils des trous obtenus apr`
es gravure, ce ph´
enom`
ene est illustr´
e sur la figure 1. Lorsque les ´
energies
de toutes les particules participant `
a la cascade descendent au-dessous de l’´
energie de d´
eplacement, la
gravure ne peut plus continuer.