40 MATERIAUX ET COMPOSANTS PHOTONIQUES POUR LES TRANSMISSIONS OPTIQUES II
Vendredi 26/11, 10h20 FOTON 2004 Article 9H
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Christophe LEVALLOIS1, Alain LE CORRE1, Slimane LOUALICHE1, Olivier DEHAESE1, Hervé FOLLIOT1,
Christophe LABBÉ1, Françoise THOUMYRE1, Laurent DUPONT2,
Jean-Louis DE BOUGRENET DE LA TOCNAYE2
Groupement d’Intérêt Scientifique FOTON
1Laboratoire d’Etudes des Nanostructures à Semiconducteurs/INSA Rennes, UMR CNRS 6082
2Département d’Optique, ENST Bretagne/GET, CNRS UMR 6082
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Le VCSEL accordable, autour de 1,55µm est essentiel pour le développement des réseaux
à courtes et moyennes distances multiplexés en longueur d'onde. La zone active du
composant est à base de puits quantiques InGaAs/InGaAsP sur substrat InP. Pour obtenir
l'accordabilité on insère dans la cavité laser un matériau électro-optique qui répond par
une variation d'indice à une commande électrique. Dans ce travail nous avons d'abord
traité le cas de la cavité verticale pompée optiquement. Nous avons étudié et réalisé un
miroir diélectrique avec des matériaux à fort contraste d'indice (Si et SixNy). Ce miroir
atteint une réflectivité de 99,5% et une bande passante spectrale de 800nm avec
seulement 5 paires de couches. Il a été testé sur une demi cavité verticale réalisée en MBE
qui a atteint l'effet laser en pompage optique.
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Le laser vertical (VCSEL) final accordable visé sera constitué d'une demi cavité dont la
croissance est réalisée en MBE. Il comprend un miroir en semiconducteur et une zone active à base de
puits quantiques. La cavité est ensuite fermée par la zone de phase en cristal liquide (nano-PDLC)
suivi d'un miroir de Bragg diélectrique (Si/SixNy) dont le fort contraste d'indice ( Q=1,9) permet de se
limiter à un dépôt de 5 paires (cf. Fig. 1). Une collaboration entre l'INSA et l'ENSTB a déjà fait l'objet
d'un VCSEL accordable à base de nano-PDLC [1,2,3]. Le pompage optique (à 1,064µm) et la collecte
de l'émission s'effectue par le miroir diélectrique. La zone active d'une épaisseur optique de 1,5
comprenant 21 puits quantiques (MQW), est déposée sur un miroir de Bragg en semiconducteur
(InP/In0,8Ga0,2As0,8P0,2) de 40 paires. Dans cette première partie du travail nous avons abordé l'étude
des miroirs et de la cavité laser. La zone active, dans sa conception, est optimisée pour rendre efficace
le couplage entre la lumière et les transitions optiques dans les MQW, grâce au placement des MQW
aux ventres du champ électromagnétique. Les couches de diélectriques pour les miroirs sont déposées
par sputtering. Les conditions de dépôt ont été optimisées pour avoir des structures reproductibles,
stables dans le temps et présentant des pertes optiques faibles. Nous avons utilisé les conditions
expérimentales donnant une texture homogène dont le contrôle a été assuré par microscope
électronique à balayage (MEB).
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A ce stade du développement, l'accent a été mis sur l'optimisation du miroir de Bragg
diélectrique. Les matériaux utilisés (Si/SixNy) pour la réalisation du miroir de Bragg diélectrique
affiche un contraste d'indice de Q=1,9. Il est alors possible d'obtenir un coefficient de réflexion de
99,5% et une bande passante supérieure à 800nm avec seulement 5 paires de couches (cf. Fig. 1).
Cette réflectivité est cependant limitée par l'absorption optique du Si ( ≈300cm-1 ) qui reste malgré