DISS. ETH No. 16081 TRENCH HALL AND RESONANT MAGNETIC FIELD MIRCOSENSORS A thesis submitted to the SWISS FEDERAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY ZURICH for the degree of DOcrOR OF NATURAL SCIENCES presented by ROBERT SUNIER ING.MICROTECHN. DIPL. EPFL BORN FEBRUARY 21~ 1975 CITIZEN OF NODS~ SWITZERLAND accepted on the recommendation of Prof. Dr. H. Baltes, examiner Prof. Dr. O. Brand, co-examiner Dr. T. Vancura, co-examiner 2005 ABSTRACT Trench Hall and resonant magnetic field sensors, two kinds of silicon-based microsystems for the detection of in-chip-plane magnetic fields, are reported on in this thesis. By arranging such devices in quadrature on a single chip, monolithic 2-D magnetic vector probes can be realized. Contactless angle measurement systems therefore represent the main application of these sensors. Trench Hall devices (THDs) are presented first. As in the case of traditional Hall plates, the piezo-resistive effect is expected to be one of the primary offset sources of THDs. The usual modeling of this effect by lumped elements is not adapted to vertical Hall sensors (VHSs), because of the strongly non-rectilinear current flow inherent to these kinds of structures, Therefore, a new method based on mapping techniques has been developed. The insight offered by this quasi-analytical approach demonstrates that the judicious positioning of the active-area borders may considerably reduce the parasitic offset voltage generated. The sensors have been fabricated in-house using a custom-designed process. Combining dry and wet etching led to the precise release of the device active area, and thus resulted in the desired elimination of the bottom pn-junction insulation. Furthermore, the stress on the sensitive structure could be reduced by removing the polysilicon, which was used to fill the trenches, by means of a mask-less XeF 2 dry-etching step. The obtained devices exhibit high current- and voltage-related sensitivities of around 1000 V/AT and 0.05 V/VT, respectively, and a relatively low residual offset typically remaining below 0.5 mT for a bias of 10 pA. A strong field effect generated by the difference of potential between the bulk and the active area was identified. It can be decreased by the XeF2 polysilicon etching, but constitutes the largest source of electrical non-linearity, which is closely linked to the sensor residual offset voltage. A new type of resonant magnetic field sensor providing a frequency output is the focus of the second part of the thesis. The system consists of an electrical harmonic oscillator, in which the frequency-determining element was replaced by a resonating cantilever. An electro-thermal bimorph effect performs the actuation of the mechanical structure, and a Wheatstone bridge of 4 piezoresistive transis- 1 --------------- -------------- tors detects the beam deflection. The cantilever's equivalent mass and spring c,onstant detennine its resonance· frequency, which is also the oscillation frequency of the system. By generating a current proportional to the cantilever position, an additional restoring force (Lorentz force) is created in the presence of an external magnetic field. The resulting effect is hence equivalent to a modification of the resonator spring constant, and consequently, of the oscillation frequency of the system. That is to say, the device oscillation frequency becomes a function of the magnetic field. The transducing elements of the resonator as well as the first amplification stage were fabricated in a standard industrial CMOS process. During a post-processing sequence, the cantilever beam, which consists of the n-well, the dielectric layers, and the metal interconnections of the CMOS process, was released by an anisotropie wet-etching step from the back-side of.the wafer, and by a dry-etching step from the front side. The devices realized oscillate at 175 kHz with a sensitivity of 60 kHz/T. Their frequency stability (calculated from the oscillator Allan variance) reaches 0.025.Hz, which correspond to aresolution of less than 1 ]lT. Measurements perfonned at 50 pT show that this working principle may be exploited . in earth-fie1d applications. At such weak fields, it is however necessary to use the difference of frequencies measured with the excitation current on and off as the output signal. Indeed, the drifts would rapidly exceed the signal value if this continuous offset cancellation method would not be applied. 2 RESUME Cette these traite de capteurs Hall a tranchees et de capteurs de champ magnetique resonant, qui sont deux microsystemes fabriques sur une base de silicium et destines la detection de champs magnetiques situes dans le plan de la puce. Disposer de tels dispositifs en quadrature sur une seule puce permet de creer une sonde de champs magnetiques bi-dimensionnels monolithique. Les systemes de mesure angulaire sans contact representent ainsi le domaine d' application privilegie de ces capteurs. ä Les dispositifs Hall tranchees (DHTs) font l' objet de la premiere partie du travail. Comme pour les capteurs Hall 'planaires traditionnels, I' effet piezoresistif est suppose compter parmi les sources majeures d' offset des DHTs. Sa modelisation habituelle par elements discrets n' est toutefois pas adaptee au cas des capteurs Hall verticaux, en raison du flux de courant fortement non-rectilignequi s'etablit dans ce genre de structures. C'est pourquoi une nouvelle methode basee sur des techniques de "mapping" a etedeveloppee. La vision du problerne rendue possible par cette approche quasi-analytique, montre que le positionnement judicieux des limites de la region active peut considerablement reduire la tension d' offset parasite engendree. ä Les capteurs etudies ont ete fabriques en interne I' aide de procedes specialement concus cet effet. la combinaison de gravure seche et humide utilisee a permis la decoupe precise de la region active du dispositif, etainsi I'elimination de la jonction pn isolant le fond du capteur, Les contraintes mecaniques exercees sur la partie sensible ont quant elles pu etre reduites par la suppression du polysilicium remplissant les tranchees l'aide d'une etape de gravure seche au XeF2 , sans masque supplementaire. Les dispositifs obtenus presentent une haute sensibilite relative au courant et la tension d'environ 1000 V/AT. et O.OS'V/VT respectivement, ainsi qu'un offset residuel relativement bas, puisque typiquement en-dessous de 0.5 mT pour un courant de polarisation de 10 ]tA. Un puissant effet de champ induit par la difference de potentiel entre le caisson et la region active a ete mis en evidence. Il peut etre diminue par la gravure du polysilicium, mais constitue la plus importante source de non-Iinearite electrique du capteur, qui est intimement liee sa tension d'offset residuel. ä ä ä ä ä ä 3 La seconde partie de la these est consacree un nouveau type· de capteur de champ magnetique resonant, qui delivre une sortie en frequence. Le systerne consiste en un oscillateur harmonique electrique dans lequel I' element determinant la frequence a ete remplace par un resonateurä poutre cantilever. La structure mecanique est mue par un effet bimorphe electrothermique, et sa position detectee par un pont de Wheatstone comprenant 4 transistors piezoresistifs. La masse et la constante de ressort equivalente de la poutre determine sa frequence de resonance, qui est egalement la frequence d'oscillation du dispositif. En generaut un courant proportionnel la deflection de la structure, une force de rappel supplementaire est induite en presence d'un champ magnetique externe. L'effet resultant est equivalent a la modification de la constante de ressort du resonateur, et par consequent, de la frequence d' oscillation du systeme. En d'autres termes, la frequence d'oscillation du capteur devient une fonction du champ magnetique. ä ä Les elements de transduction du resonateur, ainsi que le premier etage d'amplification ont ete fabriques dans un procede CMOS industriel standard. La poutre cantilever qui se compose du caisson n, mais aussi des couches dielectriques et metalliques de la fabrication CMOS, a ete liberee par une gravure humide anisotrope de la face arriere de la plaque de silicium, et par une gravure seche de la face avant. Les dispositifs realises oscillent 175 kHz avec une sensibilite de 60 kHz/T. Leur stabilite en frequence (calculee partir de la variance de Allan) une resolution en-dessous du atteint environ 0.025 Hz, ce qui correspond microtesla. Des mesures effectuees 50 pT montrent que ce principe de fonctionnement peut etre exploite pour des applications s'interessant aux champs terrestres. Pour la mesure de champs si faibles, il est toutefois necessaire d'utiliser la difference de frequence mesuree avec et sans courant d'excitation commesignal de sortie. Les derives excederaient en effet rapidement la valeur du signal, si cette methode d'annulation continue de I'offset n'etait pas appliquee. ä ä ä ä 4