Modélisation de la croissance en phase liquide de cristaux

Modélisation de la croissance en phase
liquide de cristaux de SiC
Jean-Marc DEDULLE
Professeur PAST(1) / Gérant IRIS Technologies(2)
(1) Grenoble- INP / Phelma – LMGP
(2) IRIS Technologies 155 cours Berriat, Grenoble
Journées CRISTECH 2010 - Autrans
Projet ANR 2005-2008 - CARNICUB
Projet ANR 2009-2012 – MINTEX
Multiscale INteraction between EXtended defects and growth front
Porteur du projet : Didier CHAUSSENDE
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Elaboration
Microscopie optique
Biréfringence
X-ray topography
Transfert thermique
Thermodynamique
Microscopie électronique
50 mm
Caractérisation
Modélisation
PVT
CPL
Equipe multidisciplinaire : Tryptique
Modélisation
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La nécessité du numérique
Non linéarité des équations aux dérivées partielles
Non linéarités des propriétés physiques
Complexité des conditions aux limites
Complexité des domaines d'étude
Couplages entre phénomènes
Rayonnement σε(T4-T4amb)
Equation de Navier-Stokes :
σ(T), µ(H,T), η(T), k(T), Cp(T)
Capteur de vitesse
Procédé de
croissance par
PVT
Electromagnétisme
Thermique
Echange radiatif
Transfert de matière
Mécanique
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Le SiC pourquoi ?
GaN on SiC :
Blue LEDs / UV
Laser
High Temperature
Devices and Sensors
Power
devices
Power and High
Frequency Devices
Semi-conducteur à grand gap pour des applications :
Haute température (Automobile – Spatial)
Haute puissance (Electronique de puissance)
Haute fréquence (Technologies de l’information)
Vitesse de saturation électronique
(cm/s)
Champ de claquage
(MV/cm)
Tem pérat ur e max d ut il is ati on (° C)
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Croissance de SiC en phase liquide
Graphite crucible
Graphite foam
Induction coils
RF Frequency
Small graphite
crucible as carbon
source Induction coils
Capacitors
Power generator
Induction coils
RF Frequency
Liquid Silicon
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