AIDE MEMOIRE TRAVAUX DE REALISATION (TR) DEPARTEMENT G.E.I.I. I.U.T. de VILLETANEUSE 1ère Année Année scolaire 99/00 DEL FRANCO Giovanni I.U.T de Villetaneuse Département G.E.I.I. I- LA DIODE : I-1- GENERALITE : La diode(jonction PN) est un semi-conducteur bipolaire unidirectionnel, c’est à dire que le courant ne peut passer que dans un sens. Des deux bornes la jonction N est nommée la cathode, la jonction P est nommée l’anode. Représentation de la diode : A(anode) K (cathode) I Vak Détermination de la tension de seuil : La tension de seuil est la tension à partir de laquelle la diode devient passante. Cette tension est liée proportionnellement à la température de la jonction, c’est pourquoi on l’utilise parfois comme capteur de température. dV o dT 2mV La température T est en Kelvin. I-2- FONCTIONNEMENT : Si la tension Vak est positive la diode devient passante et le courant I existe (dans ce cas Vo vaut environ 0,6 volt), équivalent à un interrupteur fermé. Si cette tension est négative la diode est bloquée le courant ne franchi pas la barrière de potentiel dont I=0 et la tension Vak vaut la tension d’alimentation (au signe près), équivalent à un interrupteur ouvert I-3- LES PARAMETRES DES DIODES : Les diodes sont choisies en fonction de critères courant/tension. If : Courant direct continu Ifrm : Courant direct de pointe répétitif Ifsm : Courant de pointe non répétitif de surcharge accidentelle Io : Courant direct moyen Ir : Courant inverse trr : Temps de recouvrement inverse Vf : Tension directe continue Vfm : Tension de crête maximum Vra : Tension d’avalanche Vrrm : Tension inverse de pointe répétitive Vrsm : Tension inverse de pointe non répétitive I-4- UTILISATIONS : Les diodes, de signal, sont utilisées pour écrêter des tensions dans les montages électroniques, protéger les transistors des effets selfiques (diode de roue libre), capter la température, réaliser des fonctions logiques câblées et associées à d’autres composants pour obtenir des signaux analogiques (ln ou exp). DEL FRANCO Giovanni I.U.T de Villetaneuse Département G.E.I.I. I-5- CARACTERISTIQUE I=f(U) : I Dans cette zone (blocage) le courant est très faible qqes pico A U Vo II- LA DIODE ZENER : II-1- GENERALITE : La diode Zéner, est une diode qui possède les mêmes caractéristiques que la diode normale, mais en inverse à partir d'une tension d'avalanche appelée tension de Zéner, celle ci devient passante II-2- UTILISATIONS : Elle est utilisée comme tension de référence pour alimentation stabilisée ou comme diode de désaturation des circuits magnétiques des transformateurs d’impulsion II-3- CARACTERISTIQUES U=f(I) : I Vzener U Vo III- LE TRANSISTOR : III-1- GENERALITES : Il existe deux types de transistor bipolaire, le NPN et le PNP. Ils possèdent 3 bornes : La base (B), le collecteur (C) et l'émetteur (E). Cette dernière est associée à une flèche qui indique le sens du courant. Le transistor à deux domaines d’utilisation. On peut l’utiliser comme interrupteur statique, essentiellement dans l’électronique lié au pilotage des convertisseurs de puissance, on parle alors de commutation. On utilise aussi le transistor comme amplificateur de courant, on parle alors d’amplification (de classe A, AB,...) Représentation du transistor : C B Ib B Ie Type NPN DEL FRANCO Giovanni E Ie Ic E Ib Ic C Type PNP I.U.T de Villetaneuse Département G.E.I.I. Rem : La lettre au centre de l’identification, P pour le NPN et N pour le PNP représente la nature de la base. La Lettre P indique qu’il faut un potentiel POSITIF sur la base pour piloter le transistor NPN, la lettre N indique qu’il faut un potentiel négatif (ou nul) pour piloter le transistor PNP. Le transistor est parcouru par 3 courants Ic, Ib, Ie qui régissent son fonctionnement. On a : Ie = Ic + Ib Il existe d'autre part une relation de proportionnalité entre le courant de base et le courant de collecteur. Cette relation porte le nom de GAIN noté : G, Hfe ou et s'écrit : = Ic/Ib III-2- MODE DE FONCTIONNEMENT : Des deux modes de fonctionnement, amplification et commutation, on ne retiendra que le second (commutation). Dans ce cas le transistor fonctionne comme un interrupteur électronique, il ne prend que deux états stables, bloqué ou passant. Le courant Ic est alors fixé par la charge III-3- RELATION ENTRE LES TENSIONS : Il existe deux tensions utiles Vce et Vbe pour le transistor NPN. Transistor bloqué : Vce vaut la tension d'alimentation, et Vbe vaut 0 volt Transistor saturé : Vce est quasi nulle et Vbe vaut généralement 0,7 volts (fixées par le constructeur) Il existe deux tensions utiles Vec et Veb pour le transistor PNP. Transistor bloqué : Veb vaut la tension d'alimentation, et Veb vaut 0 volt Transistor saturé : Vec est quasi nulle et Veb vaut généralement 0,7 volts (fixées par le constructeur) C Veb B Vce E B Vec Vbe E NPN C PNP III-4- EXPRESSION DES COURANTS (Hors pont de polarisation) : Le courant traversant la charge s'écrit : Ic = (Vcc - Vcesat )/Rc Le courant traversant la base s'écrit : Ib = (Vcc-Vbe)/Rb DEL FRANCO Giovanni I.U.T de Villetaneuse Département G.E.I.I. III-5- CALCUL de Rbase : Rb = (Vcc-Vbe) sat/Ic en travaux de réalisation on prendra : sat = /2 Rem :La valeur de la résistance de base normalisée doit être toujours inférieure à la valeur calculée pour être sûr de saturer le transistor. A l'inverse une résistance de protection doit être supérieure à la valeur calculée pour être certain de son efficacité III-6- REALITE PRATIQUE : Le transistor possède par fabrication une capacité Cf entre la base et l’émetteur. Lors d’un fonctionnement à fréquence élevée cette capacité empêche le transistor de retrouver son état repos rapidement. On prévoit donc une résistance dite de «déstockage » qui permet la décharge rapide de la capacité Cf. (On imposera le courant dans cette résistance à 1/10 du courant de saturation) IV- L’AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL : IV-1- GENERALITES : C’est un composant monolithique qui est utilisé comme amplificateur de tension. Il présente un gain infini en continu (300000) et cette valeur diminue si on l’utilise en haute fréquence (30 à quelques 100 kHz). Symbole : i+ -i Vd Hypothèse de fonctionnement : On admet que i+=i-=0 A et Vd=0V + - Brochage : NC VV+ -i i+ + NC +Vcc NC IV-2- MODE DE FONCTIONNEMENT : L’amplificateur opérationnel à deux modes de fonctionnement : Le mode linéaire : La sortie est raccordée à l’entrée inverseuse de l’AOP le gain max est limité par les tensions d’alimentation. L’AOP est en boucle fermée. Le mode non linéaire : La sortie n’est pas raccordée à l’une des entrées, il fonctionnement en boucle Ouverte. C’est le comparateur La sortie est raccordée à l’entrée non inverseuse dans ce cas c’est un Trigger de schmitt (ou comparateur double seuil). Il peut être inverseur ou non DEL FRANCO Giovanni I.U.T de Villetaneuse Département G.E.I.I. IV-3- LES DIFFERENTS MONTAGES : IV-3-1-INVERSEUR DE TENSION : R2 R1 Ve + R3 Vs=(-R2/R1)Ve Vs Gnd IV-3-2- NON INVERSEUR DE TENSION : R2 R1 - R3 + Vs=(1+R2/R1)Ve Vs Ve Gnd IV-3-3- SOMMATEUR INVERSEUR DE TENSION : R2 R1 - R3 R 2 R2 Vs Ve1 Ve2 R3 R1 + Ve1 Vs R4 Ve2 Gnd IV-3-4- SOUSTRACTEUR DE TENSION : R2 R1 - R3 Ve1 Vs R4 Ve2 R4 R2 R 2 Ve2 Vs 1 Ve1 R1 R 4 R3 R1 + Gnd IV-3-5- COMPARATEUR DE TENSION : + Ve2 gnd Ve1 Vs On donne à la sortie Vs la tension Vcc associée du signe de la différence V(+)-V(-) V(+)-V(-) <0 alors Vs=-Vcc V(+)-V(-) >0 alors Vs=+Vcc IV-3-6- TRIGGER DE SCHMITT : + Ve R1 Les deux seuils de comparaison sont liés à +Vcc et –Vcc (donc Vs) R2 Vs V+=+/-VccR1/(R1+R2) Gnd REM :On peut décaler la fenêtre en insérant un générateur en série avec R1 DEL FRANCO Giovanni I.U.T de Villetaneuse Département G.E.I.I. IV-3-7- INTEGRATEUR INVERSEUR : C R1 + R2 Ve Vs Vs 1 Vedt R1C Gnd IV-3-8- DERIVATEUR INVERSEUR : R1 C Ve R2 + Vs R 1C dt Vs Gnd dV e IV-3-9- CONVERTISSEUR COURANT/TENSION : R I - Vs=-RI + Vs Gnd IV-3-10- REMARQUES : Les AOPs peuvent être alimentés de deux façons : Alimentation symétrique : Avec (+Vcc)-(Vcc-)= 30Vmax Et Vcc Vcc Alimentation asymétrique : Avec (+Vcc)-(-Vcc)= 30Vmax Et Vcc Vcc V-LE NE555 : V-1- GENERALITES : Le NE555 est un circuit monolithique composé de 2 amplificateurs opérationnels montés en comparateurs de tension, de 3 résistances identiques qui fixent les potentiels de référence, d’une bascule RS, d’une porte inverseuse du type NAND, et d’un transistor bipolaire. Il essentiellement utilisé dans les applications astables. Cependant il peut être monté en monostable. Brochage : Gnd 1 8 Vcc Trigger 2 7 Discharge Vout 3 6 threehold RAZ 4 5 Control DEL FRANCO Giovanni I.U.T de Villetaneuse Département G.E.I.I. V-2- LES DIFFERENTS MONTAGES ASTABLES: V-2-1- ASTABLE A FREQUENCE ET RAPPORT CYCLIQUE FIXE : 12v R1 4 7 8 6 1 2 3 R2 C Gnd Ce montage impose les temps de charge et de décharge. Il impose donc le rapport cyclique et la fréquence : Tc=(R1+R2)Cln2 Td=R2Cln2 T=Tc+Td=(R1+92R3)Cln2 Remarque : Pour obtenirTc=Td il suffit de placer en // sur R 2 une diode(la cathode sur le condensateur). Tc s’écrit alors : Tc=R1Cln2 T=tc+Td=(R1+R3)Cln2 et de poser R1=R3 (attention la diode est ici considérée parfaite, sinon il faut rajouter une diode identique dans la branche de décharge) V-2-2- ASTABLE A FREQUENCE FIXE ET RAPPORT CYCLIQUE VARIABLE : Ce montage permet de faire varier le rapport cyclique sans modifier la période. Les diodes ont un rôle d'aiguillage. Tc = (R1+aP+R3)Cln2 Td = (R3+(1-aP))Cln2 T = Tc+Td = (R1+2R3+P)Cln2 On remarque que la période quelle que soit la position de a (curseur de P) ne bouge pas 12v R1 74 8 D1 D2 R3 62 P 3 1 C Gnd Exemple V3 2Vcc/3 Vc Vcc/3 T V-2-3- ASTABLE A FREQUENCE VARIABLE ET RAPPORT CYCLIQUE FIXE : 12v P 4 7 8 62 1 3 R3 Ce montage permet d'avoir une fréquence qui varie tout en gardant le temps de décharge constant Tc = (aP+R3)Cln2, Td = R3Cln2 T = Tc + Td= (aP+2R3)Cln2 Remarque : En inversant P et R3 c'est le temps de charge qui reste constant : T=(R3+2aP)Cln2 C Gnd DEL FRANCO Giovanni I.U.T de Villetaneuse Département G.E.I.I. Remarque : On peut associer les montages B et C pour obtenir un rapport cyclique variable et une fréquence fixe variable. D’autres combinaisons sont possibles. V-3- MONTAGE MONOSTABLE : VI- LES REGULATEURS DE TENSION : VI-1-GENERALITES : Les régulateurs de tension sont des composants largement employés dans la construction des alimentations de faible puissance(quelques centaines de watts). L’objectif est d’obtenir à partir d’une tension redressée filtrée une tension fixe quelle que soit la charge (dans certaines limites). La tension de sortie et la structure interne du régulateur imposent le choix d’une tension minimum d’entrée. La tension max est une limite constructeur, et de cette valeur dépend, en fonction du courant, la puissance dissipée par le régulateur d’où le choix du dissipateur. VI-2- EXEMPLE D’APPLICATION : Soit une alimentation de 12 volts /1 Ampère à réaliser. Le constructeur nous donne : Vin = 19 v, Vout = 12 v, Iout=1A,chute de tension due au régulateur 2v La puissance maximum à dissiper est donc de : P=(19-12-2)x1= 5w puissance non négligeable. VI-3- DONNEES CONSTRUCTEUR : Le constructeur donne dans ses documentations techniques les montages types et les composants qu’il faut associer au régulateur pour obtenir un fonctionnement optimum.(les condensateurs en font partis). VII- L’OPTOCOUPLEUR : VII-1- PRESENTATION : L’optocoupleur est un composant d’une grande utilisation dès qu’il s’agit de protéger une partie commande d’une partie opérative. En fait, on opère une isolation galvanique entre ces deux parties, il n’y a plus, alors, de liens électriques. Il existe plusieurs types d’optocoupleur (appelé aussi photocoupleur) : - Diode/Diode-transistor - Diode/Transistor DEL FRANCO Giovanni I.U.T de Villetaneuse Département G.E.I.I. - Diode/Darlington Diode/Thyristor Diode/Triac Diode/Diode-darlington Le principe est en fait basé sur l’émission d’une lumière à partir de l’Arséniure de Gallium ou Phosphorure de Gallium VII-2- PRINCIPE DU CALUL(DIODE/TRANSISTOR) : La diode émettrice à une tension max de fonctionnement qu’il ne faut pas dépasser. Il faut donc calculer la résistance de protection qu’il faut lui associer. A partir du taux de transfert donné en % on en déduit la valeur du courant Ic du transistor récepteur de la lumière. Cette grandeur nous permet de déterminer les composants à associer à ce phototransistor pour obtenir le bon fonctionnement. VII-3- NOTATIONS ET REPRESENTATION : On se limitera au phototransistor. Vf : Cension max de la diode émettrice If If : Courant max supporté par la diode émettrice Vcesat : Tension de saturation du transistor Vf Icsat : Courant de saturation du transistor : Taux de transfert Remarque : Il se peut, comme dans le cas du transistor, que la base mette un certain temps pour décharger sa capacité de base, il faut donc mettre entre la base et la masse une résistance qui favorise cette décharge. VIII- LES FONCTIONS LOGIQUES : Ce chapitre se limitera à la présentation des différentes fonctions logiques sans traiter des technologies existantes, ni des méthodes permettant de réaliser la compatibilité. IX- LE TRANSFORMATEUR D’IMPULSION : X- REDRESSEMENT MONOALTERNANCE : XI- TRANSFORMATEUR MONOPHASE : XII- LES CIRCUITS RC : DEL FRANCO Giovanni I.U.T de Villetaneuse Département G.E.I.I. XIII- LES THYRISTORS : XIII-1- PRESENTATION : Un thyristor est un semi-conducteur bistable contrôlable par un circuit d’amorçage pour la mise en conduction (c’est une diode commandée), le blocage s’effectuant lors de la disparition du courant direct. Avec des thyristors il est possible de faire varier la tension de sortie en agissant sur le temps de conduction. On obtient alors un redressement commandé. Il existe aussi les thyristors GTO (gate turn off) ou le blocage est assuré par une impulsion négative sur la gâchette. Ils peuvent aller jusqu'à 400A sous 2500v. XIII-2- PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT : Sens passant Uak A Sens bloqué Uka i K G Ig A Ug K G Dans le sens passant : Il faut pour que le transistor, que la tension Uak soit positive et qu’il y ait un courant de gâchette Ig suffisant. Dans le sens bloqué : Il faut que la tension Uak passe par 0 ou s’inverse pour que le courant dans le circuit s’annule. Dès qu’un thyristor est amorcé par le courant de gâchette, ce courant peut être supprimé ,le thyristor continue à conduire tant que Uak est positive. XIII-3- COURBES CARACTERISTIQUES : Caractéristiques techniques : Ce sont les mêmes données que les diodes avec en plus : It état passant tension de retournement Vrrm Ih Vt tension de claquage en inverse DEL FRANCO Giovanni Vdrm Vbo Ir état bloqué Vth Le courant de maintien (Ih ), valeur minimale nécessaire pour maintenir la conduction. Le courant d’accrochage (Il ), valeur minimale à maintenir pendant une durée bien précise après disparition de l’impulsion de commande Il> 2Ih. La tension (Vgt) et le courant (Igt) d’amorçage I.U.T de Villetaneuse Département G.E.I.I. XIII-4- PTROTECTION DES THYRISTORS : On protège les thyristors : Contre les surintensités : La protection peut-être assurée par un fusible ultra rapide ou un système limiteur électronique.(Inductance simple ou saturable). Contre les amorçages trop rapides di/dt : Une inductance montée en série. Contre les blocages trop rapides dv/dt : On emploie soit un condensateur, soit un filtre RC pour limiter le courant. XIV- LES TRANSISTORS MOS DE PUISSANCE: C’est un transistor à effet de champ à enrichissement canal N ou P à grille isolée (MOSFET : Métal Oxyde Semi-Conducteur Field Effect Transistor ). Symbole Id D Id G Vds Vgs S D G Vds Vgs S On distingue trois électrodes, la grille le drain et la source. Le passage de l’état bloqué à l’état passant du composant est réalisé par polarisation de la grille (équivalente à un condensateur entre grille et source). A l’état passant la tension drain-source est proportionnelle au courant. Ce facteur de proportionnalité est appelé résistance à l’état passant ( RDSon) XV- LE FILTRAGE : XVI- LES DISSIPATEURS : XVII- LES CALCS : XIX- PROTECTION DES MATERIELS : DEL FRANCO Giovanni I.U.T de Villetaneuse Département G.E.I.I.