Caractéristiques d`un transistor à effet de champs
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Laboratoire de mesures et vérification Laboratoire de caractérisation 1ère partie : Caractéristiques d’un transistor à effet de champs But: Concevoir un instrument virtuel « VI » ainsi qu’un circuit permettant de mesurer les caractéristiques d’un transistor de type MOSFET. Schéma: Démarche : Il s’agit d’appliquer une tension Vgs en partant de 0V jusqu'à 10V et de lire la tension Vds ainsi que le courant Id correspondant. Pour mesurer le courant il suffit de lire la tension aux bornes de la résistance R1 et de calculer le courant. Mesurer la résistance avant de l’installer. Utilisez cette valeur comme référence. Reliez les signaux Vgs à une sortie analogique de la carte AT-MIO 16. Reliez les signaux Vds et Vr1 aux entrées analogiques de la carte d’acquisition. Montrez sur un graphe, la tension Vgs en fonction du courant Id, de la tension Vds, et de la puissance P. Montrez également un graphe de la fonction de sortie, c.-à-d. Vds en fonction de Id. Une fois le test terminé, n’oubliez pas d’éteindre le transistor pour éviter qu’il ne surchauffe. Répétez ces tests pour des tensions Vcc de 8Volts et 12 Volts. Écrivez un VI qui automatise ce processus. Effectuez quelques mesures manuelles avant d’essayer le programme pour vous donnez quelques valeurs pour comparer à celle obtenues par le programme. 2 ième partie : Caractéristiques d’un radiateur But: Concevoir un instrument virtuel « VI » ainsi qu’un circuit permettant de mesurer la résistance thermique d’un radiateur. Matériel : - Un transistor MOSFET de type N, muni d’un radiateur - Un capteur de type RTD - Un module normalisation opto-isolé pour RTD - Un bloc d’alimentation Démarche : - Mesurez la température ambiante à l’aide du capteur - Reliez le capteur de type RTD au radiateur - Concevoir et exécuter le « VI » répondant aux exigences suivantes - Écrivez un rapport de laboratoire, sous forme de page WEB, publiant vos résultats. Éléments du programme (VI ): - Demande à l’opérateur de confirmer le début du test (bouton de départ). Rapporte une erreur à la console si la puissance dans le transistor ne varie pas et arrête le processus, signalant le problème. Écrivez les valeurs de courants, de tensions et de températures dans une matrice. Laissez un délai suffisant au système pour atteindre l’équilibre thermique entre chaque mesure. Si la température ou la puissance maximale est excédée, un indicateur doit paraître. Affichez la résistance thermique ainsi qu’un graphe des mesures effectuées. Comparez vos résultats avec vos collèges de classe. Le programme doit contenir au moins un « sub-vi ».
