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TP de physique applique .
Gnralits
LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
voir mon cours sur mon site http//sites.estvideo.net/btssepallam/
Donner la constitution du transistor avec les zones de dopage. Donner les symboles des
transistors de type NPN et PNP. Indiquer les noms des lectrodes. Annoter le schma dun
transistor NPN avec les grandeurs lectriques principales du transistor sont iB, vBE, iC, iE et
vCE . Donner la relation entre les courants. Noter la rfrence du transistor tudi Nou le N, et
chercher ses caractristiques principales dans la data sheet .
. Mesure directe des paramtres statiques et dynamiques dun transistor
.. On dsire relever des courbes iC fiB, vBE fiB et vCE f iB.
E est une tension continue variable. VCC reste fixe. Relever dabord le schma annot du
montage avec les appareils de mesurant iB, iC, vBE et vCE. On utilise le mme voltmtre pour
vBE et vCE. E IB, mesur en A, peut tre mesur avec un VRB voltmtre aux bornes de RB, on a
IB . IC est de lordre du mA est relev de prfrence avec un appareil analogique, pour mieux
observer sa croissance et la saturation. Indiquer sur les courbes le domaine o le transistor
est bloqu RC nest pas aliment par E, le domaine o le transistor fonctionne en rgime linaire iC
augmente en mme temps que iB, le domaine o le transistor est satur ou passant RC est
aliment par E. Dans chacun des cas extrmes prciser les valeurs particulires des grandeurs
lectriques iC , iB , vBE et vCE . iC ..Lamplification en courant est le quotient i . Relever la
courbe f iB. B Estce que le coefficient est constant Donner sa valeur moyenne lorsquil ne
varie pas beaucoup en prcisant le domaine concern.
Lyce Louis Armand MULHOUSE HASSENBOEHLER le transistor bipolaire page BS SE
VCC V RC RB k B C transistor N E ou N
.... calcul. V et VCE VCE .. Dans quelle condition le transistor chauffetil le plus Montrer
qualors la puissance maximale PMAX dissipe par le transistor vaut VCC VCC VCC x RC RC
..La puissance dissipe par le transistor P vCE ...... mesur .... vrifier si le transistor choisi
convient........ calcul .. mesur ............. mesur iC mA ... VBE et VCE pour les trois valeurs
VCE VCE.... due VCC et E ..... . ..IB B ...... calcul.. faire le calcul de PMAX.. RC VCE ..
Remarquer qu ce point.. Le point de fonctionnement est fix VCE Mesurer les valeurs de
IB....................... calcul Av ..... Lindice dsigne une valeur relative la tension de polarisation
continue ici.IC VBE ...iB vCE iC Prsenter les rsultats sous forme de tableau.. mesur VBE V....
calcul. IC et la valeur du paramtre hybride En dduire lamplification en courant I B IC ..TP de
physique applique LE TRANSISTOR BIPOLAIRE ......... VCE VCE . calcul re .. BE .......... iC .
par emballement thermique.....MULHOUSE HASSENBOEHLER le transistor bipolaire page
BS SE ..calcul iB A..VBE h I . ce qui produit une drive rapide des valeurs mesurer...
......calcul h ..............IB ... Mesurer avec un maximum de prcision les diffrentes tensions.... la

rsistance dentre re IB ..calcul .............. mesur ...... . Modle propos En dduire le modle
quivalent pour les petits signaux du transistor tudi Lyce Louis Armand .VCE V ....... calcul
.....VBE e ........ calcul iB vBE h h. calcul .Mesure des paramtres statiques et dynamiques
VCC ................. VCE V......... le transistor chauffe excessivement.. Vrifier que Av r .. VCE V .
Plusieurs essais sont ncessaires et les mesures doivent tre faites rapidement. Relever P f ib
Commenter brivement la courbe obtenue... mesur .VCE et lamplification en tension Av V ....
V..........
iC. rsolution ve RB iB vBE donc iB ve ..vBE VCC RB gt RC . RC. le transistor doit se
saturer. calculer la valeur maximale de RB en fonction de . Prciser pourquoi le montage estil
appel adaptateur de niveau . Or iBsat Des relations et il vient ve . RB lt RC B RC . VCC V Le
GBF dlivre une tension alternative carre de V. R gt .. avec et sans D. la tension vCE vCEsat
est presque nulle. b. devenir passant. Dans le cas ou ve vBE VCC. tude de la commutation. .
VCC. Observer vBE loscillographe. Vrifier si la valeur choisie convient pour saturer
T.Complter en donnant dans un tableau les valeurs prises par les autres grandeurs
lectriques du transistor. Le montage adaptateur de niveau LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
VCC RC RB GBF ve D vs On prendra RB k et RC .TP de physique applique . E et vBE pour
pouvoir saturer le transistor. vBE et vCE...MULHOUSE HASSENBOEHLER le transistor
bipolaire page BS SE .vBE RB .Expliquer le rle de la diode D Quel est son tat lorsque ve V et
ve V.Vrifier le bon fonctionnement du montage une frquence de kHz Relever en
synchronisme les oscillogrammes de vet et vst ainsi que les mesures des valeurs particulires
de iB. ve V le transistor doit se bloquer iE . ve V. Montrer quon peut utiliser la relation
simplifie RB lt RC . vs vCE . iCsat VCC .Choix de la rsistance de base reprsenter la maille
dentre ou maille de commande du montage. pour chacun des cas suivants a. Lyce Louis
Armand . RC Pour saturer le transistor il faut que iB gt iBsat.
VCCvCEt vCEt Indiquer les mthodes iCt est limage de vCEt et pour iBt. ICsat courant de
saturation.TP de physique applique . comme iC crot linairement de ICsat pendant une dure
tr.MULHOUSE HASSENBOEHLER ..ICsat. VCC Conclure en comparant Pt la relation Pmax
R quand le transistor est polaris C de faon continue VCE VCC .tsat. le transistor bipolaire
page BS SE Lyce Louis Armand .IC.f .f iC tr saturation vCE ts ts tf blocage p vCE. tsat dure
de saturation et f Psat VCEsat.f Psat lorsque le transistor est satur est exprim en fonction de
VCEsat. Augmenter suffisamment la frquence du signal ve et relever en synchronisme.valuer
les valeurs des puissances dissipes par le transistor Pb. Pb lorsque le transistor est bloqu
est exprim en fonction de VCC.ICsat. Po VCC. Pf. RC placer une rsistance de dans la base.
Commenter les valeurs trouves. puisque alors iC dcrot linairement de ICsat pendant une
dure tf. Po et Pt pour une frquence f de ve quon choisira et notera kHz par exemple.Les
temps de commutation Ils sont dfinis par le diagramme cicontre. Pf VCC.. Pt est la puissance
totale dissipe.f . . tb dure de blocage et la frquence f Pb VCC.ICsat. les oscillogrammes
images des tensions vet et vst vCEt ainsi que des courants iBt et iCt permettant de mesurer
ces dures. ICf courant de fuite.tr.tb.iC Pf est la puissance dissipe par le transistor la ts
fermeture passage bloqu vers satur.tf. Psat. De la mme faon on dtermine avec une formule
analogue la puissance Po dissipe louverture. Montrer que. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE ve
iB td iC t td est le temps de retard la croissance delay time tr est le temps de monte rise time
ts est le temps de stockage tf est le temps de descente fall time t ts t tf tr Recopier ces
dfinitions.