rsistance dentre re IB ..calcul .............. mesur ...... . Modle propos En dduire le modle
quivalent pour les petits signaux du transistor tudi Lyce Louis Armand .VCE V ....... calcul
.....VBE e ........ calcul iB vBE h h. calcul .Mesure des paramtres statiques et dynamiques
VCC ................. VCE V......... le transistor chauffe excessivement.. Vrifier que Av r .. VCE V .
Plusieurs essais sont ncessaires et les mesures doivent tre faites rapidement. Relever P f ib
Commenter brivement la courbe obtenue... mesur .VCE et lamplification en tension Av V ....
V..........
iC. rsolution ve RB iB vBE donc iB ve ..vBE VCC RB gt RC . RC. le transistor doit se
saturer. calculer la valeur maximale de RB en fonction de . Prciser pourquoi le montage estil
appel adaptateur de niveau . Or iBsat Des relations et il vient ve . RB lt RC B RC . VCC V Le
GBF dlivre une tension alternative carre de V. R gt .. avec et sans D. la tension vCE vCEsat
est presque nulle. b. devenir passant. Dans le cas ou ve vBE VCC. tude de la commutation. .
VCC. Observer vBE loscillographe. Vrifier si la valeur choisie convient pour saturer
T.Complter en donnant dans un tableau les valeurs prises par les autres grandeurs
lectriques du transistor. Le montage adaptateur de niveau LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
VCC RC RB GBF ve D vs On prendra RB k et RC .TP de physique applique . E et vBE pour
pouvoir saturer le transistor. vBE et vCE...MULHOUSE HASSENBOEHLER le transistor
bipolaire page BS SE .vBE RB .Expliquer le rle de la diode D Quel est son tat lorsque ve V et
ve V.Vrifier le bon fonctionnement du montage une frquence de kHz Relever en
synchronisme les oscillogrammes de vet et vst ainsi que les mesures des valeurs particulires
de iB. ve V le transistor doit se bloquer iE . ve V. Montrer quon peut utiliser la relation
simplifie RB lt RC . vs vCE . iCsat VCC .Choix de la rsistance de base reprsenter la maille
dentre ou maille de commande du montage. pour chacun des cas suivants a. Lyce Louis
Armand . RC Pour saturer le transistor il faut que iB gt iBsat.
VCCvCEt vCEt Indiquer les mthodes iCt est limage de vCEt et pour iBt. ICsat courant de
saturation.TP de physique applique . comme iC crot linairement de ICsat pendant une dure
tr.MULHOUSE HASSENBOEHLER ..ICsat. VCC Conclure en comparant Pt la relation Pmax
R quand le transistor est polaris C de faon continue VCE VCC .tsat. le transistor bipolaire
page BS SE Lyce Louis Armand .IC.f .f iC tr saturation vCE ts ts tf blocage p vCE. tsat dure
de saturation et f Psat VCEsat.f Psat lorsque le transistor est satur est exprim en fonction de
VCEsat. Augmenter suffisamment la frquence du signal ve et relever en synchronisme.valuer
les valeurs des puissances dissipes par le transistor Pb. Pb lorsque le transistor est bloqu
est exprim en fonction de VCC.ICsat. Po VCC. Pf. RC placer une rsistance de dans la base.
Commenter les valeurs trouves. puisque alors iC dcrot linairement de ICsat pendant une
dure tf. Po et Pt pour une frquence f de ve quon choisira et notera kHz par exemple.Les
temps de commutation Ils sont dfinis par le diagramme cicontre. Pf VCC.. Pt est la puissance
totale dissipe.f . . tb dure de blocage et la frquence f Pb VCC.ICsat. les oscillogrammes
images des tensions vet et vst vCEt ainsi que des courants iBt et iCt permettant de mesurer
ces dures. ICf courant de fuite.tr.tb.iC Pf est la puissance dissipe par le transistor la ts
fermeture passage bloqu vers satur.tf. Psat. De la mme faon on dtermine avec une formule
analogue la puissance Po dissipe louverture. Montrer que. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE ve
iB td iC t td est le temps de retard la croissance delay time tr est le temps de monte rise time
ts est le temps de stockage tf est le temps de descente fall time t ts t tf tr Recopier ces
dfinitions.