TP n°3: Etude d`un amplificateur émetteur commun.

Licence T&R Sem 5 Travaux Pratiques Département d’Electronique
(2014-2015) EAT Université de Blida 1
1
Enseignants : Mr Bersali et Mme Zine.
TP n°3: Etude d’un amplificateur émetteur commun.
Amplification des signaux
But de ce TP :
Ce TP a pour but l’apprentissage et l’analyse de l’aspect statique et dynamique du transistor
bipolaire monté en amplificateur,émetteur commun, dans ce cas précis. Nous allons étudier le
circuit de la figure ci-dessous.
Manipulation:
Régime statique
1. Réaliser le montage de la figure ci-dessus en faisant particulièrement attention au brochage
du transistor et à la polarisation des condensateurs.
2. Mesurer les tensions VB, VC et VEet VE’. En déduire la tension VCEet les courants IB, IC et IE.
3. Tracer la droite de charge et calculer le point de fonctionnement.Comparer avec les résultats
pratiques. Conclure.
Régime dynamique
4. Débrancher le (+) de l’alimentation.
5. A l’aide du GBF générer un signal sinusoïdalve(t)=Ve sin(𝜔t+ϕe) de fréquence fe=1kHz et de
valeur maximale Ve =150 mV. Utiliser la fonction ATT -20 dB du GBF.
6. Visualiser le signal d’entrée et reporter le sur un papier millimétré.

Licence T&R Sem 5 Travaux Pratiques Département d’Electronique
(2014-2015) EAT Université de Blida 1
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Enseignants : Mr Bersali et Mme Zine.
7. Rebrancher le (+) de l’alimentation et visualiserà l’aide de l’oscilloscope les signaux à l’entrée
et aux pointsb, B, C, E et E’. Reporter les sur un papier millimétré l’un au-dessous de l’autre
en commençant par le signal d’entrée.
8. Mesurer le gain en tension. Comparer cette valeur avecla valeur théorique.
ANNEXE
Data sheet du 2N 2222 A