Cours Info Indus n°4a : Principaux type de mémoire
TS IRIS1 / Prof. : TIMIN J-Louis / Année 2009-2010
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Cours CII-4a : Principaux type de mémoire
PRAM
La mémoire PRAM, pour Phase-Change RAM (ou Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM ou encore C-
RAM en anglais) est un type de mémoire d'ordinateur non volatile encore à l'état de recherche et
développement.
À ne pas confondre avec la PRAM (“mémoire des paramètres”) bien connue des utilisateurs Mac.
La mémoire PRAM utilise la propriété du verre de chalcogénure, qui le fait basculer de la forme cristalline à
la forme amorphe sous l'effet de la chaleur.
Les chercheurs espèrent que ce type de mémoire remplacera un jour la mémoire flash.
Z-RAM
la technologie Z-RAM (Zero Capacitor RAM))a été initialement développée pour les chipsets mobiles,
microprocesseurs et autres adaptateurs réseau ayant besoin de mémoire embarquée à bas coût.
Techniquement, les puces Z-RAM ont pour particularité de contenir des cellules formées d'un seul
transistor alors qu'elles n'utilisent aucun condensateur, une technique pourtant courante depuis
l'apparition de la mémoire dans les années 1970. Pour parvenir à ce résultat, la technologie Z-RAM fait
notamment appel à l'effet dit des corps flottants (kink effect). Son intérêt premier est d'autoriser une plus
grande densité tout en réduisant la taille physique des puces.
TTRAM
Twin Transistor RAM (TTRam) est un nouveau type de mémoire s’appuyant sur le principe de la DRAM à
base de condensateur, mais élimine le condensateur en s'appuyant sur l'effet de corps (comme la Z-RAM)
flottant inhérentes à la fabricant de silicium sur isolant. Cet effet initialement considéré comme une
nuisance, est ici utilisé pour remplacer une partie pure et simple du dispositif. La TTRam offre des densités
un peu plus élevé que la DRAM classique. Comme les prix sont fortement liés à la densité, TTRam est
théoriquement moins coûteux.
Dans la cellule mémoire TTRam, deux transistors sont connectées en série sur un substrat. L'un est un
transistor d'accès, tandis que l'autre est utilisée comme un transistor de stockage et remplit la même
fonction que le condensateur dans une cellule DRAM conventionnelles. (Twin => jumeau).