1 / Où est-je dont stocké mes données ? Quels sont différents type

Cours Info Indus n°4a : Principaux type de mémoire
TS IRIS1 / Prof. : TIMIN J-Louis / Année 2009-2010
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Mémoire
Cours CII-4a : Principaux type de mémoire
1 / Où est-je dont stocké mes données ?
 Quels sont différents type de mémoire vive ?
Annexe 1
Annexe 2
 Quels sont les nouveaux types en concurrence sur le marché ?

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2 / Le marché de la RAM !
M-RAM
La mémoire MRAM (Magnetic Random Access Memory) est une mémoire d'ordinateur non volatile de
type magnétique.
Les données, contrairement aux données des autres RAM, ne sont pas stockées sous forme d'une charge
électrique mais d'une charge magnétique. Le changement d'état se fait en changeant le spin des électrons
(par effet tunnel notamment).
Cette méthode de stockage possède les avantages suivants :
 la non volatilité des informations ;
 une théorique inusabilité, puisqu'aucun mouvement électrique n'est engagé ;
 la consommation électrique est théoriquement moindre puisqu'il n'y a pas de perte thermique due
à la résistance des matériaux aux mouvements des électrons.
La MRAM est souvent considérée comme la mémoire « idéale » alliant rapidité, débit, capacité et non
volatilité, ce qui peut amener à penser qu'elle entraînera la fin de la hiérarchie des mémoires.
eDRAM
L’eDRAM, ou embedded DRAM est un type de mémoire utilisée dans beaucoup d'appareils mobiles,
comme les téléphones portables ou les GPS par exemple, ainsi que la console de jeux vidéo portable
PlayStation Portable.
Ce type de puce de mémoire présenté par IBM en 2007, est selon la firme trois fois plus dense que la
DRAM classique tout en étant aussi rapide que la SRAM. Elle sera utilisée dans les processeurs Power 7
1T-RAM
La 1T-SRAM est un type de mémoire vive développée par MoSys. Elle a un temps de latence de 1 ns, et elle
est utilisée dans la GameCube de Nintendo, ainsi que dans son successeur, la Wii.
FeRAM
La mémoire FRAM ou mémoire FeRAM (Ferroelectric RAM en anglais) est un type de mémoire
d'ordinateur non volatile actuellement (en 2006) à l'état de recherche et développement. Elle est similaire
à la mémoire DRAM à laquelle on a ajouté une couche ferro-électrique pour obtenir la non volatilité.
Par rapport aux mémoires flash utilisées actuellement, cette mémoire possédera les avantages suivants :

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 une plus faible consommation d'électricité ;
 une plus grande rapidité de lecture et d'écriture (temps d'accès de 100 nanosecondes contre 1
microseconde pour la mémoire flash) ;
 la possibilité d'être effacée et ré-écrite un bien plus grand nombre de fois.
Les inconvénients sont par contre :
 des capacités de stockage plus limitées ;
 un coût de fabrication plus élevé.
Leur utilisation est destinée au SSD.
NRAM
La mémoire NRAM ou mémoire Nano-RAM est un type de mémoire d'ordinateur non volatile à l'état de
recherche et développement, propriété de Nantero.
Le fonctionnement de la mémoire NRAM est basée sur la position des nanotubes de carbone sur un
substrat semblable à un circuit intégré. En théorie, la petite dimension des nanotubes devrait permettre
une très grande densité d'information par unité de surface.
Les chercheurs espèrent que cette mémoire remplacera un jour la mémoire flash.
PRAM
La mémoire PRAM, pour Phase-Change RAM (ou Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM ou encore C-
RAM en anglais) est un type de mémoire d'ordinateur non volatile encore à l'état de recherche et
développement.
À ne pas confondre avec la PRAM (“mémoire des paramètres”) bien connue des utilisateurs Mac.
La mémoire PRAM utilise la propriété du verre de chalcogénure, qui le fait basculer de la forme cristalline à
la forme amorphe sous l'effet de la chaleur.
Les chercheurs espèrent que ce type de mémoire remplacera un jour la mémoire flash.
Z-RAM
la technologie Z-RAM (Zero Capacitor RAM))a été initialement développée pour les chipsets mobiles,
microprocesseurs et autres adaptateurs réseau ayant besoin de mémoire embarquée à bas coût.
Techniquement, les puces Z-RAM ont pour particularité de contenir des cellules formées d'un seul

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transistor alors qu'elles n'utilisent aucun condensateur, une technique pourtant courante depuis
l'apparition de la mémoire dans les années 1970. Pour parvenir à ce résultat, la technologie Z-RAM fait
notamment appel à l'effet dit des corps flottants (kink effect). Son intérêt premier est d'autoriser une plus
grande densité tout en réduisant la taille physique des puces.
X-DRAM
La XDRAM ou XDR DRAM, est une mémoire développée par Rambus, le X signifiant "eXtreme". Sa
particularité est de pouvoir transférer jusqu'à 8 données par cycle d'horloge! Les fréquences d'horloge
étant similaires aux DDR2 et DDR3 (entre 400MHz et 1066MHz), on imagine aisément la différence de
performance avec celles-ci (jusqu'à 4x plus rapide).
DDR3 SDRAM
Le DDR3 SDRAM, plus généralement connu sous la forme simplifiée DDR3, est un standard de mémoire
vive électronique défini par le JEDEC, destiné à être progressivement utilisé dans les ordinateurs
personnels commercialisés à partir de l’année 2007.
DDR3 SDRAM est un acronyme anglais pour Double Data Rate 3rd generation Synchronous Dynamic
Random Access Memory, signifiant en français Mémoire à Accès Direct (Aléatoire étant une traduction mot
à mot, qui ne correspond pas à l'idée d'accès direct à une "case" mémoire d'adresse colonne+ligne)
Synchrone à Débit de Données Doublé de troisième génération. Le standard DDR3 a été élaboré dans le but
de succéder au standard DDR2, en offrant des améliorations de performances tout en diminuant la
consommation électrique.

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3 / Comparatif
Les mémoires EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM)
Inconvénient majeur : nécessité de les enlever sur leur support (risque de casse, non réparable) afin de les
programmer (source ultra-violet).
Avantage : électriquement effaçables et non volatiles.
Les mémoires SRAM
C’est une RAM Statique (Static Random Acces Memory). La cellule de base est constituée par une bascule
de transistor. Elle est très rapide (6 à 15ns) mais assez chère et difficile à intégrer. On la réserve donc
essentiellement pour les mémoires de faible capacité comme la mémoire cache.
Les mémoires DRAM
D pour Dynamic. Les composants de cette mémoire doivent être régénérés électriquement
périodiquement (rafraichis tous les 40ns) pour conserver les données.
Les mémoires flash
Technologie reprenant le meilleur des avantages des EEPROM, DRAM et SRAM en rapidité et non volatilité.
Effaçable électriquement par une brève impulsion.
Ne nécessite pas de rafraichissement (comme la SRAM.
La mémoire cache
La mémoire cache (ou mémoire tampon) à pour objectif de permettre un fonctionnement plus rapide du
processeur en optimisant l’accès aux données en provenance de la RAM. Le processeur y stocke les
dernières opérations effectuées. La mémoire cache permet de stocker plus de liste d’adresses et donc ainsi
plus de capacité de stockage en mémoire (« interne »). Cela accélère d’autant l’accès à la mémoire de
certaines instructions et donc leur traitement.