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TD 2 : Transistor à Effect de Champ (TEC) à Junction (ou JFET)
2021 - 2022
a. La région de déplétion s'élargit et la résistance du canal diminue.
Exercice 1
Lorsque VGS d'un JFET à canal-p est augmenté de 1 à 3 V, …
b. La région de déplétion s'élargit et la résistance du canal augmente.
c. La région de déplétion diminue et la résistance du canal diminue.
d. La région de déplétion diminue et la résistance du canal augmente.
Explique.
a. Un JFET à canal-n avec VGS(off) = 6 V.
Exercise 2
Un certain JFET a une tension de pincement de 6 V. Ce JFET est …
b. Un JFET à canal-p avec VGS(off) = 6 V.
c. Un JFET à canal-n avec VGS(off) = ‒ 6 V.
d. Un JFET à canal-p avec VGS(off) = ‒ 6 V.
Explique.
a. 30 mA
Exercise 3
Un certain JFET a un VGS(off) = 6 V et IDSS = 15 mA, le courant de drain à VGS = 12 V est …
b. 0 mA
c. 15 mA
d. 1 mA
e. 7.5 mA
Explique.
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Figure 1
Exercise 4
Pour le JFET illustré à la Figure 1, VGS(off) = ‒ 4 V, IDSS = 12 mA. Déterminez la valeur minimale de
VDD requise pour placer le transistor dans la zone de fonctionnement à courant constant lorsque VGS =
0 V.
Exercise 5
Un certain JFET à canal-p a un VGS(off) = +4 V.
Trouver la valeur de ID lorsque VGS = +6 V?
Exercise 6
La fiche technique d'un 2N5459 JFET indique que IDSS = 9 mA et VGS(off) = -8V (maximum). En
utilisant ces valeurs, déterminer le courant de drain pour VGS = 0, ‒ 1, et ‒ 4 V.
Exercise 7
Les informations suivantes sont incluses dans la fiche technique d'un 2N5457 JFET: IDSS = 3.0 mA,
VGS(off) = -6 V maximum, et gm0 = gfs(max) = 5000 mS.
En utilisant ces valeurs, déterminer la transconductance directe pour VGS = -4V, et trouve ID à ce
point.
Exercise 8
Un certain JFET a un IGSS de -2 nA pour VGS = -20 V. Déterminer la résistance d'entrée.
Un certain JFET a un IGSS de -2 nA pour VGS = -20 V. Déterminer la résistance d'entrée.
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Figure 2
Exercise 9
Déterminer la valeur de RS nécessaire pour self-bias un JFET à canal-n qui a la caractéristique de
transfert illustrée à la Figure 2 à VGS = -5V.
Exercise 10
Déterminer la valeur de RS nécessaire pour self-bias un JFET à canal-p avec des valeurs de fiche
technique de IDSS = 25 mA et VGS(off) = 15 V. VGS est 5 V.
Figure 3
Exercise 11
Sélectionnez les valeurs de résistance RS et RD dans la Figure 3 pour établir une polarisation point-
milieu. VGS(off) = ‒3V, IDSS = 12 mA. VD devrait être d'environ la moitié de VDD (6 V).
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Figure 4
.
Exercise 12
Déterminer ID et VGS pour le JFET avec une polarization de diviseur de tension dans la Figure 4,
étant donné que pour ce particulier JFET les valeurs des paramètres sont telles que VD ≈ 7V.
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