
TP Mesures 1ère F3 RELEVE DE CARACTERISTIQUES 2017/2018
Chapitre4 D’UN TRANSISTOR BIPOLAIRE Page 3 sur 7
TOURE Mamourou LTA cocody
2.4. CARACTRERISTIQUES STATIQUES
2.5.1 GRANDEURS ELECTRIQUES DU TRANSISTOR
Le transistor peut être utilisé dans les trois montages fondamentaux
(émetteur commun, collecteur commun, base commune) et par conséquent, les
courbes caractéristiques seront fonction du montage particulier examiné.
Le transistor possède quatre grandeurs électriques. Cela apparaît à la Fig4.
Fig4 : grandeurs électriques du transistor
Ces quatre grandeurs électriques sont les deux tensions VBE et VCE, et les
deux courants IB et IC.
La tension VBE, appliquée entre l’électrode de commande (base) et
l’électrode commune (émetteur) et le courant IB parcourant l’électrode de commande
définissent le circuit d’entrée du transistor.
De la même façon, la tension VCE, appliquée entre l’électrode de sortie
(collecteur) et l’électrode commune (émetteur), et le courant IC circulant dans
l’électrode de sortie définissent le circuit de sortie du transistor.
2.5.2 POLARISATION DU TRANSISTOR
La polarisation d'un transistor consiste à fixer les tensions et les
courants continus aux niveaux des jonctions base-émetteur et collecteur-émetteur.
Ces tensions et courants seront notés en lettres capitales.
Exemple : IB0: courant de base VBE0 : tension base-émetteur
IC0: courant de collecteur VCE0 : tension collecteur-émetteur
BIPOLAIRE